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譽鴻錦半導體GaN技術(shù)發(fā)布會，攜Super IDM模式推動產(chǎn)業(yè)效率革命
2023年10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。
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混合動力汽車的功率器件和管理方面需面臨哪些挑戰(zhàn)？
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。
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自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
泰克在最近的文章“自動執(zhí)行WBG器件的雙脈沖測試”中探討了如何通過對SiC和GaN功率器件等寬帶隙器件自動執(zhí)行雙脈沖測試，從而顯著縮短設(shè)置和分析時間。
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助力SiC功率半導體國產(chǎn)化替代，美浦森和泰克攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作共贏
兩年前，泰克交付給美浦森半導體一套DPT1000A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，這是泰克在華南交付的首臺DPT1000A。這套SiC功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā)，專門用于三代半導體功率器件的動態(tài)特性分析測試，助力全球碳化硅MOSFET領(lǐng)先生產(chǎn)商美浦森及其客戶、合作伙伴加速創(chuàng)新進程、快速解決疑難問題。
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REASUNOS瑞森半導體超高壓MOS在輔助電源上的應用
輔助電源單開關(guān)反激式線路應用，推薦瑞森半導體超高壓MOS系列，800V-1500V的研發(fā)及量產(chǎn)，填補了國內(nèi)市場空白，打破了進口品牌壟斷的局面。
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REASUNOS瑞森半導體碳化硅二極管在大功率電源上的應用
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
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太陽能逆變器的優(yōu)化應用及如何設(shè)計？
近年來光伏發(fā)電在各國的普及和應用取得可觀的進展。作為電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，電力電子變換器對于光伏系統(tǒng)的整體性能與可靠性占有舉足輕重的地位。電力電子的設(shè)計對于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的整體效能具有舉足輕重的地位。最高的轉(zhuǎn)換效率永遠是系統(tǒng)設(shè)計工程師考慮的首要因素。
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ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC
通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%。
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實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家，這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義。
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TIF2023泰克創(chuàng)新論壇圓滿落幕，6大關(guān)鍵詞概括領(lǐng)先測試方案
日前，泰克科技以“啟智未來、測試為先”為主題的TIF2023年度大會圓滿落幕。本次大會圍繞半導體晶圓級測試、汽車電動化和智能化測試，聚焦6大關(guān)鍵詞，囊括了泰克近兩年的領(lǐng)先測試解決方案。
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矽電-泰克晶圓級探針測試測量聯(lián)合實驗室正式成立
構(gòu)筑國產(chǎn)化合物半導體功率器件測試驗證的能力基石！
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RS瑞森半導體系列產(chǎn)品在PD快充上的應用
PD快充市場瑞森半導體主推：碳化硅二極管、超結(jié)COOL MOS、低壓SGT MOS、低壓Trench MOS
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Navitas 在 GaN 半導體領(lǐng)域的設(shè)計之旅
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動汽車 (EV) 充電器到兆瓦級并網(wǎng)產(chǎn)品。
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下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開關(guān)頻率
傳統(tǒng)上，電源設(shè)計人員必須使用分立晶體管和多個外部元件(例如驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。
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SiC 與半導體垂直整合的復興，先進 SiC 解決方案的需求不斷增長
碳化硅 (SiC) 半導體在處理高功率和導熱方面比電動汽車 (EV) 系統(tǒng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施中的傳統(tǒng)硅更有效的能力現(xiàn)已得到廣泛認可。SiC 器件有助于更有效地將電力從電池傳輸?shù)?EV 系統(tǒng)組件中的電機，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。
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SiC 和 GaN：兩種半導體的故事以及以后發(fā)展的預測
在過去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來數(shù)十億美元的收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過 40 億美元。
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碳化硅 (SiC) 用于各種應用已有 100 多年的歷史,為什么SiC 突然流行起來
碳化硅 (SiC) 用于各種應用已有 100 多年的歷史。然而，如今半導體材料比以往任何時候都更受歡迎，這在很大程度上是由于其在工業(yè)應用中的使用。
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SiC 半導體功率器件對能源效率的重要性
電力電子新技術(shù)的發(fā)展已將工業(yè)市場引向其他資源以優(yōu)化能源效率。硅和鍺是當今用于生產(chǎn)半導體的兩種主要材料。損耗和開關(guān)速度方面的有限發(fā)展已將技術(shù)引向新的寬帶隙資源，例如碳化硅 (SiC)。
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RS瑞森半導體在PC電源上的應用
瑞森半導體高壓MOS系列，專有的功率MOS結(jié)構(gòu)，高溫特性優(yōu)良，滿足不同功率段PC電源需求
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
泰克科技推出的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)DPT1000A采用轉(zhuǎn)接板的方式，滿足了絕大多數(shù)封裝形式分立器件的測試需求。
