景氣復(fù)蘇情況未如預(yù)期,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近來開始彌漫供過于求的利空氣氛,不論是DRAM以及Flash價格都未見到止跌。據(jù)悉,業(yè)界傳出,獲利表現(xiàn)較為不佳的 DRAM廠商為維持獲利,回頭砍后段封測廠的第四季的接單價格,跌幅落在
日圓兌美元匯率強勢升值,創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示,日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力,未來將更仰賴臺灣合作伙伴。日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力,其中爾必達(Elpida)今年第2季在全
日圓兌美元匯率強勢升值,創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示,日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力,未來將更仰賴臺灣合作伙伴。日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力,其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全
隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇,原本財務(wù)結(jié)構(gòu)岌岌可危的DRAM廠營運開始轉(zhuǎn)佳,因此積極投入技術(shù)制程微縮的工作,但面臨最大問題除了募資之外,還有ASML的浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)大缺貨,交期甚至長達12個月,目前
據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千
爾必達內(nèi)存公司(ElpidaMemoryInc.)9月2日表示,該公司與Spansion公司(SpansionInc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片,擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu),該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。這家
爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示,該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片,擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu),該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。這
根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至
根據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至
過去臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國,這幾大陣營各自在制程技術(shù)上有很大差別,最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù),在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下,成為被淘汰的陣營。當年
過去臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國,這幾大陣營各自在制程技術(shù)上有很大差別,最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù),在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下,成為被淘汰的陣營。當年
日系存儲器大廠爾必達(Elpida)29日公布2010年第1季(會計年度4-6月)財報,單季營收為1,763億日圓(約20.28億美元),較上一季增加28%,較2009年同期增加103%,單季毛利率為35%,凈利為307億日圓(約3.52億美元),較上一季
華新集團旗下內(nèi)存封測廠華東科技(8110)昨(5)日舉行法說會,上半年賺進4.43億元,每股凈利達0.9元,表現(xiàn)優(yōu)于市場預(yù)期。 由于爾必達、力晶、華邦電等大客戶第3季DRAM產(chǎn)能持續(xù)開出,華東總經(jīng)理于鴻祺對下半年展
日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜,獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累,該季仍難揮別虧損陰霾。東芝半導(dǎo)體
DRAM廠瑞晶宣布發(fā)表臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)第1份企業(yè)環(huán)境報告書 (Corporate Environmental Report;CER),并經(jīng)過獨立公正第3者英商勞氏檢驗(LRQA)的查證;瑞晶強調(diào),2009年總產(chǎn)能較2008年成長5.7%,但用水量減少、溫室氣體排放
*東芝4-6月營業(yè)利潤295億日圓,好于預(yù)估*東芝維持全球獲利目標2,500億日圓不變,低于分析師預(yù)期的2,560億日圓*爾必達未公布財測,富士通維持2010/11年獲利預(yù)估路透東京7月29日電---日本芯片制造商東芝(6502.T:行情)、瑞
DRAM大廠爾必達(Elpida)和NOR Flash大廠飛索(Spansion)宣布結(jié)盟,將共同開發(fā)NAND Flash技術(shù)和產(chǎn)品,爾必達取得相關(guān)專利,未來將以日本廣島12?廠做為生產(chǎn)基地,初期從43納米切入,未來再導(dǎo)入32納米,全面搶進NAND
日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴大合作范圍,雙方除共同研發(fā)NANDFlash制程技術(shù)與產(chǎn)品外,爾必達將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NANDFlash。另外,爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NORFlash,并為其代工的可能性。據(jù)
臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科在50納米制程轉(zhuǎn)換吃足苦頭,第2季仍處于虧損狀態(tài),近期決定全面加速轉(zhuǎn)進42納米,南亞科42納米制程更將搶先在2010年第4季進入量產(chǎn),全力轉(zhuǎn)虧為盈,并共同宣布三度上修資本支出,南亞
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后,浸潤式曝光機臺(ImmersionScanner)出現(xiàn)大缺貨,尤其是最新款的NXT:1950i機種上,交期幾乎拉到快12個月,使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器業(yè)者透露,爾必達(Elpida)陣