21ic訊 日前Vishay 宣布推出3款新型單極雙擲（SPDT）和雙路的雙極雙擲（DPDT）CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導(dǎo)通電阻，采用小尺寸miniQFN封裝，可在空間受限的便攜式終端產(chǎn)品中用于音頻、SIM卡和多功能信號切換。

DG2735A和DG2725是雙路SPDT開關(guān)，采用miniQFN10封裝，工作電壓為1.65V～4.3V。DG2735A可確保在2.7V下的最大導(dǎo)通電阻為0.6Ω，在2.7V下的開啟和關(guān)斷時間為64ns和42ns，是接收機(jī)和揚(yáng)聲器中音頻輸出切換的絕佳選擇。DG2725在3V下的典型導(dǎo)通電阻為0.7Ω，同時具有更低的寄生電容。

DG2599在1.65V～5V電壓下工作，可用作4路SPDT或雙路DPDT開關(guān)。器件采用minQFN16封裝，在3V下的典型導(dǎo)通電阻為2.8Ω，-3dB的帶寬高達(dá)186MHz。DG2725和DG2599具有掉電保護(hù)功能，在V+=0V，VCOM1或VCOM2=4.3V情況下，可以確保COM1和COM2的漏電流小于1µA。

新的DG2735A、DG2725和DG2599模擬開關(guān)適合用在消費(fèi)、計算和通信產(chǎn)品中，如手機(jī)、PMP和PDA等、調(diào)制解調(diào)器和外設(shè)、計算機(jī)、電子書，以及平板電腦等。這些器件兼容1.65V邏輯電平，易于與低電壓的DSP或MCU控制邏輯接口，很適合直接用單節(jié)鋰離子電池供電的情況。

今天發(fā)布的器件采用Vishay的亞微米CMOS低壓工藝技術(shù)，按照 JESD78規(guī)范測試的閂鎖保護(hù)電流大于300mA。在導(dǎo)通時，開關(guān)在雙方向上能以同樣的性能傳輸小于電源軌的信號，在關(guān)斷時能夠阻斷電源級別的信號，并且保證采取先斷后通的切換操作。

Vishay Siliconix嚴(yán)格遵守對社區(qū)和環(huán)境的承諾，使用無鉛器件端接生產(chǎn)這些模擬開關(guān)。器件的miniQFN封裝采用鎳鈀金器件端接（用后綴“-E4”表示），滿足所有JEDEC標(biāo)準(zhǔn)對回流焊和MSL等級的要求。開關(guān)符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。

新模擬開關(guān)現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周。