隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，原本財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)岌岌可危的DRAM廠營運(yùn)開始轉(zhuǎn)佳，因此積極投入技術(shù)制程微縮的工作，但面臨最大問題除了募資之外，還有ASML的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)大缺貨，交期甚至長(zhǎng)達(dá)12個(gè)月，目前尚無明顯紓解，使得較晚下單的臺(tái)系DRAM廠都面臨沒有機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米或40奈米的情況，被迫延后制程微縮的進(jìn)度。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制程微縮進(jìn)度往50奈米以下發(fā)展后，都開始要使用浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)，臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)由于財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)齊全，因此早已預(yù)定機(jī)臺(tái)，2010年的制程微縮進(jìn)度并未被機(jī)臺(tái)設(shè)備的進(jìn)度連累到。
但對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，之前才剛從金融風(fēng)暴中脫身，手上資金有限，面對(duì)1臺(tái)價(jià)格高達(dá)新臺(tái)幣10億~20億元的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)機(jī)臺(tái)，財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)相當(dāng)吃力，且平均1臺(tái)浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)約只能生產(chǎn)1萬~1.5萬片的產(chǎn)能，假設(shè)1座晶圓廠單月產(chǎn)能10萬片，就要購買將近10臺(tái)的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)才能應(yīng)付，花費(fèi)可能上百億元。
隨著DRAM價(jià)格上升，各家廠商都開始有現(xiàn)金流入，2010年臺(tái)系DRAM廠都是藉由現(xiàn)金流入累積資金，另一方面則是積極籌資來負(fù)擔(dān)采購浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)的費(fèi)用，但2010年下訂金來預(yù)約機(jī)臺(tái)，交! 期可能要長(zhǎng)達(dá)近12個(gè)月，也間接阻礙臺(tái)廠的制程進(jìn)度演進(jìn)。
其中，ASML最新款的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)是NXT:1950i，由于交期較長(zhǎng)，因此部分臺(tái)廠也轉(zhuǎn)向采購舊機(jī)種XT:1950i，兩者的差別是，XT:1950i機(jī)種可能用到40奈米制程就是極限，而新款的NXT:1950i可往下做到30奈米制程世代，但相對(duì)而言，機(jī)臺(tái)設(shè)備的費(fèi)用也較高。
為因應(yīng)采購浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)的資金，2010年募資最積極的是臺(tái)塑集團(tuán)旗下的南亞科和華亞科，兩家公司2010年分別3度上修資本支出計(jì)劃，其中南亞科2010年資本支出達(dá)新臺(tái)幣300億元，華亞科的資本支出則高達(dá)580億元，兩家合計(jì)資本支出高達(dá)880億元，位居臺(tái)系內(nèi)存廠之冠。
爾必達(dá)陣營中的力晶、瑞晶和茂德，由于浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)到貨時(shí)= 較晚，但也有策略因應(yīng)，就是從現(xiàn)有的65奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程，中間幾乎不需再多花費(fèi)資本支出，就可降低20%成本，其成本結(jié)構(gòu)與50奈米制程不會(huì)差太多，唯一的缺點(diǎn)是63奈米制程不能生產(chǎn)2Gb芯片，只能生產(chǎn)1Gb芯片。
因此兩陣營的策略是各有優(yōu)缺點(diǎn)，實(shí)際上應(yīng)該說是各自因應(yīng)自己的財(cái)務(wù)實(shí)力，而選擇不同的方向進(jìn)行，南亞科和華亞科因?yàn)橛信_(tái)塑集團(tuán)支持，募資較容易，因此全力采購浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)1次將50奈米制程做到位。
爾必達(dá)由于資金較為缺乏，因此先以63奈米制程應(yīng)戰(zhàn)，未來等浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)到位后，力晶、瑞晶、茂德等再轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程，其中瑞晶轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的進(jìn)度會(huì)最快，日前已正式試產(chǎn)成功。