21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，并實現(xiàn)了頂尖低導通電阻和高速交換性能。

主要功能

1. 使用第八代低電壓溝槽結構，并實現(xiàn)了頂尖[1]低導通電阻

2. 實現(xiàn)了低內部柵極電阻和低柵極容量比(Cgd/Cgs)，這有助于防止自動開機現(xiàn)象。