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通過最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個(gè)令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們?cè)谄囆袠I(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們?cè)?GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術(shù)有一個(gè)硅無法比擬的優(yōu)勢(shì)。這就是將功率器件與信號(hào)和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
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垂直 GaN 技術(shù)：GaN 在橫向和縱向技術(shù)方面的主要技術(shù)差異
垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因?yàn)樗阌陔娏鲾U(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯(cuò)密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非常可取的，因?yàn)樗鼈兘Y(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場(chǎng)從表面移到半導(dǎo)體中)。
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垂直 GaN 技術(shù)：在哪些領(lǐng)域會(huì)有重大的技術(shù)擴(kuò)張機(jī)會(huì)？
垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場(chǎng)上找到解決方案?
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Onsemi：使用SIC等功率器件為碳中和做出的貢獻(xiàn)
為可再生能源提供動(dòng)力以創(chuàng)造更美好的明天，因此，不僅是 GaN 和 SiC 等寬帶隙半導(dǎo)體，還有圍繞電力電子、智能電網(wǎng)、微電網(wǎng)、宏觀電網(wǎng)、人工智能的多種技術(shù)，都將支持這種擴(kuò)展。我們作為技術(shù)社區(qū)和工程師的責(zé)任是采取行動(dòng)做某事，所以我們每個(gè)人都應(yīng)該邁出第一步。因此，我們不僅對(duì)個(gè)人負(fù)責(zé)，而且對(duì)組織負(fù)責(zé)。那么阻礙零碳和低碳能源更廣泛部署的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸是什么?你認(rèn)為生產(chǎn)太陽能電池板等的所謂稀有材料的競(jìng)爭(zhēng)?
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GaN在能源和電力市場(chǎng)已經(jīng)徹底改變了高功率應(yīng)用
到目前為止，我們已經(jīng)涉足能源和電力市場(chǎng)數(shù)十年，我們的目標(biāo)確實(shí)是為專注于電力轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能應(yīng)用的客戶提供支持，例如交通運(yùn)輸、可再生能源、重型工業(yè)機(jī)械。我們一直在全球范圍內(nèi)這樣做。所以我想說大約十年前，我們看到對(duì)更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導(dǎo)體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術(shù)的前沿。
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聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供應(yīng)鏈和成本
今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應(yīng)鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場(chǎng)都在增長。電動(dòng)汽車市場(chǎng)正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術(shù)用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認(rèn)可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。
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意法半導(dǎo)體推出具超強(qiáng)散熱能力的車規(guī)級(jí)表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT
2023 年 1 月 16日，中國——意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK? SMIT 封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導(dǎo)體先進(jìn)的ACEPACK? SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。
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碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試技術(shù)剖析
碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用，同時(shí)也對(duì)其動(dòng)態(tài)特性測(cè)試帶來了挑戰(zhàn)。
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飛虹微電子：功率器件客戶對(duì)國產(chǎn)廠商質(zhì)量要求更高
在工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，實(shí)際上客戶對(duì)國內(nèi)廠商的品質(zhì)要求往往比國外競(jìng)品更高。無論是采購，還是負(fù)責(zé)選型的工程師，選擇主流進(jìn)口品牌的產(chǎn)品都是風(fēng)險(xiǎn)最低的抉擇。因?yàn)檫x擇國產(chǎn)品牌，萬一出問題，相關(guān)負(fù)責(zé)人要承擔(dān)極大的問責(zé)。
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RS瑞森半導(dǎo)體之LLC方案設(shè)計(jì)有“理”可依
瑞森半導(dǎo)體照明方案利用LLC諧振電路工作原理構(gòu)成PFC電路，實(shí)現(xiàn)高PF(可高達(dá)0.99）和低THD(小于10%）兩個(gè)性能，節(jié)省APFC電路中所需要的芯片和PFC電感與MOS，極大減少了元件數(shù)量
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體提供不同功率的碳化硅二極管助力太陽能逆變器市場(chǎng)的發(fā)展
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT產(chǎn)品，具有參數(shù)一致性高、抗沖擊能力強(qiáng)等特點(diǎn)，為電動(dòng)車駕乘提供有力保障
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提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
本文介紹了提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法，希望能夠幫助工程師快速完成測(cè)試、獲得測(cè)試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時(shí)間和精力。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術(shù)選擇介紹和發(fā)展情況
最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢(shì)得以保留，并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt，這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術(shù)選擇介紹
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場(chǎng)，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低，而動(dòng)態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
多款低壓MOS產(chǎn)品應(yīng)用在九陽小家電上，瑞森半導(dǎo)體堅(jiān)持“首件確認(rèn)，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長期合作伙伴
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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國內(nèi)市場(chǎng)空白
瑞森半導(dǎo)體研發(fā)出耐壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的900V-1500V的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面
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英飛凌的新建工廠計(jì)劃，擴(kuò)大功率器件的產(chǎn)能
英飛凌擴(kuò)展印度尼西亞后端站點(diǎn)以滿足汽車 IC 需求 作為其長期投資戰(zhàn)略的一部分，德國芯片制造商英飛凌科技表示，它計(jì)劃擴(kuò)大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)將于 2024 年開始生產(chǎn)。
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高溫對(duì)電氣設(shè)備的影響分析，電氣設(shè)備的熱分析
有沒有想過人們對(duì)電路過熱引起的電涌引起的爆炸以及電器損壞甚至火災(zāi)的后果的反應(yīng)?人們?cè)谏眢w、情感和心理上受到創(chuàng)傷的方式促使電力行業(yè)的專家將注意力集中在分析電力行為上。這樣，可以防止此類損壞，如果可能的話，可以通過適當(dāng)?shù)臒峁芾硐祟悡p壞。
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排名前 10 名開關(guān)和繼電器-繼電器器件
與開關(guān)一樣，繼電器也有多種形式，包括通用型、電源型、簧片型以及接觸器，它們旨在處理非常高的電流和電壓以及固態(tài)設(shè)備。
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