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歐司朗光電半導(dǎo)體擴(kuò)大兩處生產(chǎn)基地規(guī)模

時間：2011-03-07 16:10:25

關(guān)鍵字：歐司朗光電半導(dǎo)體 LED

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[導(dǎo)讀]21ic訊歐司朗光電半導(dǎo)體在擴(kuò)大兩家芯片制造廠規(guī)模的同時，還將它們升級為 6 英寸晶圓制造基地，從而大幅提高產(chǎn)量。其中，馬來西亞檳城基地正在興建一座生產(chǎn)大樓，而德國雷根斯堡基地則正在重新劃撥現(xiàn)有廠房。這兩個

21ic訊 歐司朗光電半導(dǎo)體在擴(kuò)大兩家芯片制造廠規(guī)模的同時，還將它們升級為 6 英寸晶圓制造基地，從而大幅提高產(chǎn)量。其中，馬來西亞檳城基地正在興建一座生產(chǎn)大樓，而德國雷根斯堡基地則正在重新劃撥現(xiàn)有廠房。這兩個基地都將采用新的制造技術(shù)，引入 6 英寸晶圓來替代目前的 4 英寸晶圓。采取這些措施后，到 2012 年底，白光 LED 的芯片產(chǎn)量將有望翻番。

通過這一系列舉措，歐司朗光電半導(dǎo)體將因應(yīng)國際 LED 市場的增長潛力，趁勢擴(kuò)充雷根斯堡和檳城兩個芯片制造基地的產(chǎn)能，進(jìn)一步夯實其在國際市場的領(lǐng)先地位。檳城芯片制造廠開業(yè)不到兩年，如今已迎來擴(kuò)建升級至 6 英寸晶圓制造基地的大好時機(jī)，總廠房面積到 2012 年將升至 25,000 平方米，新增 400 個工作崗位。在雷根斯堡基地，將重新規(guī)劃可用空間，最早于 2011 年夏開始對 InGaN（氮化銦鎵）生產(chǎn)進(jìn)行逐步升級。

歐司朗光電半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Aldo Kamper 先生表示：“通過擴(kuò)充高性能 InGaN 芯片的產(chǎn)能，我們正一如既往地鞏固我們的市場地位。LED 市場在許多不同的應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的增長潛力，我們將繼續(xù)利用這一推動力不斷成長。歐司朗光電半導(dǎo)體是歐司朗 LED 技術(shù)增值鏈中的一個重要環(huán)節(jié)。”

這次產(chǎn)能擴(kuò)充主要會影響采用薄膜和 UX:3 技術(shù)的 InGaN 芯片，而這是生產(chǎn)白光 LED 時所必需的。今后，這些芯片都將從一開始就在 6 英寸晶圓上制造，而不再基于目前直徑為 4 英寸的晶圓。

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