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600V、47A N溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導(dǎo)通電
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新型-30V P 溝道功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS
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面積最小厚度最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET ---Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減
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汽車用功率 MOSFET 專用系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 日前宣布拓展了針對低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。新的 MO
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三款新型500V N溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48
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新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率
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新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
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堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
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堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
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堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。 此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通
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MAX305精密雙低導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)電路圖
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MAX303精密雙低導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)電路圖
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具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭產(chǎn)品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個(gè)部件集成于一體，從而簡化子系統(tǒng)負(fù)載管理。采
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具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭產(chǎn)品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個(gè)部件集成于一體，從而簡化子系統(tǒng)負(fù)載管理。采
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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA4
