爾必達(dá)

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聯(lián)電TSV 3D IC技術(shù)

連于慧聯(lián)電和記憶體大廠爾必達(dá)(Elpida)、記憶體模組大廠金士頓(Kingston)封測廠力成于2010年6月共同宣布協(xié)力開發(fā)3D IC技術(shù)和矽穿孔(Through Silicon Vias;TSV)制程技術(shù)，借著聯(lián)電的邏輯制程技術(shù)，加上爾必達(dá)記憶體制

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2011-04-07

聯(lián)電 IC 晶片爾必達(dá)
聯(lián)電5.61億買下宏寶機(jī)器設(shè)備內(nèi)化3D IC技術(shù)團(tuán)隊(duì)

連于慧／臺北聯(lián)電6日宣布將以新臺幣5.61億元金額，買回旗下轉(zhuǎn)投資宏寶科技的機(jī)器設(shè)備，逐漸完成將宏寶并入聯(lián)電內(nèi)部研發(fā)團(tuán)隊(duì)的目標(biāo)。由于宏寶從事3D IC技術(shù)，聯(lián)電在2010年中才宣布與記憶體大廠和爾必達(dá)(Elpida)合作開

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2011-04-07

制程技術(shù) 聯(lián)電 IC 爾必達(dá)
瑞薩和爾必達(dá)等日本半導(dǎo)體廠商著手恢復(fù)生產(chǎn)

東日本大震災(zāi)的受災(zāi)范圍較大，再加上核電站受災(zāi)以及隨之而來的計(jì)劃停電的影響，產(chǎn)業(yè)復(fù)興用生產(chǎn)設(shè)備的受災(zāi)情況的把握及恢復(fù)生產(chǎn)花費(fèi)了不少時(shí)間。但近日供應(yīng)電子產(chǎn)業(yè)核心部件的半導(dǎo)體廠商宣布恢復(fù)生產(chǎn)和確保產(chǎn)品供應(yīng)的

半導(dǎo)體
2011-04-03

半導(dǎo)體廠商富士通 TECHNOLOGY 爾必達(dá)
震后韓系半導(dǎo)體廠受益日系廠受制約

日本2011年3月11日下午發(fā)生9.0級強(qiáng)震，雖然日系兩大存儲器廠東芝(Toshiba)和爾必達(dá)(Elpida)工廠并不在直接災(zāi)區(qū)附近，但仍對于整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生巨大影響。震央附近的巖手縣，其半導(dǎo)體廠包括東芝、富士通、索尼等，其中

半導(dǎo)體
2011-03-28

半導(dǎo)體東芝 NANDFLASH 爾必達(dá)
已觸底爾必達(dá)下月提高DRAM芯片價(jià)格

臺灣媒體報(bào)道，爾必達(dá)總裁兼CEO阪本幸雄日前表示，鑒于內(nèi)存市場供需將趨于平衡，他們計(jì)劃在3月初提升DRAM芯片價(jià)格。阪本幸雄還舉例稱，2Gb DDR3芯片將從現(xiàn)在的2.10美元增長到2.30-2.50美元。他反復(fù)強(qiáng)調(diào)了自己

顯示光電
2011-03-27

內(nèi)存市場 DDR3 DRAM芯片爾必達(dá)
左右DRAM廠商排名的重要因素

根據(jù)過去、現(xiàn)在及未來的表現(xiàn)，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強(qiáng)。這項(xiàng)新的分析考慮了四個(gè)因素：DRAM廠商的現(xiàn)金余額，銷售現(xiàn)金比率，總體市場份額和產(chǎn)品組合實(shí)力。綜合考慮這些因素，韓國三星名列

消費(fèi)電子
2011-03-21

DRAM 美光海力士爾必達(dá)
四個(gè)因素決定DRAM八大廠商排名

據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，根據(jù)過去、現(xiàn)在及未來的表現(xiàn)，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強(qiáng)?！　? 這項(xiàng)新的分析考慮了四個(gè)因素：DRAM廠商的現(xiàn)金余額，銷售現(xiàn)金比率，總體市場份額和產(chǎn)品組合實(shí)

