2023年10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。發(fā)布會由譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷主持，首次向行業(yè)展示了Super IDM產業(yè)集群的生態(tài)模式，帶來了氮化鎵半導體產業(yè)鏈的效率革命。實現(xiàn)了1.5年從建廠到中試線穩(wěn)定產能1.5萬片、7天外延至成品器件周期、量產平均良率85%、研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3的驚人成果。超過十多家媒體，多個地方政府招商團、數(shù)十個行業(yè)投資機構，幾十個上下游企業(yè)代表參與了該發(fā)布會。

發(fā)布會上，氮化鎵半導體產業(yè)奠基人之一的酒井士郎教授（譽鴻錦半導體總工）與觀眾分享氮化鎵（GaN）半導體技術的歷史沿革、現(xiàn)狀發(fā)展和未來機會。譽鴻錦提出“第三代化合物半導體憑借其顯著的性能特點，展示出在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領域具有廣泛的需求前景，且其器件生產工藝和技術也日趨成熟，但目前的市場普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有數(shù)量級差距”的行業(yè)現(xiàn)實問題。

在“如何實現(xiàn)更快、更大規(guī)模的氮化鎵應用推廣”這個關乎產業(yè)效率的問題上，譽鴻錦半導體通過回歸產業(yè)價值的本質，提出”產業(yè)價值 = 能效提升 - 替換成本 > 0“的解題思路，認為高性能是推動應用創(chuàng)新的動力，而低成本則是推動應用普及的基礎。目前行業(yè)現(xiàn)狀是，全球諸多廠商都在積極推進氮化鎵技術應用的普及，其中海外廠商更多的策略重心是高性能器件的應用，國內廠商則更多是通過常規(guī)器件的低成本來推廣氮化鎵應用。

從材料成本來說氮化鎵（GaN）器件并不會比硅基器件昂貴。譽鴻錦認為氮化鎵滲透率依然低的原因，并不是很多人所認為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導致成本均攤困難。因為規(guī)模是結果而并非原因，本質問題出現(xiàn)在產業(yè)效率上，只有把系統(tǒng)效率提升，才能用更低的成本推動器件的大規(guī)模應用。只有從第一性原理出發(fā)，搞清楚氮化物半導體的材料原理才能實現(xiàn)正向的研發(fā)和工藝，也就是我們俗說的KNOW HOW，這樣才能把器件研發(fā)效率提升，同時還需要掌握設備的優(yōu)化能力來配合器件的制造需求，把良率提升，生產效率提升，也減少后期分選封測的工作量，再通過對工藝制程的理解來實現(xiàn)核心設備的國產替代和自研，進一步降低產線的成本，并最終通過全流程IDM集成的方式減少過程中的時間成本和經濟成本的損耗。最終實現(xiàn)匹敵于硅器件的產業(yè)鏈效率和成本。

為此譽鴻錦半導體在創(chuàng)立之初，就組建產業(yè)奠基人級的技術團隊，其首席科學家邵春林博士為現(xiàn)場觀眾分享自己作為中國最早開展氮化鎵技術研發(fā)和產業(yè)化的歷史，參與開發(fā)了最早的MOCVD設備，以及參與主導了譽鴻錦半導體的規(guī)劃與建設和技術創(chuàng)新。并展示了譽鴻錦目前實現(xiàn)的極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準可控的載流子調控等自主關鍵技術能力。并具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術矩陣，和功率電子、激光與顯示、射頻全產品能力。體現(xiàn)了譽鴻錦強大的基于KNOW HOW的正向研發(fā)能力，可以根據(jù)目標需求，自由選擇甚至開拓新的技術路線，并實現(xiàn)快速制樣和驗證，直至導入量產。

憑借85%平均量產良率獲得高一致性器件，高集成度IDM-7天制造周期、高研發(fā)效率使時間縮短2/3，自研設備和設備國產化使成本降低2/3，終端應用產業(yè)群集成，譽鴻錦實現(xiàn)了“產業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM整合 x 高研發(fā)效率 x 設備降本 x 快速應用驗證”。現(xiàn)場播放的工廠全線實拍視頻，展示了譽鴻錦在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設備產線，并第一次提出了包括設備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術服務體系群以及終端產品應用生態(tài)鏈的Super IDM產業(yè)集群概念，即“Super IDM產業(yè)集群 = 上游設備材料 + IDM + 終端技術應用 + 零售服務生態(tài)鏈”。基于該產業(yè)集群的深度耦合，實現(xiàn)上游設備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應用終端快速導入和批量驗證，實現(xiàn)推動氮化鎵產業(yè)快速普及的產業(yè)目標。

在產品發(fā)布環(huán)節(jié)，譽鴻錦發(fā)布了從100V-650V-900~1200V的全功率段器件，能應用于多種電力電子領域。其中包括行業(yè)首個氮化鎵SBD器件，以及900V藍寶石基氮化鎵晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關注。憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規(guī)格實現(xiàn)全場景需求和優(yōu)勢成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動氮化鎵器件全面普及，以實現(xiàn)譽鴻錦“用氮化鎵半導體改變每個人的生活”的產業(yè)理想。該環(huán)節(jié)也一并發(fā)布了業(yè)務和代理招商合作意向。

在現(xiàn)場簽約環(huán)節(jié)，譽鴻錦半導體分享了其更多的產業(yè)理想——樹立高效率產業(yè)化標桿，為中國半導體產業(yè)引入和培養(yǎng)更多行業(yè)人才，加快推進技術產業(yè)化?，F(xiàn)場與行業(yè)top的應用型大學“東莞理工”國際微電子學院就共建人才培養(yǎng)和產業(yè)共創(chuàng)平臺項目簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議；同時，也同“大族激光”旗下的“大族機器人”簽署了氮化鎵電機研發(fā)與應用的產業(yè)合作戰(zhàn)略協(xié)議。

最后，譽鴻錦團隊就記者所關心的各類問題接受了采訪和解答。并和意向的招商團隊、投資機構和上下游合作開展了互動。后續(xù)譽鴻錦將啟動媒體開放日活動，邀請前往撫州工廠，參觀和了解國內良率最高、效率最高的IDM產線。

從發(fā)布會現(xiàn)場的火爆人數(shù)和觀眾的熱烈反響可以看出，譽鴻錦半導體此次氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會取得圓滿成功。