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東芝推出100V低導(dǎo)通電阻N溝道功率MOSFET
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低導(dǎo)通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產(chǎn)品采用最新的溝道MOS工藝打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK55S10N1”的導(dǎo)通電阻較低，搭載以最
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IR 推出具有基準導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)效率
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括11
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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整流二極管與穩(wěn)壓二極管有何異同
二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很小；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因為二極管具有上述特性，電路中常把它用在整流、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點就是
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Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vi
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如何選擇模擬開關(guān)
標簽：模擬 電子 IT 電路模擬開關(guān)和多路轉(zhuǎn)換器的作用主要是用于信號的切換。目前集成模擬電子開關(guān)在小信號領(lǐng)域已成為主導(dǎo)產(chǎn)品，與以往的機械觸點式電子開關(guān)相比，集成電子開關(guān)有許多優(yōu)點，例如切換速率快、無抖動、耗
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高品質(zhì)管理使LED驅(qū)動更高效可靠
導(dǎo)讀：為LED驅(qū)動提供高效可靠的電源轉(zhuǎn)換方案，如將TV中的AC-DC電源轉(zhuǎn)換與LED驅(qū)動整體考慮，提供完整的解決方案;為了獲得較高的系統(tǒng)效率并解決散熱問題，必須要求低導(dǎo)通電阻
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高品質(zhì)管理使LED驅(qū)動更高效可靠
導(dǎo)讀：為LED驅(qū)動提供高效可靠的電源轉(zhuǎn)換方案，如將TV中的AC-DC電源轉(zhuǎn)換與LED驅(qū)動整體考慮，提供完整的解決方案;為了獲得較高的系統(tǒng)效率并解決散熱問題，必須要求低導(dǎo)通電阻，但是LED燈條需要高壓驅(qū)動，高電壓、低導(dǎo)通
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CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號與數(shù)字控制的接口，近幾年，集成模擬開關(guān)的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導(dǎo)通電
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新能源市場已成為功率MOSFET強勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費類電子領(lǐng)域，且在一段時間內(nèi)將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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新能源市場已成為功率MOSFET強勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費類電子領(lǐng)域，且在一段時間內(nèi)將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET
21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管（超級結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這
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瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET
21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管（超級結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這
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新的SiA436DJ在1.2V的柵源電壓下就可以導(dǎo)通
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。新的SiA436DJ在4.5V
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
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IR推出采用TO-220 fullpak 封裝的車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
