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英特爾再掀科技革命 3D晶體管技術(shù)解析

2011年5月4日，英特爾公司宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小元件，自50多年前硅晶體管發(fā)明以來(lái)，3-D結(jié)構(gòu)晶體管史無(wú)前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特將推出被稱(chēng)為三柵級(jí)(Tri-Gate)

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2011-05-10

英特爾晶體管柵極摩爾定律
晶體管60年創(chuàng)新 22納米進(jìn)入3D時(shí)代

自從1947年晶體管問(wèn)世以來(lái)，晶體管技術(shù)飛速發(fā)展，為開(kāi)發(fā)更強(qiáng)大、成本效益更好、能效更高的產(chǎn)品鋪平了道路。要想按照摩爾定律的步調(diào)不斷進(jìn)步，就必須進(jìn)行大量創(chuàng)新。近期值得關(guān)注的創(chuàng)新成果是應(yīng)變硅（英特爾于2003年推

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2011-05-10

MDASH BSP 英特爾晶體管
臺(tái)幣升值威脅臺(tái)系模擬IC業(yè)者

雖然德儀(TI)12吋晶圓大軍來(lái)勢(shì)洶洶，但比起新臺(tái)幣近期兇猛升值走勢(shì)，臺(tái)系類(lèi)比IC設(shè)計(jì)業(yè)者反而較擔(dān)心，后者會(huì)大力侵蝕公司2011年第2季毛利率表現(xiàn)。包括立锜及致新等一線(xiàn)臺(tái)系類(lèi)比IC設(shè)計(jì)公司都認(rèn)為，第2季毛利率將微幅下

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2011-05-10

控制 EPS IC設(shè)計(jì)業(yè) 模擬IC
集成電路封裝：技術(shù)水平與國(guó)際主流同步

“十大自主創(chuàng)新成就”專(zhuān)欄 “十一五”期間，我省集成電路封裝技術(shù)創(chuàng)新能力顯著提高，承擔(dān)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”（02專(zhuān)項(xiàng)）等重大科技項(xiàng)目60多項(xiàng)，全面掌握了晶圓級(jí)芯片尺寸封裝

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2011-05-10

晶圓微電子封裝測(cè)試集成電路封裝
晶圓面板大咖挺得住

全臺(tái)鬧水荒，用水量較大的面板與半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入備戰(zhàn)狀態(tài)，臺(tái)積電、聯(lián)電、友達(dá)、奇美電啟動(dòng)節(jié)水措施。晶圓雙雄表示，第二階段限水影響生產(chǎn)不大，若實(shí)施第三階段限水，會(huì)啟動(dòng)水車(chē)對(duì)外購(gòu)水，避免缺水危機(jī)。臺(tái)積電表示

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2011-05-10

晶圓聯(lián)電電表臺(tái)積電
《業(yè)績(jī)-半導(dǎo)體》世界先進(jìn)4月?tīng)I(yíng)收12.76億元，月減3.5%

世界先進(jìn)(5347)初估民國(guó)100年4月?tīng)I(yíng)收為12.76億元，月減3.5%，年減約4%。今年1至4月?tīng)I(yíng)收為52.67億元，年成長(zhǎng)率為7.4%。世界先進(jìn)發(fā)言人曾棟梁副總經(jīng)理表示，4月?tīng)I(yíng)收因產(chǎn)品組合及新臺(tái)幣升值影響，較3月?tīng)I(yíng)收13.23億減

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2011-05-10

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈晶圓代工終端
封測(cè)雙雄小幅滑落

受到日本強(qiáng)震主要客戶(hù)訂單遞延效應(yīng)，封測(cè)雙雄日月光（2311）及矽品（2325）4月合并營(yíng)收均較上月小幅滑落；矽格（6257）4月?tīng)I(yíng)收也比上月減少4.6% 。日月光和矽品日前法說(shuō)會(huì)均預(yù)期日本強(qiáng)震對(duì)第二季營(yíng)收沖擊有限，日

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2011-05-10
聯(lián)電4月合并營(yíng)收95.64億元

日本強(qiáng)震對(duì)晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電4月?tīng)I(yíng)收還未造成沖擊，聯(lián)電今日公布4月?tīng)I(yíng)收95.64億元，月減僅0.22%，年增2.62%；累計(jì)前四月?tīng)I(yíng)收376.81億元，年增4.57%。

