-
新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA4
-
業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道S
-
新型20V P溝道功率MOSFET （Vishay）
該器件在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了十億個(gè)晶體管單元 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣
-
為便攜式產(chǎn)品選擇合適的模擬開關(guān)
在便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，一直以來，模擬開關(guān)主要作為音頻信號(hào)切換器使用。后來，隨著雙卡雙模手機(jī)的普及，模擬開關(guān)成了雙卡切換必備的選擇；最新的數(shù)字電視DVB，CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開關(guān)。那么選擇這些
-
OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)控制和快
-
下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
-
主動(dòng)“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸
全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強(qiáng)化散熱的LGA封裝中實(shí)現(xiàn)了極低的損耗。這些解決方案與傳統(tǒng)的主動(dòng)ORing技術(shù)相比節(jié)省了50％的空間。
-
OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)控制和快
-
下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
-
主動(dòng)“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸
全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強(qiáng)化散熱的LGA封裝中實(shí)現(xiàn)了極低的損耗。這些解決方案與傳統(tǒng)的主動(dòng)ORing技術(shù)相比節(jié)省了50％的空間。
-
便攜式產(chǎn)品中模擬開關(guān)的選擇要點(diǎn)
在便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，一直以來，模擬開關(guān)主要作為音頻信號(hào)切換器使用。后來，隨著雙卡雙模手機(jī)的普及，模擬開關(guān)成了雙卡切換必備的選擇；最新的數(shù)字電視DVB，CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開關(guān)。那么選擇這些開關(guān)時(shí)需要注意哪些設(shè)計(jì)問題呢？
-
數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實(shí)用的信號(hào)處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的信號(hào)時(shí)應(yīng)用。如果不能容納輸入信號(hào)振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
-
數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實(shí)用的信號(hào)處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的信號(hào)時(shí)應(yīng)用。如果不能容納輸入信號(hào)振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
-
數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實(shí)用的信號(hào)處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的信號(hào)時(shí)應(yīng)用。如果不能容納輸入信號(hào)振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
-
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來越迫切的問題。
-
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來越迫切的問題。
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來襲，填寫有獎(jiǎng)問卷
- STM32C0系列MCU新品來襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
