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東芝推出100V低導通電阻N溝道功率MOSFET
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低導通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產品采用最新的溝道MOS工藝打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產品“TK55S10N1”的導通電阻較低，搭載以最
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IR 推出具有基準導通電阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工業(yè)應用的系統效率
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應用包括11
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Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內最低的導通電阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內最低的導通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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整流二極管與穩(wěn)壓二極管有何異同
二極管的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很??；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極管具有上述特性，電路中常把它用在整流、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點就是
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Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vi
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如何選擇模擬開關
標簽：模擬 電子 IT 電路模擬開關和多路轉換器的作用主要是用于信號的切換。目前集成模擬電子開關在小信號領域已成為主導產品，與以往的機械觸點式電子開關相比，集成電子開關有許多優(yōu)點，例如切換速率快、無抖動、耗
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高品質管理使LED驅動更高效可靠
導讀：為LED驅動提供高效可靠的電源轉換方案，如將TV中的AC-DC電源轉換與LED驅動整體考慮，提供完整的解決方案;為了獲得較高的系統效率并解決散熱問題，必須要求低導通電阻
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高品質管理使LED驅動更高效可靠
導讀：為LED驅動提供高效可靠的電源轉換方案，如將TV中的AC-DC電源轉換與LED驅動整體考慮，提供完整的解決方案;為了獲得較高的系統效率并解決散熱問題，必須要求低導通電阻，但是LED燈條需要高壓驅動，高電壓、低導通
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CMOS模擬開關的選擇與典型應用
一、前言：早期的模擬開關大多工作于±20V 的電源電壓，導通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號與數字控制的接口，近幾年，集成模擬開關的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導通電
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新能源市場已成為功率MOSFET強勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費類電子領域，且在一段時間內將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產品開發(fā)領域，大多數廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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新能源市場已成為功率MOSFET強勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費類電子領域，且在一段時間內將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產品開發(fā)領域，大多數廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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瑞薩電子推出新款超級結MOSFET
21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管（超級結MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。這
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瑞薩電子推出新款超級結MOSFET
21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管（超級結MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。這
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新的SiA436DJ在1.2V的柵源電壓下就可以導通
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。新的SiA436DJ在4.5V
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能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案
工程師在為汽車電子設計電源系統時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體日前推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。即將面世的
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體日前推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。即將面世的
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IR推出采用TO-220 fullpak 封裝的車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統在內的各類汽車應用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器
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能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案
工程師在為汽車電子設計電源系統時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
