半導(dǎo)體
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品英Pickering將在第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)展示最新半導(dǎo)體、汽車電子、航空航天和行業(yè)通用產(chǎn)品
第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)將于2023年11月5-10日在上海國家會(huì)展中心舉辦
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華為重大突破：5.5G關(guān)鍵技術(shù)測試全面完成
10月22日消息，在IMT-2020(5G)推進(jìn)組的組織下，華為已于9月11日率先完成5G-A全部功能測試。
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瑞識(shí)科技推動(dòng)紅光VCSEL多領(lǐng)域創(chuàng)新應(yīng)用并量產(chǎn)出貨超千萬顆
前言：隨著VCSEL技術(shù)和規(guī)?；慨a(chǎn)的成熟，如何尋找和拓展VCSEL的新的應(yīng)用領(lǐng)域，是國內(nèi)外VCSEL公司持續(xù)思考的問題。瑞識(shí)科技紅光VCSEL產(chǎn)品在教育領(lǐng)域、醫(yī)美領(lǐng)域和智能穿戴領(lǐng)域內(nèi)的突破案例，將瑞識(shí)科技推向了VCSEL領(lǐng)域創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)跑者的角色，也為如何開拓VCSEL的應(yīng)用提供了諸多啟發(fā)。
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常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？都具有什么功能？
常用的功率半導(dǎo)體器件主要有功率二極管、功率晶體管和功率模塊等。這些器件在現(xiàn)實(shí)生活中的應(yīng)用非常廣泛，如電源、照明、電力轉(zhuǎn)換等。本文將介紹這些常用功率半導(dǎo)體器件的原理、分類以及應(yīng)用領(lǐng)域。
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國產(chǎn)龍芯GPU也來了！明年交付流片 2025年獨(dú)顯上線
10月18日消息，據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，龍芯中科董辦工作人士表示，公司GPU系列產(chǎn)品均按計(jì)劃正常推進(jìn)。
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美國豁免后三星升級(jí)西安半導(dǎo)體工廠設(shè)備工藝
業(yè)內(nèi)消息，近日三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進(jìn)口美國芯片設(shè)備。知情人士透露三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。
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SEMl-e 2024第六屆深圳國際半導(dǎo)體展2024年6月召開，匯集800家企業(yè)參展
SEMl-e2024第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)，將于2024年6月26日-6月28日在深圳國際會(huì)展中心（寶安新館）4/6/8號(hào)館召開。
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美國確認(rèn)三星、SK海力士已獲無限期出口豁免
制程或者技術(shù)不先進(jìn)的，允許放行背后，必然帶來的是相關(guān)產(chǎn)品的傾銷，所以價(jià)格戰(zhàn)必不可少。
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華為手機(jī)單周國內(nèi)市占率排名第一：超越蘋果
10月17日消息，據(jù)中信建投近日發(fā)布的研報(bào)顯示，華為是9月以來增長勢頭最強(qiáng)的手機(jī)廠商，在W40(10月2日-10月8日)內(nèi)，華為手機(jī)的銷量份額增長至19.4%，位居市場第一。
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英飛凌收購超寬帶領(lǐng)域先鋒3db Access，進(jìn)一步強(qiáng)化其連接產(chǎn)品組合
【2023年10月17日，德國慕尼黑和瑞士蘇黎世訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布收購總部位于蘇黎世的初創(chuàng)企業(yè)3db Access AG(3db)。作為安全低功耗超寬帶(UWB)技術(shù)領(lǐng)域的先鋒，該公司如今已成為主要汽車品牌首選的IP供應(yīng)商。此次收購進(jìn)一步強(qiáng)化了英飛凌在安全智能訪問、精確定位和增強(qiáng)傳感方面的半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。英飛凌將 UWB 增加到其現(xiàn)有的連接產(chǎn)品陣容中，包括 Wi-Fi、藍(lán)牙/低功耗藍(lán)牙和以及NFC 解決方案。首批物聯(lián)網(wǎng)用例包括安全訪問和身份驗(yàn)證、精確位置跟蹤和室內(nèi)導(dǎo)航以及利用UWB雷達(dá)實(shí)現(xiàn)存在檢測。英飛凌將收購3db公司100% 的股份。雙方同意不透露交易金額。
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譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體GaN技術(shù)發(fā)布會(huì)，攜Super IDM模式推動(dòng)產(chǎn)業(yè)效率革命
2023年10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會(huì)展中心（寶安新館）正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì)，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)。
