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ROHM開發(fā)出比以往產品小50％的世界最小晶體管“VML0604”
不僅實現更低導通電阻，還非常有助于智能手機和可穿戴式設備的小型化與高性能化21ic訊—日本知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)近日面向智能手機和可穿戴式設備等各種要求小型和薄型的電子設備，開發(fā)出世界
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ROHM開發(fā)出比以往產品小50％的世界最小晶體管“VML0604”
~不僅實現更低導通電阻，還非常有助于智能手機和可穿戴式設備的小型化與高性能化~21ic訊 日本知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)近日面向智能手機和可穿戴式設備等各種
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Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術的通過AEC-Q101認證的最新MOSFET
采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q1
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Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術
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Vishay推出具有業(yè)內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有業(yè)內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動計算21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內最低
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Vishay推出業(yè)內最小-20V P溝道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動計算，在4.5V下導通電阻低至8.0mΩ21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款
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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內最低導通電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出
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SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成
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德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導通電阻
小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源，延長電池使用壽命21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。
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東芝推出業(yè)界最低的導通電阻負荷開關集成電路
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出內嵌反向電流阻隔電路[1]的負荷開關集成電路，該集成電路提供業(yè)內最低的[3]導通電阻，即18.4mΩ[2]。這些集成電路可作為智能手機、平板電腦、超極本(Ultrabo
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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容
21ic訊 低導通電阻可減少移動設備的傳導損失東芝公司宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現了低導
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東芝推出650V系統(tǒng)超級結MOSFET“DTMOS IV”系列
實現頂級1低導通電阻性能東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超級結MOSFET“DTMOS IV”系列650V設備。作為該系列的首款產品，“TK14A65W&rdq
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東芝擴大用于基站和服務器的功率MOSFET陣容
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖低導通電阻和高速交換性能。主要功能1
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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容
低導通電阻可減少移動設備的傳導損失21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設備鋰離子電池和功率管理開關專用保護電路中使用
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東芝擴大用于基站和服務器的功率MOSFET陣容
推出擁有頂尖[1]低導通電阻性能和高速交換性能的60V產品東芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品
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MOS管使用掃盲
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允
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CMOS基礎知識
MOS管介紹在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，一般都要考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應用的為增
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IR推出40V汽車級COOLiRFET TM 為重載應用提供基準導通電阻以提升系統(tǒng)效率
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出汽車級COOLiRFET ® MOSFET系列，為重載應用提供基準導通電阻 (Rds(on))，這些應用包括電動助力轉向
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東芝推出600V系統(tǒng)超級結MOSFET DTMOSIV高速二極管系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系統(tǒng)超級結(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導通電阻(RON•A)較現有產
