IC封測矽品(2325-TW)今(5)日公布 4 月營收,達(dá)47.85億元,較 3 月50.41億元衰退 5 %,較去年同期衰退11%,符合矽品原先預(yù)期, 5 月營收則將微幅下滑, 6 月則因客戶預(yù)備庫存積極備料而再度上揚(yáng)。矽品看好第 2 季營收
蘋果公司與三星電子曾經(jīng)關(guān)系緊密。現(xiàn)在這兩家公司正在分道揚(yáng)鑣——這可能會(huì)對三星的銷售造成打擊。 Piper Jaffray&Co.公司估計(jì)蘋果公司的訂單占2010年三星半導(dǎo)體營收的17%。蘋果公司向三星訂購了海量的DRAM、NAND
本文介紹了一種基于PCI 總線的反射內(nèi)存卡的設(shè)計(jì)方法。給出了硬件電路設(shè)計(jì),在FPGA 內(nèi)完成數(shù)據(jù)緩存FIFO 及其控制器、SDRAM 控制器和編解碼控制器的設(shè)計(jì), 結(jié)構(gòu)清晰, 集成度高; 介紹了驅(qū)動(dòng)程序的設(shè)計(jì),提供了應(yīng)用程序接口; 采用三塊反射內(nèi)存卡搭建了驗(yàn)證系統(tǒng), 實(shí)驗(yàn)證明該反射內(nèi)存樣卡功能正常, 工作穩(wěn)定。
MAX1441為信號調(diào)理集成電路(IC),支持電容式接近檢測傳感器設(shè)計(jì),適用于汽車無源遙控門禁(PKE)及其它系統(tǒng)。
臺積電(2330)Fab15廠第三季將投片,預(yù)計(jì)第四季量產(chǎn),超前進(jìn)度1季,在積極擴(kuò)產(chǎn)下,預(yù)計(jì)今年底臺積電12吋廠總產(chǎn)能將達(dá)30萬片規(guī)模。 臺積電今天舉辦技術(shù)論壇,由臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷資深副總經(jīng)理陳俊圣發(fā)表演說,針
臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 簡稱:臺積電)周四表示,在2D芯片容量達(dá)到極限之前,公司不會(huì)啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體,而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。 英特爾(
日前,山東省人民政府以魯政發(fā)[2011]14號下發(fā)通知,公布了2011年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目名單,恒匯電子公司“年產(chǎn)10億片IC封裝載板項(xiàng)目”
21ic訊 德州儀器 (TI) 宣布推出一款基于 SPICE 的強(qiáng)大模擬設(shè)計(jì)與仿真工具 TINA-TI 9.1。該免費(fèi)軟件程序的最新版本與 7.0 版相比速度平均提高 5 倍,可幫助工程師在無任何節(jié)點(diǎn)或器件數(shù)量限制的條件下設(shè)計(jì)和測試包括復(fù)
英特爾公司公布了新的芯片技術(shù),實(shí)現(xiàn)更小的芯片體積、更快的預(yù)算速度和更高的節(jié)能效率,希望借此推進(jìn)其在當(dāng)前正快速增長的移動(dòng)設(shè)備市場立足。綜合媒體5月4日報(bào)道,英特爾公司(IntelCorp)4日公布了新一代技術(shù),其能
英特爾今天表示,在微處理器上實(shí)現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破:成功開發(fā)世界首個(gè)3D晶體管,名叫Tri-Gate?! ?jù)英特爾介紹說,3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度,它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進(jìn)處理器性能大
李洵穎/臺北 不讓臺系封測廠日月光和矽品專美于前,全球第4大封測廠星科金朋(STATS ChipPAC)宣布,銅打線制程封裝已出貨超過3億顆,發(fā)展銅打線封裝制程的腳步緊追在后。此外,星科金朋也表示,第2季展望謹(jǐn)慎樂觀,估
趙凱期/臺北 雖然臺積電法說會(huì)并未對是否拿下蘋果(Apple)新款CPU訂單做出評論,但董事長張忠謀卻給了一條線索,表示平均每臺智慧型手機(jī)及平板電腦產(chǎn)品,大概可以貢獻(xiàn)臺積電6~7美元營收表現(xiàn),以iPhone及iPad在2011年
據(jù)高工LED產(chǎn)業(yè)研究所統(tǒng)計(jì),目前我國的LED封裝企業(yè)有1500家左右,中高端封裝企業(yè)的數(shù)量也逐漸增多,但是目前封裝用的高性能硅膠卻以進(jìn)口居多,國外企業(yè)占有絕對優(yōu)勢。?硅膠主要用于LED封裝,而全球的封裝硅膠主要是由
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布,公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺成功進(jìn)入量產(chǎn),成為國內(nèi)第
英特爾于5月4日宣布將在22nm節(jié)點(diǎn)采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術(shù),實(shí)現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破。據(jù)英特爾介紹說,3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度,它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進(jìn)處理器性能大幅提升