智能硬件
2011-03-21

DRAM 美光海力士爾必達(dá)
四個(gè)重要因素決定DRAM八大廠商排名

據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，根據(jù)過去、現(xiàn)在及未來的表現(xiàn)，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強(qiáng)。這項(xiàng)新的分析考慮了四個(gè)因素：DRAM廠商的現(xiàn)金余額，銷售現(xiàn)金比率，總體市場份額和產(chǎn)品組合實(shí)力。綜

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2011-03-18

DRAM 美光海力士爾必達(dá)
電力恢復(fù)供應(yīng) 爾必達(dá)秋田封測廠已重啟生產(chǎn)

日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)16日于日股盤后發(fā)布新聞稿宣布，受311東北大地震影響而停工的日本國內(nèi)封測廠“秋田爾必達(dá)”因供電已階段性恢復(fù)，故已于16日重啟生產(chǎn)。爾必達(dá)表示，“秋田爾必達(dá)”生產(chǎn)設(shè)備雖未因地震而受

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2011-03-17

DRAM 電力供電爾必達(dá)
日本限電力成替爾必達(dá)代工

全球記憶體大廠爾必達(dá)考量日本限電措施恐影響生產(chǎn)，有意將秋田封測廠委由合作伙伴力成（6239）代工，日本震災(zāi)后，力成可望會是半導(dǎo)體后段業(yè)界率先接獲封測轉(zhuǎn)單的廠商。封測類股昨股價(jià)慘綠，力成遭外資法人賣超5千多張

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2011-03-16

晶圓廠金士頓 NAND 爾必達(dá)
《日震半導(dǎo)體》記憶體報(bào)價(jià)看漲/封測廠利弊參半

日本發(fā)生史上最大地震，也讓當(dāng)?shù)氐陌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)為之受創(chuàng)，以記憶體而言，兩大記憶體大廠爾必達(dá)與東芝旗下最大12寸晶圓廠雖離震央遙遠(yuǎn)，不過依舊還是受到波及，可以預(yù)料的是，短期之內(nèi)，包括DRAM以及NAND Flash價(jià)格都將

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2011-03-14

半導(dǎo)體東芝 Flash 爾必達(dá)
半導(dǎo)體投資兩極化

韓國媒體披露，韓國半導(dǎo)體業(yè)者2010年?duì)I收成績亮眼，2011年也將積極進(jìn)行投資計(jì)劃。相對的，日本及臺灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉(zhuǎn)為保守。在半導(dǎo)體事業(yè)上，投資規(guī)模與微細(xì)制程的進(jìn)展及價(jià)格競爭力等息息相

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-03-14

半導(dǎo)體 DRAM 海力士爾必達(dá)
改善獲利　爾必達(dá)擬將Mobile DRAM營收比重提高至5成

智能型手機(jī)等產(chǎn)品用MobileDRAM營收占日廠爾必達(dá)(Elpida)整體營收的比重可望在2010會計(jì)年度第4季(2011年1~3月)拉高至5成左右。在PC等產(chǎn)品用標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格低迷之際，提高M(jìn)obileDRAM營收比重將有助于其改善獲利情況。據(jù)

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2011-03-08

DRAM LED MOBILE 爾必達(dá)
爾必達(dá)：希望分文不花整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚(yáng)揚(yáng)多時(shí)，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄首度吐露真心話表示，假如臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進(jìn)入集成及合并階段，爾必達(dá)并不希望花任何1毛錢，希望能用股權(quán)交換方式來進(jìn)行，若能集成成功，爾必

半導(dǎo)體
2011-03-03

DRAM 集成存儲器爾必達(dá)
瑞晶為爾必達(dá)試產(chǎn)移動DRAM芯片

爾必達(dá)總裁兼CEO阪本幸雄上周表示，瑞晶電子將在今年5月份使用爾必達(dá)工藝設(shè)計(jì)試產(chǎn)移動DRAM（mobile DRAM）芯片產(chǎn)品。阪本幸雄稱，為了滿足日益增長的移動DRAM需求，旗下子工廠瑞晶計(jì)劃在三季度開始為其量產(chǎn)移動DRAM

