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DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測(cè)價(jià)

景氣復(fù)蘇情況未如預(yù)期，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近來開始彌漫供過于求的利空氣氛，不論是DRAM以及Flash價(jià)格都未見到止跌。據(jù)悉，業(yè)界傳出，獲利表現(xiàn)較為不佳的 DRAM廠商為維持獲利，回頭砍后段封測(cè)廠的第四季的接單價(jià)格，跌幅落在

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2010-09-15

DRAM 爾必達(dá) 封裝晶圓
日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

日?qǐng)A兌美元匯率強(qiáng)勢(shì)升值，創(chuàng)近15年來新高;臺(tái)灣存儲(chǔ)器業(yè)者表示，日?qǐng)A走勢(shì)對(duì)日系廠商營(yíng)運(yùn)勢(shì)必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺(tái)灣合作伙伴。日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場(chǎng)占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá)(Elpida)今年第2季在全

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2010-09-15

內(nèi)存東芝 DRAM 爾必達(dá)
日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

日?qǐng)A兌美元匯率強(qiáng)勢(shì)升值，創(chuàng)近15年來新高;臺(tái)灣存儲(chǔ)器業(yè)者表示，日?qǐng)A走勢(shì)對(duì)日系廠商營(yíng)運(yùn)勢(shì)必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺(tái)灣合作伙伴。日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場(chǎng)占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-15

內(nèi)存東芝 DRAM 爾必達(dá)
DRAM廠拼制程微縮　ASML機(jī)臺(tái)交貨不及

隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，原本財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)岌岌可危的DRAM廠營(yíng)運(yùn)開始轉(zhuǎn)佳，因此積極投入技術(shù)制程微縮的工作，但面臨最大問題除了募資之外，還有ASML的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)大缺貨，交期甚至長(zhǎng)達(dá)12個(gè)月，目前

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2010-09-08

芯片 ASML DRAM 爾必達(dá)
分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)

據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-06

Flash MOBILE DRAM 爾必達(dá)
爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4GNAND閃存

爾必達(dá)內(nèi)存公司（ElpidaMemoryInc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（SpansionInc.）已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。這家

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2010-09-03

4G NAND閃存 SPANSION 爾必達(dá)
爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

爾必達(dá)內(nèi)存公司（Elpida Memory Inc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（Spansion Inc.）已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。這

智能硬件
2010-09-03

4G NAND閃存 SPANSION 爾必達(dá)
臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺(tái)系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至

智能硬件
2010-09-01

內(nèi)存 MOBILE DRAM 爾必達(dá)
臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

根據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺(tái)系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至

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2010-09-01

LED MOBILE DRAM 爾必達(dá)
舉債擴(kuò)產(chǎn) 非臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道

過去臺(tái)灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營(yíng)各自在制程技術(shù)上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù)，在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營(yíng)。當(dāng)年

智能硬件
2010-08-23

奇夢(mèng)達(dá) 海力士 DRAM 爾必達(dá)
舉債擴(kuò)產(chǎn)非臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道

過去臺(tái)灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營(yíng)各自在制程技術(shù)上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù)，在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營(yíng)。當(dāng)年

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2010-08-20

奇夢(mèng)達(dá) 海力士 DRAM 爾必達(dá)
爾必達(dá)財(cái)報(bào)亮眼7月MobileRAM導(dǎo)入40納米

日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)29日公布2010年第1季(會(huì)計(jì)年度4-6月)財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收為1,763億日?qǐng)A(約20.28億美元)，較上一季增加28%，較2009年同期增加103%，單季毛利率為35%，凈利為307億日?qǐng)A(約3.52億美元)，較上一季

半導(dǎo)體
2010-08-06

40納米 RAM MOBILE 爾必達(dá)
法說報(bào)佳音華東錢景看俏

華新集團(tuán)旗下內(nèi)存封測(cè)廠華東科技（8110）昨（5）日舉行法說會(huì)，上半年賺進(jìn)4.43億元，每股凈利達(dá)0.9元，表現(xiàn)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。由于爾必達(dá)、力晶、華邦電等大客戶第3季DRAM產(chǎn)能持續(xù)開出，華東總經(jīng)理于鴻祺對(duì)下半年展

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2010-08-06

內(nèi)存 DRAM 爾必達(dá) 封裝
日半導(dǎo)體業(yè)1Q財(cái)報(bào)兩樣情,東芝爾必達(dá)報(bào)喜瑞薩鐵青

日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財(cái)報(bào)表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升；瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。東芝半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
2010-08-03

