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功率器件

我要報(bào)錯(cuò)

  • 鉭電容器的優(yōu)點(diǎn)和器件最新發(fā)展，鉭電容產(chǎn)品操作指南

    鉭電容器為高密度、高性能電子電路的設(shè)計(jì)人員提供了性能穩(wěn)定的可靠高電容解決方案。鉭電容器歷來(lái)深受設(shè)計(jì)工程師的喜愛(ài)，廣泛用于大容量?jī)?chǔ)能、濾波和去耦等應(yīng)用。鉭電容器技術(shù)的進(jìn)步包括聚合物陰極系統(tǒng)的成熟，這帶來(lái)了更低的有效串聯(lián)電阻 (ESR)、封裝密度的顯著提高以及有效串聯(lián)電感 (ESL) 的降低。在這里，我們將研究這些發(fā)展對(duì)績(jī)效的影響。

  • RS瑞森半導(dǎo)體在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用

    瑞森RS40N130G型號(hào)及低壓MOSFET-SGT系列?在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用

  • 選擇功率 MOSFET 的簡(jiǎn)單指南

    鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來(lái)越小，使用可靠、一致的方法來(lái)選擇正確的 MOSFET 變得越來(lái)越重要。這種方法可以加快開(kāi)發(fā)周期，同時(shí)優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

  • 如何在我們的項(xiàng)目中選擇合適的 MOSFET 器件

    隨著為個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動(dòng)，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實(shí)變得更加復(fù)雜。當(dāng)我們添加其他控制損耗機(jī)制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電壓)時(shí)，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。

  • 關(guān)于氮化鎵實(shí)際使用的熱管理方面討論

    所以，我想說(shuō)這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或?yàn)楦吖β手谱鞣浅５偷?RDS (on) 部件。通過(guò)簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì)，它可以擴(kuò)展到低電壓，但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上認(rèn)為我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。

  • 多層外延工藝超結(jié)MOS在電源中的應(yīng)用

    瑞森超結(jié)mos對(duì)標(biāo)英飛凌產(chǎn)品性能，看其在電源中的應(yīng)用

  • 英領(lǐng)物聯(lián) | 成為“功率器件”的大滿貫選手

    從碳達(dá)峰到碳中和，無(wú)疑是需要付出艱苦努力的。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者們來(lái)說(shuō)，則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會(huì)在未來(lái)幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信，面對(duì)浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)，通過(guò)持續(xù)的材料、技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新，英飛凌將為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多低碳、高效的互聯(lián)解決方案。

  • 我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?

    我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來(lái)，我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車(chē)。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?

  • 氮化鎵技術(shù)討論，第二部分

    目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計(jì)的角度來(lái)看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說(shuō)有很多概念，遠(yuǎn)不止兩個(gè)，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強(qiáng)模式GaN。由于我的第一家公司，級(jí)聯(lián) GaN 實(shí)際上是第一個(gè)誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開(kāi)始開(kāi)發(fā)基于級(jí)聯(lián)的 GaN 解決方案時(shí)，我就在那里。

  • 氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

    氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力，因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄А⒏〉某叽?、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動(dòng)下一步的改進(jìn)。

  • 分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第四部分

    目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來(lái)，重點(diǎn)將放在開(kāi)發(fā)用于擴(kuò)大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為，未來(lái)未來(lái)，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場(chǎng)的很大一部分，很大一部分，可以說(shuō)是電動(dòng)汽車(chē)。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)這些市場(chǎng)滲透尤為重要。那么，高價(jià)格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來(lái)為下一個(gè)市場(chǎng)未來(lái)降低價(jià)格?

  • 分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第二部分

    如我們所知，目前增長(zhǎng)最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車(chē)提供模塊的長(zhǎng)期合同。

  • 分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第一部分

    在多個(gè)能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴(kuò)展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個(gè)能源行業(yè)擴(kuò)展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)和新能源等領(lǐng)域的重要性，許多公司正在評(píng)估和投資晶圓技術(shù)。在華威大學(xué) SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術(shù)。

  • 封裝、集成和快速切換：已經(jīng)取得了什么成就，下一步發(fā)展是什么？

    今天，由于該領(lǐng)域眾多公司的研究，功率器件已達(dá)到極高的效率水平。優(yōu)異的成績(jī)是由于不同電子和物理部門(mén)的協(xié)同作用，它們結(jié)合在一起，可以達(dá)到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實(shí)現(xiàn)非常高的效率，尤其是在高開(kāi)關(guān)速度下，從而積極利用所有可用功率。

  • GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

    從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車(chē)應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類(lèi)產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因?yàn)?GaN FET 的平滑開(kāi)關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽(tīng)噪聲更少。

  • 泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室在北京盛情開(kāi)幕，提供一站式、全方位測(cè)試服務(wù)

    這是全國(guó)首個(gè)企業(yè)級(jí)第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室！

  • GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本

    氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達(dá)3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第二部分

    在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，功率器件需要承受過(guò)載或故障條件，這些條件會(huì)造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動(dòng)器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件，之前將 1us 視為正常響應(yīng)時(shí)間。幾項(xiàng)關(guān)于 GaN HEMT 的研究報(bào)告了更短的 SCWT 時(shí)間，這被認(rèn)為是來(lái)自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時(shí)小于 500ns。

  • 博世創(chuàng)業(yè)投資公司投資致能科技，加速第三代半導(dǎo)體布局

    以高性能GaN器件應(yīng)對(duì)能源管理挑戰(zhàn)！

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機(jī)會(huì)以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強(qiáng)調(diào)每個(gè)方面的一些權(quán)衡。