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2011-05-10

晶圓代工聯(lián)電
日限電臺(tái)積、聯(lián)電：今年不缺料

日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠(chǎng)，電力不足問(wèn)題再起，包括矽晶圓、銀膠、環(huán)氧樹(shù)脂等半導(dǎo)體材料價(jià)格已開(kāi)始調(diào)漲，預(yù)料增加國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)生產(chǎn)成本。晶圓龍頭臺(tái)積電今表示，所需的矽晶圓方面有多個(gè)地區(qū)來(lái)源，日限電的影響不大

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2011-05-10

聯(lián)電電力臺(tái)積電核電
28納米晶圓廠(chǎng)爭(zhēng)相量產(chǎn)

手持式裝置成長(zhǎng)快速，「降低耗電」卻是讓各廠(chǎng)商做頭痛的問(wèn)題。研調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)表示，28納米可提供高效能、低功耗技術(shù)，這是手持裝置最需要克服的問(wèn)題，由于手持裝置將是帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽?，臺(tái)積電2

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2011-05-10

三星低功耗臺(tái)積電晶圓廠(chǎng)
封測(cè)廠(chǎng)4月被日震震衰退

封測(cè)廠(chǎng)陸續(xù)公布4月?tīng)I(yíng)收，普遍看來(lái)均較3月小幅衰退，包括日月光（2311）、矽品（2325）、矽格（6257）等，4月?tīng)I(yíng)收均較3月下滑2％至5％不等幅度，主要原因包括新臺(tái)幣升值，以及日系IDM廠(chǎng)委外釋單因日本大地震而減緩等。

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2011-05-10

晶圓代工驅(qū)動(dòng)IC DM LCD驅(qū)動(dòng)
大廠(chǎng)齊攻28奈米制程　晶圓代工后勢(shì)看俏

先進(jìn)28奈米制程可提供小尺寸、高效率、低耗能的晶圓表現(xiàn)，因而蔚為潮流。如臺(tái)積電宣稱(chēng)在第三季將可達(dá)1%的營(yíng)收比率；聯(lián)電、全球晶圓（ＧlobalFoundries）、三星(Samsung)等后進(jìn)，雖落后臺(tái)積電1～2季，仍可望在年底具備

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2011-05-10

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電 GARTNER
“上海先進(jìn)”汽車(chē)電子圓片月產(chǎn)能超10,000片

上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)是國(guó)內(nèi)最早從事汽車(chē)電子芯片生產(chǎn)的半導(dǎo)體制造企業(yè)；自2009年提出構(gòu)建“汽車(chē)電子

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2011-05-09

汽車(chē)電子芯片制造電子芯片汽車(chē)芯片
BT樹(shù)脂龍頭供應(yīng)商三菱瓦斯上年度營(yíng)益暴增471%

全球BT樹(shù)脂龍頭供應(yīng)商三菱瓦斯化學(xué)(MGC)9日公布上年度(2010年度；2010年4月-2011年3月)財(cái)報(bào)：雖因311強(qiáng)震導(dǎo)致2座廠(chǎng)房設(shè)備/建筑受損而認(rèn)列30億日?qǐng)A特別損失，惟因整體產(chǎn)品銷(xiāo)售呈現(xiàn)增長(zhǎng)，故合并營(yíng)收年增17.3%至4,510.3

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2011-05-09

半導(dǎo)體封裝基板手機(jī)通訊
半導(dǎo)體矽晶圓庫(kù)存快見(jiàn)底提前3周溝通Q3價(jià)格

受到日本地震影響，半導(dǎo)體矽晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫(kù)存見(jiàn)底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機(jī)，再加上日本擬關(guān)閉核電廠(chǎng)，接下來(lái)的電力短缺恐將進(jìn)一步影響上游矽晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

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2011-05-09

半導(dǎo)體 DRAM 晶圓

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英特爾再掀科技革命 3D晶體管技術(shù)解析

晶體管60年創(chuàng)新 22納米進(jìn)入3D時(shí)代

臺(tái)幣升值威脅臺(tái)系模擬IC業(yè)者

集成電路封裝：技術(shù)水平與國(guó)際主流同步

晶圓面板大咖挺得住

《業(yè)績(jī)-半導(dǎo)體》世界先進(jìn)4月?tīng)I(yíng)收12.76億元，月減3.5%

封測(cè)雙雄小幅滑落

聯(lián)電4月合并營(yíng)收95.64億元

日限電臺(tái)積、聯(lián)電：今年不缺料

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