東芝瑞薩電子爾必達(dá)
瑞晶落實(shí)節(jié)能減碳　臺(tái)灣第1份DRAM廠環(huán)境報(bào)告書出爐

DRAM廠瑞晶宣布發(fā)表臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)第1份企業(yè)環(huán)境報(bào)告書 (Corporate Environmental Report；CER)，并經(jīng)過獨(dú)立公正第3者英商勞氏檢驗(yàn)(LRQA)的查證；瑞晶強(qiáng)調(diào)，2009年總產(chǎn)能較2008年成長(zhǎng)5.7%，但用水量減少、溫室氣體排放

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2010-08-03

空氣污染 CORPORATE DRAM 爾必達(dá)
東芝扭虧為盈,日本芯片制造商業(yè)績(jī)紛紛改善

*東芝4-6月營(yíng)業(yè)利潤(rùn)295億日?qǐng)A,好于預(yù)估*東芝維持全球獲利目標(biāo)2,500億日?qǐng)A不變,低于分析師預(yù)期的2,560億日?qǐng)A*爾必達(dá)未公布財(cái)測(cè),富士通維持2010/11年獲利預(yù)估路透東京7月29日電---日本芯片制造商?hào)|芝(6502.T:行情)、瑞

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2010-07-30

東芝芯片制造商扭虧為盈爾必達(dá)
爾必達(dá)飛索結(jié)盟形成全球第5大NAND Flash陣營(yíng)

DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)和NOR Flash大廠飛索(Spansion)宣布結(jié)盟，將共同開發(fā)NAND Flash技術(shù)和產(chǎn)品，爾必達(dá)取得相關(guān)專利，未來將以日本廣島12?廠做為生產(chǎn)基地，初期從43納米切入，未來再導(dǎo)入32納米，全面搶進(jìn)NAND

消費(fèi)電子
2010-07-26

Flash NAND DRAM 爾必達(dá)
爾必達(dá)與Spansion簽署NANDFlash代工協(xié)議

日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NANDFlash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NANDFlash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NORFlash，并為其代工的可能性。據(jù)

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2010-07-26

半導(dǎo)體 NANDFLASH SPANSION 爾必達(dá)
南亞科、華亞科三度上修資本支出　提前布局42納米

臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科在50納米制程轉(zhuǎn)換吃足苦頭，第2季仍處于虧損狀態(tài)，近期決定全面加速轉(zhuǎn)進(jìn)42納米，南亞科42納米制程更將搶先在2010年第4季進(jìn)入量產(chǎn)，全力轉(zhuǎn)虧為盈，并共同宣布三度上修資本支出，南亞

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2010-07-23

美光 MICRON DRAM 爾必達(dá)
Immersion機(jī)臺(tái)缺貨臺(tái)DRAM廠改采購舊機(jī)種應(yīng)急

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上，交期幾乎拉到快12個(gè)月，使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí)；存儲(chǔ)器業(yè)者透露，爾必達(dá)(Elpida)陣

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2010-07-22

IMMERSION SCANNER DRAM 爾必達(dá)

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爾必達(dá)

DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測(cè)價(jià)

日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

DRAM廠拼制程微縮　ASML機(jī)臺(tái)交貨不及

分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)

爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4GNAND閃存

爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

舉債擴(kuò)產(chǎn) 非臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道

舉債擴(kuò)產(chǎn)非臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道

爾必達(dá)財(cái)報(bào)亮眼7月MobileRAM導(dǎo)入40納米

法說報(bào)佳音華東錢景看俏

日半導(dǎo)體業(yè)1Q財(cái)報(bào)兩樣情,東芝爾必達(dá)報(bào)喜瑞薩鐵青

瑞晶落實(shí)節(jié)能減碳　臺(tái)灣第1份DRAM廠環(huán)境報(bào)告書出爐

東芝扭虧為盈,日本芯片制造商業(yè)績(jī)紛紛改善

爾必達(dá)飛索結(jié)盟形成全球第5大NAND Flash陣營(yíng)

爾必達(dá)與Spansion簽署NANDFlash代工協(xié)議

南亞科、華亞科三度上修資本支出　提前布局42納米

Immersion機(jī)臺(tái)缺貨臺(tái)DRAM廠改采購舊機(jī)種應(yīng)急

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