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愛發(fā)科在第4代玻璃底板上制成氧化物半導(dǎo)體TFT

時(shí)間：2010-03-19 10:19:00

關(guān)鍵字： TFT 半導(dǎo)體 AC 晶體管

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[導(dǎo)讀]愛發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個(gè)表面上制成了多個(gè)In-Ga-Zn-O（IGZO）透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體TFT（IGZO-TFT），并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個(gè)硅底板構(gòu)成，尺寸與第4代玻璃底板相當(dāng)。愛發(fā)科今后還計(jì)劃

愛發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個(gè)表面上制成了多個(gè)In-Ga-Zn-O（IGZO）透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體TFT（IGZO-TFT），并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個(gè)硅底板構(gòu)成，尺寸與第4代玻璃底板相當(dāng)。愛發(fā)科今后還計(jì)劃“確立一項(xiàng)新技術(shù)，即在相當(dāng)于第8代以后玻璃底板的2000mm見方以上的底板上形成IGZO-TFT”。該公司在第57屆應(yīng)用物理學(xué)相關(guān)聯(lián)合演講會（東海大學(xué)湘南校區(qū)，2010年3月17～20日）上公布了此次的成果（演講序號：17a-TL-5）。

愛發(fā)科此次在730mm×920mm底板的整個(gè)表面制成了6～25個(gè)IGZO-TFT，并測量了這些TFT的特性。制成的IGZO-TFT的柵長為0.1mm，柵寬為1mm，構(gòu)成材料方面，通道采用IGZO，柵極絕緣膜采用SiO2，源漏電極采用Al。IGZO通道成膜時(shí)采用了該公司此前用于大尺寸玻璃底板成膜的AC（交流）濺射法。IGZO成膜后，在400℃條件下進(jìn)行15分鐘的退火處理。

驗(yàn)證結(jié)果顯示，底板上的任何位置都可獲得出色的TFT特性。平均特性方面，載流子遷移率為7cm2/Vs，亞閾值（S值）為0.15mV/十位，導(dǎo)通/截止比為10。此外，愛發(fā)科還表示，IGZO成膜時(shí)采用的AC濺射法的經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性較高。據(jù)介紹，在同一靶材上堆積180μm厚IGZO膜前后，制成的IGZO-TFT的特性并沒有很大變化。另外，此次用于AC濺射法的靶材由愛發(fā)科內(nèi)部制造。

愛發(fā)科今后還考慮以支持更大尺寸的底板為目標(biāo)，在改進(jìn)AC濺射法及活性氣體導(dǎo)入法的同時(shí)，還將確立大尺寸靶材的制造方法。（記者：大下淳一）

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