消費(fèi)電子
2011-03-02

移動 MOBILE DRAM芯片爾必達(dá)
瑞晶下季度為爾必達(dá)試產(chǎn)移動DRAM芯片

臺灣媒體報(bào)道，爾必達(dá)總裁兼CEO阪本幸雄上周表示，瑞晶電子將在今年5月份使用爾必達(dá)工藝設(shè)計(jì)試產(chǎn)移動DRAM（mobileDRAM）芯片產(chǎn)品。阪本幸雄稱，為了滿足日益增長的移動DRAM需求，旗下子工廠瑞晶計(jì)劃在三季度開始為其

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2011-03-01

移動 LED DRAM芯片爾必達(dá)
爾必達(dá)希望分文不花用股權(quán)交換方式整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚(yáng)揚(yáng)多時(shí)，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄首度吐露真心話表示，假如臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進(jìn)入集成及合并階段，爾必達(dá)并不希望花任何1毛錢，希望能用股權(quán)交換方式來進(jìn)行，若能集成成功，爾必

智能硬件
2011-03-01

DRAM 集成存儲器爾必達(dá)
庫存逐漸消化爾必達(dá)擬調(diào)漲3月DRAM報(bào)價(jià)

日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)的臺灣存托憑證(TDR)即將于25日，以每股新臺幣21.3元掛牌，預(yù)計(jì)籌得42.6億元資金，社長坂本幸雄在24日掛牌前法說會中指出，看好3月DRAM價(jià)格可逐漸上漲，爾必達(dá)也計(jì)劃在3月初調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)

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2011-02-28

DRAM 存儲器 GB 爾必達(dá)
爾必達(dá)稱發(fā)行臺灣存托憑證融資1.45億美元

北京時(shí)間2月24日晚間消息，日本芯片制造商爾必達(dá)(ElpidaMemory)周四宣布，已通過發(fā)行臺灣存托憑證(TDR)融資42億新臺幣(約合1.45億美元)。爾必達(dá)總裁兼CEO坂本幸雄(YukioSakamoto)稱，這筆資金將主要用于開發(fā)和生產(chǎn)20

半導(dǎo)體
2011-02-27

DRAM 移動芯片 iOS 爾必達(dá)
加強(qiáng)3D芯片設(shè)計(jì)制造能力宏寶科技被正式并入聯(lián)電研發(fā)部門

聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技，將宏寶的3D芯片技術(shù)團(tuán)隊(duì)移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場預(yù)期，未來3DIC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點(diǎn)產(chǎn)品，拉近與臺積電的距離，亦可望對爾必達(dá)、力成合作案有加分作用。聯(lián)電則表示

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2011-02-25

芯片設(shè)計(jì) 3D芯片聯(lián)電爾必達(dá)

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聯(lián)電TSV 3D IC技術(shù)

聯(lián)電5.61億買下宏寶機(jī)器設(shè)備內(nèi)化3D IC技術(shù)團(tuán)隊(duì)

瑞薩和爾必達(dá)等日本半導(dǎo)體廠商著手恢復(fù)生產(chǎn)

震后韓系半導(dǎo)體廠受益日系廠受制約

已觸底爾必達(dá)下月提高DRAM芯片價(jià)格

左右DRAM廠商排名的重要因素

四個(gè)因素決定DRAM八大廠商排名

四個(gè)重要因素決定DRAM八大廠商排名

電力恢復(fù)供應(yīng) 爾必達(dá)秋田封測廠已重啟生產(chǎn)

日本限電力成替爾必達(dá)代工

《日震半導(dǎo)體》記憶體報(bào)價(jià)看漲/封測廠利弊參半

半導(dǎo)體投資兩極化

改善獲利　爾必達(dá)擬將Mobile DRAM營收比重提高至5成

爾必達(dá)：希望分文不花整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

瑞晶為爾必達(dá)試產(chǎn)移動DRAM芯片

瑞晶下季度為爾必達(dá)試產(chǎn)移動DRAM芯片

爾必達(dá)希望分文不花用股權(quán)交換方式整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

庫存逐漸消化爾必達(dá)擬調(diào)漲3月DRAM報(bào)價(jià)

爾必達(dá)稱發(fā)行臺灣存托憑證融資1.45億美元

加強(qiáng)3D芯片設(shè)計(jì)制造能力宏寶科技被正式并入聯(lián)電研發(fā)部門

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