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英飛凌與東軟睿馳建立合作伙伴關(guān)系 深化汽車電子軟硬協(xié)同
【2023年10月16日，中國上海訊】英飛凌與東軟睿馳簽訂“汽車電子產(chǎn)業(yè)化合作伙伴協(xié)議”， 雙方將充分發(fā)揮各自領(lǐng)域的獨(dú)特優(yōu)勢，面向車規(guī)級(jí)市場提供更加完善的軟硬件一體解決方案，構(gòu)筑合作共贏的生態(tài)體系，助力車企在更加安全穩(wěn)定且實(shí)時(shí)可靠的開發(fā)環(huán)境中打造更多個(gè)性化的創(chuàng)新應(yīng)用，共同推動(dòng)更多智能車型的加速量產(chǎn)落地。
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繞過EUV光刻機(jī)技術(shù)！佳能開始銷售5nm芯片生產(chǎn)設(shè)備
10月14日消息，光刻機(jī)大廠佳能(Canon)公司近日通過新聞稿宣布，其已經(jīng)開始銷售基于“納米印刷”(Nanoprinted lithography)技術(shù)的芯片生產(chǎn)設(shè)備 FPA-1200NZ2C。佳能表示，該設(shè)備采用不同于復(fù)雜光刻技術(shù)的方案，可以制造5nm芯片。
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力促人才培養(yǎng)，東莞理工攜手泰克共建創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室
創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室融合了泰克科技先進(jìn)的測試儀器，包括高精度測試源表、新2系平板示波器、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器，結(jié)合課程內(nèi)容合作開發(fā)了適合《半導(dǎo)體物理》、《半導(dǎo)體器件》、《集成電路設(shè)計(jì)》、《LED技術(shù)及應(yīng)用》等課程的十余項(xiàng)專業(yè)實(shí)驗(yàn)和創(chuàng)新型實(shí)驗(yàn)，為學(xué)生提供了與產(chǎn)業(yè)和科研可無縫銜接的專業(yè)實(shí)驗(yàn)室。
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華為停止采購！高通宣布裁員超1300人：含大量工程師
10月13日消息，現(xiàn)在高通正式宣布，對(duì)旗下員工進(jìn)行調(diào)整，裁員人數(shù)超過1000人。
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美國再松開！又一芯片巨頭被豁免，但解禁有個(gè)條件
不知道是良心發(fā)現(xiàn)，還是利益考量，一向?qū)θA強(qiáng)硬的美國，居然放寬了芯片“禁令”。那么，此舉是否意味著將要喊停對(duì)華限制呢？
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AMD 收購人工智能初創(chuàng)公司競爭英偉達(dá)
業(yè)內(nèi)消息，美國半導(dǎo)體巨頭超微（AMD）本周日宣布將收購人工智能（AI）初創(chuàng)公司 Nod AI 來增強(qiáng)其在 AI 軟件方面的競爭力來與業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的英偉達(dá)進(jìn)行競爭，該筆交易的具體金額并沒有透露。
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英飛凌推出采用TOLx 封裝的全新車用60V和120V OptiMOS 5，適用于24 V-72 V 供電的大功率 ECU
【2023年10月11日，德國慕尼黑訊】交通系統(tǒng)的電氣化進(jìn)程正在不斷加快。除了乘用車外，兩輪車、三輪車和輕型汽車也越來越多實(shí)現(xiàn)了電氣化。因此，由24V-72V電壓驅(qū)動(dòng)的車用電子控制單元(ECU)市場預(yù)計(jì)將在未來幾年持續(xù)增長。英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)針對(duì)這一發(fā)展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導(dǎo)體產(chǎn)品，進(jìn)一步補(bǔ)充其OptiMOS? 5 系列60V至120V 車用MOSFET 產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品能以小巧外形提供出色的熱性能與卓越的開關(guān)性能。
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華為又公布新技術(shù)專利：緊急通話界面顯示位置
10月10日消息，據(jù)天眼查，10月10日，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)的“在緊急通話界面顯示當(dāng)前地理位置的方法及終端”專利公布。
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寬帶隙技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 不斷演變的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)
幾乎所有采用電氣控制、通信、電力、驅(qū)動(dòng)和傳感的技術(shù)系統(tǒng)都已實(shí)現(xiàn)了電氣化以及電氣連接。從20世紀(jì)50年代開始，硅 (Si) 一直是這項(xiàng)技術(shù)的核心元素。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，Si已經(jīng)成為一種用途極為廣泛的半導(dǎo)體。然而，Si在高功率、高頻率、高效率、抗輻射、低噪聲和光電能力等特定領(lǐng)域的應(yīng)用卻受到了限制。第三代半導(dǎo)體，尤其是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，提供了優(yōu)于Si的性能優(yōu)勢，這也證明了有必要花費(fèi)大量時(shí)間和精力來開發(fā)經(jīng)濟(jì)上可行的半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施和工藝。
