消除碳化硅受限因素 硅晶圓鉆石切割2年內(nèi)普及
[導(dǎo)讀]太陽能硅晶圓切片因受限于碳化硅(Silicon Carbide)耗材受管制而缺貨的影響，近年來業(yè)者積極評(píng)估切晶部分導(dǎo)入鉆石切割(Diamond wire saw)制程。太陽能硅晶圓廠評(píng)估，該制程預(yù)估在2年內(nèi)可望普及，未來產(chǎn)出將較目前制程
太陽能硅晶圓切片因受限于碳化硅(Silicon Carbide)耗材受管制而缺貨的影響，近年來業(yè)者積極評(píng)估切晶部分導(dǎo)入鉆石切割(Diamond wire saw)制程。太陽能硅晶圓廠評(píng)估，該制程預(yù)估在2年內(nèi)可望普及，未來產(chǎn)出將較目前制程約高出2倍以上，為太陽能技術(shù)的新革命。
太陽能硅晶圓廠表示，在太陽能硅晶圓切片部分屬于耗材的碳化硅，自太陽光電產(chǎn)業(yè)快速成長以來，一路傳出缺貨問題，包括2007年傳缺貨、漲價(jià)，2008年再調(diào)漲，2007~2008年的年漲幅約達(dá)5成，2009年雖受金融風(fēng)暴影響，無漲價(jià)、價(jià)格維持平穩(wěn)，但2010年初即受到太陽光電景氣回溫的影響，傳出碳化硅價(jià)格再漲10%。
碳化硅缺乏的主要原因之一，即是主要產(chǎn)出地大陸近年來已開始實(shí)施出口管制，太陽能業(yè)者說，這代表碳化硅未來的成本走勢(shì)上揚(yáng)的機(jī)會(huì)大于下跌機(jī)率，對(duì)產(chǎn)業(yè)快速成長、需求愈來愈高的太陽光電產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅供給問題形同硅晶圓端的未爆彈。
所以在LED藍(lán)寶石已被應(yīng)用的鉆石切割制程，近年來因碳化硅問題在太陽能硅晶圓領(lǐng)域已被受到相當(dāng)?shù)闹匾暋?br>
太陽能業(yè)者表示，鉆石切割制程所需的線鋸，也有來源取得不易的問題，所以踏入該領(lǐng)域的第1步，即必須先掌控好該? 荍鱆漕虓翩A否則一旦斷炊也會(huì)造成生產(chǎn)危機(jī)。
而就設(shè)備來看，目前已有少數(shù)國際設(shè)備業(yè)者已開始推行二合一的設(shè)備機(jī)臺(tái)，即傳統(tǒng)制程與該新制程合一，或?qū)ｉT的鉆石切割設(shè)備，但因設(shè)備成本仍過高，所以短期內(nèi)普及化不易。
另外，投入鉆石切割制程的主要業(yè)者為日本夏普、三洋及京瓷，而且多數(shù)以單晶硅晶圓為主，在普及性較佳的多晶= 晶圓領(lǐng)域目前仍無較具代表性的業(yè)者，這也是影響鉆石切割導(dǎo)入的主要原因之一。
不過，太陽能硅晶圓廠指出，鉆石切割制程與現(xiàn)有制程相較，更符合環(huán)保訴求，且大量量產(chǎn)后，其產(chǎn)出相較現(xiàn)有制程至少高出2倍。
太陽能業(yè)者表示，即使鉆石切割制程目前仍存在諸多必須解決的問題，但受到碳化硅資源受限的影響，該領(lǐng)域被視為未來最佳的發(fā)展途徑之一，考慮到鉆石線鋸取得及設(shè)備發(fā)展性，預(yù)估2年內(nèi)該制程得以普及，而該制程一旦普及，代表切晶領(lǐng)域的技術(shù)革命成功。
目前臺(tái)系業(yè)者中，2個(gè)領(lǐng)導(dǎo)硅晶圓廠包括中美硅晶及綠能均傳出積極研發(fā)該技術(shù)。
太陽能硅晶圓廠表示，在太陽能硅晶圓切片部分屬于耗材的碳化硅，自太陽光電產(chǎn)業(yè)快速成長以來，一路傳出缺貨問題，包括2007年傳缺貨、漲價(jià)，2008年再調(diào)漲，2007~2008年的年漲幅約達(dá)5成，2009年雖受金融風(fēng)暴影響，無漲價(jià)、價(jià)格維持平穩(wěn)，但2010年初即受到太陽光電景氣回溫的影響，傳出碳化硅價(jià)格再漲10%。
碳化硅缺乏的主要原因之一，即是主要產(chǎn)出地大陸近年來已開始實(shí)施出口管制，太陽能業(yè)者說，這代表碳化硅未來的成本走勢(shì)上揚(yáng)的機(jī)會(huì)大于下跌機(jī)率，對(duì)產(chǎn)業(yè)快速成長、需求愈來愈高的太陽光電產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅供給問題形同硅晶圓端的未爆彈。
所以在LED藍(lán)寶石已被應(yīng)用的鉆石切割制程，近年來因碳化硅問題在太陽能硅晶圓領(lǐng)域已被受到相當(dāng)?shù)闹匾暋?br>
太陽能業(yè)者表示，鉆石切割制程所需的線鋸，也有來源取得不易的問題，所以踏入該領(lǐng)域的第1步，即必須先掌控好該? 荍鱆漕虓翩A否則一旦斷炊也會(huì)造成生產(chǎn)危機(jī)。
而就設(shè)備來看，目前已有少數(shù)國際設(shè)備業(yè)者已開始推行二合一的設(shè)備機(jī)臺(tái)，即傳統(tǒng)制程與該新制程合一，或?qū)ｉT的鉆石切割設(shè)備，但因設(shè)備成本仍過高，所以短期內(nèi)普及化不易。
另外，投入鉆石切割制程的主要業(yè)者為日本夏普、三洋及京瓷，而且多數(shù)以單晶硅晶圓為主，在普及性較佳的多晶= 晶圓領(lǐng)域目前仍無較具代表性的業(yè)者，這也是影響鉆石切割導(dǎo)入的主要原因之一。
不過，太陽能硅晶圓廠指出，鉆石切割制程與現(xiàn)有制程相較，更符合環(huán)保訴求，且大量量產(chǎn)后，其產(chǎn)出相較現(xiàn)有制程至少高出2倍。
太陽能業(yè)者表示，即使鉆石切割制程目前仍存在諸多必須解決的問題，但受到碳化硅資源受限的影響，該領(lǐng)域被視為未來最佳的發(fā)展途徑之一，考慮到鉆石線鋸取得及設(shè)備發(fā)展性，預(yù)估2年內(nèi)該制程得以普及，而該制程一旦普及，代表切晶領(lǐng)域的技術(shù)革命成功。
目前臺(tái)系業(yè)者中，2個(gè)領(lǐng)導(dǎo)硅晶圓廠包括中美硅晶及綠能均傳出積極研發(fā)該技術(shù)。
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