-
大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進(jìn)行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
-
大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進(jìn)行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
-
Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機(jī)及平板計算機(jī)等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
-
Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機(jī)及平板計算機(jī)等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
-
Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
-
羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
-
羅姆推出導(dǎo)通電阻值Max0.5mΩ的跳線電阻器
21ic訊 羅姆株式會社開發(fā)出導(dǎo)通電阻值降低到Max0.5mΩ、同時使額定電流大幅提高的超低阻值跳線電阻器“PMR跳線系列”。本產(chǎn)品已經(jīng)開始提供樣品（樣品價格：20日元/個），并于9月份起以月產(chǎn)1000萬個的
-
羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
-
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
-
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
-
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
-
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
-
Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。新款SiB437EDK
-
為便攜應(yīng)用選擇合適的低成本USB開關(guān)
USB已經(jīng)成為PC與外備進(jìn)行通信的最通用標(biāo)準(zhǔn)。鍵盤、打印機(jī)、網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備、移動電話、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)和游戲機(jī)等設(shè)備都可以通過USB接口與PC連接起來。USB應(yīng)用廠商論壇(USB-IF)為USB設(shè)立了標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)備必須通過嚴(yán)格的測試后才能獲得USB認(rèn)證。
-
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET
21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種
-
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET
21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種
-
車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動
-
車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動
-
40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重
-
40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重
