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[導讀]上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體),發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。該授權閃存技術具有單元尺寸

上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體),發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。

宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。該授權閃存技術具有單元尺寸小,編程效率高和無過度擦除的優(yōu)點,顯著減少了嵌入式閃存模塊的面積,在市場上極具競爭力。與此同時,此新技術具有極高的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持特性,可重復擦寫10萬次,數(shù)據(jù)可保留100年。

該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程,易于技術遷移。此兼容特性可確保讓客戶購買的標準單元庫和IP效益最大化,從而降低成本。

另外,宏力半導體針對SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件,因此可以節(jié)省光罩層數(shù)。

 “宏力正在進行獨立閃存芯片的大批量運行生產(chǎn),這使我們具有明顯的優(yōu)勢來確保穩(wěn)定可靠的嵌入式閃存良率?!焙炅?strong>半導體市場服務單位副總裁衛(wèi)彼得博士表示,“該新技術可廣泛應用于MCU、USB 密鑰、智能卡、汽車電子等領域,并為我們的客戶提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺。”

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