爾必達(dá)

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爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NANDFlash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。據(jù)悉，爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司（TIMC）

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2010-07-20

Flash NAND 研發(fā)中心爾必達(dá)
爾必達(dá)計劃削減債務(wù)并收購資產(chǎn)

由于電腦行業(yè)復(fù)蘇推動全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達(dá)扭虧為盈，因此該公司計劃削減債務(wù)，并購買資產(chǎn)。負(fù)責(zé)管理財務(wù)和會計事務(wù)的爾必達(dá)高管TakehiroFukuda說：“我們將尋求包括并購和合作在內(nèi)的各種機(jī)會?！彼?/p>
半導(dǎo)體
2010-07-09

內(nèi)存電腦 RATIO 爾必達(dá)
爾必達(dá)發(fā)布首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM

爾必達(dá)內(nèi)存發(fā)布了首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戲機(jī)及個人電腦的圖形處理用途之外，還面向科學(xué)計算、物理模擬及數(shù)字圖像處理等的GPU（圖形處理器）用途。將

智能硬件
2010-06-29

DRAM 奇夢達(dá) GB 爾必達(dá)
爾必達(dá)宣布50nm制程2GbGDDR5顯存開發(fā)完成

日本爾必達(dá)公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達(dá)設(shè)在德國慕尼黑的設(shè)計中心開發(fā)完成的。爾必達(dá)表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm2GbGDDR5顯存樣片，而這款

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2010-06-25

顯存 DDR GB 爾必達(dá)
茂德63納米試產(chǎn)成功將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計8月開始會大量導(dǎo)入63納米制程，年底前拉至3.5萬片水平，同時預(yù)計在2011年下半導(dǎo)入45納米制程，屆時考慮將12寸晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬片

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2010-06-23

晶圓廠 PC MOBILE 爾必達(dá)
茂德63納米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計8月開始會大量導(dǎo)入63納米制程，年底前拉至3.5萬片水平，同時預(yù)計在2011年下半導(dǎo)入45納米制程，屆時考慮將12寸晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬片

電子設(shè)計自動化
2010-06-23

晶圓廠 PC MOBILE 爾必達(dá)
聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片

據(jù)悉，臺灣代工廠聯(lián)電(UMC)計劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺灣力成

消費電子
2010-06-23

芯片聯(lián)電 3D堆疊爾必達(dá)
聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交*持股進(jìn)行

邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場，聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布；值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來第2階段考慮以交*持股的方式，讓雙方的

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2010-06-22

存儲器摩爾定律聯(lián)電爾必達(dá)
爾必達(dá)將與聯(lián)華電子將研發(fā)新技術(shù)

「日本經(jīng)濟(jì)新聞」報導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)公司將與臺灣的聯(lián)華電子及力成科技共同研發(fā)最尖端的「銅硅穿孔（TSV）」加工技術(shù)。報導(dǎo)指出，半導(dǎo)體的微細(xì)化技術(shù)已快達(dá)到極限，將來的研發(fā)焦點聚焦在芯片的垂直堆棧技術(shù)。

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2010-06-22

DRAM CPU 聯(lián)華電子爾必達(dá)
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以

消費電子
2010-06-22

半導(dǎo)體聯(lián)電 IC 爾必達(dá)
聯(lián)電私募傳爾必達(dá)策略結(jié)盟

聯(lián)電昨日與爾必達(dá)、力成簽訂直通硅晶穿孔（TSV）技術(shù)合作開發(fā)合約，市場則再度傳出，爾必達(dá)將是聯(lián)電私募案引進(jìn)策略合作伙伴的口袋名單之一，且雙方未來不排除朝向交叉持股的合作方向進(jìn)行。唯聯(lián)電及爾必達(dá)對此一市場消

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2010-06-22

DRAM 聯(lián)電 DM 爾必達(dá)
聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計、制造與封裝等優(yōu)勢，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生

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2010-06-22

DRAM 聯(lián)電 IC 爾必達(dá)
聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長已經(jīng)趨緩

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2010-06-21

DRAM 聯(lián)電 IC 爾必達(dá)
簽訂3D IC技術(shù)合約蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場需求

力成董事長蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場需求自然會浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21

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2010-06-21

DRAM 聯(lián)電 IC 爾必達(dá)
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3DIC時代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏

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2010-06-21

內(nèi)存聯(lián)電 IC 爾必達(dá)
茂德63奈米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德宣布成功在中科12吋晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計8月開始會大量導(dǎo)入63奈米制程，年底前拉至3.5萬片水平，同時預(yù)計在2011年下半導(dǎo)入45奈米制程，屆時考慮將12吋晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬片

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2010-06-21

晶圓廠 PC MOBILE 爾必達(dá)
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作

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2010-06-21

DRAM 聯(lián)電 3D芯片爾必達(dá)
爾必達(dá)計劃在中國大陸和臺灣建廠

據(jù)國外媒體報道，爾必達(dá)總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時表示，該公司計劃在中國大陸和臺灣建廠，以滿足市場需求并減少稅收成本。阪本幸雄表示，爾必達(dá)必將進(jìn)軍中國市場，該公司最早將于2012年與一家臺灣芯片制造商

半導(dǎo)體
2010-06-11

芯片制造商存儲芯片 DRAM芯片爾必達(dá)
爾必達(dá)中國大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火

繼三星電子(SamsungElectronics)宣布巨額資本支出計畫后，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄亦表示，最快將在2012年前與臺系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房，并將邀請大陸政府官方入股。業(yè)界推測爾必達(dá)落腳之處有兩個選項，其一是茂

消費電子
2010-06-10

DRAM 存儲器晶圓廠爾必達(dá)
探討爾必達(dá)存儲器項目的可行性

日前傳聞爾必達(dá)可能牽手臺灣茂德來中國建存儲器廠，引起業(yè)界興趣。如今不管項目成與否？作些準(zhǔn)備還是十分有必要的。爾必迖在中國建廠的目的爾必達(dá)社長坂本幸雄是個有野心之人，誓言要與三星爭個高低，作全球存儲器第

智能硬件
2010-06-10

三星存儲器爾必達(dá)

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爾必達(dá)

爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

爾必達(dá)計劃削減債務(wù)并收購資產(chǎn)

爾必達(dá)發(fā)布首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM

爾必達(dá)宣布50nm制程2GbGDDR5顯存開發(fā)完成

茂德63納米試產(chǎn)成功將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德63納米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片

聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交*持股進(jìn)行

爾必達(dá)將與聯(lián)華電子將研發(fā)新技術(shù)

聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

聯(lián)電私募傳爾必達(dá)策略結(jié)盟

聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

簽訂3D IC技術(shù)合約蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場需求

聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

茂德63奈米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

爾必達(dá)計劃在中國大陸和臺灣建廠

爾必達(dá)中國大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火

探討爾必達(dá)存儲器項目的可行性

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