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能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案
工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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精確測量功率MOSFET的導通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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精確測量功率MOSFET的導通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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電源開關設計基礎
作者：Philippe Pichot，德州儀器 (TI) 戰(zhàn)略市場營銷經理電源開關的使用較為復雜，甚至讓大多數電子產品設計人員都感到困惑，特別是對那些非電源管理專家而言。在各種各樣的應用中，例如：便攜式電子產品、消費類電子
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Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。中國電子成就獎的功率器件/電壓轉換器產品年
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對話Vishay:闊步創(chuàng)新50年，如何以專注贏得競爭優(yōu)勢？
Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰由于需求和工藝的發(fā)展，很多半導體公司創(chuàng)立之初的業(yè)務經過多年的發(fā)展后總會發(fā)生很大變化，不過，有一家公司卻是個例外，50年前，FelixZandman博士創(chuàng)立了Vishay公司，生產高精密電
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對話Vishay:闊步創(chuàng)新50年，如何以專注贏得競爭優(yōu)勢？
Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰由于需求和工藝的發(fā)展，很多半導體公司創(chuàng)立之初的業(yè)務經過多年的發(fā)展后總會發(fā)生很大變化，不過，有一家公司卻是個例外，50年前，FelixZandman博士創(chuàng)立了Vishay公司，生產高精密電
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威世展示豐富產品線 總部慶50歲生日
2月23下午，威世（Vishay）于深圳會展中心一號館舉行的IIC China 2012上展示該公司最新的業(yè)內領先的解決方案，Vishay亞洲區(qū)市場開發(fā)總監(jiān)Y.C. Yang（楊益彰）就距離傳感器在便攜式電子產品中的應用范圍做報告。與此同
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羅姆推出超低導通電阻的高耐壓功率MOSFET R5050DNZ0C9
21ic訊 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現了業(yè)內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本產品采用散熱
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瑞薩電子推出低功耗P通道MOSFET
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管（MOSFET）系列產品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級電池的充電控制開關和與
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特瑞仕半導體推出LDO電壓調整器XC6603/XC6604
21ic訊 特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對應0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調整器XC6603/XC6604 系列產品。XC6603/XC6604系列產品是能從低電壓0.5V開始工作的低導通電阻1A高速LDO電壓調整器XC6602的
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特瑞仕半導體推出LDO電壓調整器XC6603/XC6604
21ic訊 特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對應0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調整器XC6603/XC6604 系列產品。XC6603/XC6604系列產品是能從低電壓0.5V開始工作的低導通電阻1A高速LDO電壓調整器XC6602的
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大功率VDMOS(200V)的設計研究
功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件，在微電子工藝基礎上實現電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來，電力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的設計研究
功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件，在微電子工藝基礎上實現電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來，電力MOSFET得到
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開關電源的開關損耗
基于電感的開關電源（SM-PS）包含一個功率開關，用于控制輸入電源流經電感的電流。大多數開關電源設計選擇MOSFET作開關（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。 MOSFET完全打開時的導
