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閃存芯片還得看SK海力士，發(fā)布全球首款238層閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
韓國存儲芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當天在美國加州舉行的2022全球閃存峰會上首次公開該產(chǎn)品。
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節(jié)約成本？SK海力士擱置韓國NAND工廠擴產(chǎn)計劃，2023年支出減少25%
據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的話報導稱，面對當前半導體需求轉(zhuǎn)弱的情況，SK海力士董事會已于6月底決定暫緩清州(Cheongju)園區(qū)擴產(chǎn)方案，并考慮將2023年的資本支出削減25%至122億美元。資料顯示，SK海力士今年5月時計劃在韓國清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工廠M17，預(yù)計2023年初動工，最快2025年竣工。
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SK海力士擴大中國市場？SK海力士在華擴大投資并建設(shè)新晶圓工廠
愛思開海力士·英特爾DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商SK海力士已在中國市場深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)，其中包括英特爾大連工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動項目發(fā)展，決定在大連繼續(xù)擴大投資并建設(shè)新工廠。
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SK海力士計劃5年投資15萬億韓元建設(shè)M15X半導體生產(chǎn)工廠
SK海力士將在韓國忠北清州市建設(shè)新半導體生產(chǎn)工廠M15X(eXtension)。SK海力士計劃今年10月在韓國清州科技城產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)約6萬平方米的用地開建M15X，并目標于2025年初竣工。公司計劃在今后5年內(nèi)共投資15萬億韓元建設(shè)M15X工廠并引進生產(chǎn)設(shè)備。M15X是復(fù)式結(jié)構(gòu)，其...
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SK海力士計劃5年投資15萬億韓元建設(shè)M15X半導體生產(chǎn)工廠
（全球TMT2022年9月6日訊）SK海力士將在韓國忠北清州市建設(shè)新半導體生產(chǎn)工廠M15X(eXtension)。SK海力士計劃今年10月在韓國清州科技城產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)約6萬平方米的用地開建M15X，并目標于2025年初竣工。公司計劃在今后5年內(nèi)共投資15萬億韓元建設(shè)M15X工廠并...
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SK海力士計劃5年投資15萬億韓元建設(shè)M15X半導體生產(chǎn)工廠
SK海力士將在韓國忠北清州市建設(shè)新半導體生產(chǎn)工廠M15X(eXtension)。SK海力士計劃今年10月在韓國清州科技城產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)約6萬平方米的用地開建M15X，并目標于2025年初竣工。公司計劃在今后5年內(nèi)共投資15萬億韓元建設(shè)M15X工廠并引進生產(chǎn)設(shè)備。M15X是復(fù)式結(jié)構(gòu)，其...
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SK海力士下月在韓國清州開建M15X新工廠
M15X將于今年10月動工，預(yù)計2025年初竣工，決定在今后5年內(nèi)投資約15萬億韓元 自2012年并入SK集團10年后，將開啟新10年的第一個生產(chǎn)設(shè)施 提早決定韓國內(nèi)投資，奠定未來成長基礎(chǔ) 首爾2022年9月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，ww...
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轉(zhuǎn)載 | SK海力士開發(fā)出DDR5 DRAM CXL?存儲器，將擴大CXL存儲器生態(tài)系統(tǒng)
SK海力士開發(fā)出首款基于DDR5 DRAM的CXL存儲器樣品，加快了搶占下一代內(nèi)存解決方案市場的步伐。該產(chǎn)品的形狀系數(shù)(Form Factor，產(chǎn)品的形狀或尺寸)為EDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor)E3.S，支持PCIe 5.0 x8通道，采用配備CXL控制器，使用DDR5標準DRAM。
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小米生態(tài)鏈新品眼鏡相機；巴慕達氛圍音箱M01D；SK海力士業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存
（全球TMT2022年8月6日訊）小米生態(tài)鏈新品眼鏡相機正式發(fā)布；巴慕達氛圍音箱M01D版本在國內(nèi)首發(fā)；卡西歐PRO TREK戶外手表系列及G-SHOCK抗震手表系列各新增三款產(chǎn)品；SK海力士宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存；宜鼎國際正式推出全新邊緣運算固...
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SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層４D NAND閃存
新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持續(xù)創(chuàng)新并不斷突破技術(shù)瓶頸" 韓國首爾2022...
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SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存
（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。 圖1...
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Intel將徹底退出傲騰存儲業(yè)務(wù)，不再開發(fā)新產(chǎn)品
當年把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士時，Intel保留了Optane(傲騰)業(yè)務(wù)的火種，甚至在與美光結(jié)束3D Xpoint存儲芯片研發(fā)和生產(chǎn)時，依然表示會繼續(xù)開發(fā)傲騰產(chǎn)品。
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芯片缺不缺？SK海力士擱置清州NAND工廠擴產(chǎn)，2023年支出削減
7月19日消息，據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的話報導稱，面對當前半導體需求轉(zhuǎn)弱的情況，SK海力士董事會已于6月底決定暫緩清州(Cheongju)園區(qū)擴產(chǎn)方案，并考慮將2023年的資本支出削減25%至122億美元。資料顯示，SK海力士今年5月時計劃在韓國清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工廠M17，預(yù)計2023年初動工，最快2025年竣工。
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SK海力士已為Solidigm任命新高管 ，業(yè)務(wù)整合加速
據(jù)國外媒體報道，SK 海力士 90 億美元收購英特爾 NAND 閃存及存儲業(yè)務(wù)第一階段 70 億美元的交易，在去年年底就已完成，SK 海力士也在加州圣何塞成立了名為 Solidigm 的子公司，管理從英特爾收購而來的相關(guān)資產(chǎn)。而韓國媒體最新的報道顯示，為了加速與 Solidigm 的整合，SK 海力士已任命了新的高管。
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SK海力士發(fā)布2022財年第二季度財務(wù)報告
結(jié)合并收入13.811萬億韓元，營業(yè)利潤4.193萬億韓元，凈利潤2.877萬億韓元 第二季度為準營收創(chuàng)歷史新高，時隔兩個季度實現(xiàn)超過4萬韓元的營業(yè)利潤 根據(jù)下半年需求放緩的預(yù)測，將慎重考慮明年的投資計劃 首爾2022年7月27日 /美通社/ -- SK海力士...
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SK海力士、德州儀器、康寧發(fā)布財報；戴爾科技再度亮相消博會
（全球TMT2022年7月27日訊）SK海力士發(fā)布截至2022年6月30日的2022財年第二季度財務(wù)報告。公司2022財年第二季度結(jié)合并收入為13.811萬億韓元，營業(yè)利潤為4.193萬億韓元，凈利潤為2.877萬億韓元。公司本季度的營收創(chuàng)下了歷史上首次超過13萬億韓元的業(yè)績。...
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SK海力士季度營收首次超過13萬億韓元
（全球TMT2022年7月27日訊）SK海力士發(fā)布截至2022年6月30日的2022財年第二季度財務(wù)報告。公司2022財年第二季度結(jié)合并收入為13.811萬億韓元，營業(yè)利潤為4.193萬億韓元，凈利潤為2.877萬億韓元。公司本季度的營收創(chuàng)下了歷史上首次超過13萬億韓元的業(yè)績。...
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SK海力士擬削減2023年資本支出，擴張計劃或放棄
7月15日消息，知情人士透露，全球第二大存儲芯片制造商SK海力士考慮將2023年資本支出削減約四分之一至16萬億韓元(約合122億美元)，以應(yīng)對電子產(chǎn)品需求慢于預(yù)期的局面。
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SK海力士將向英偉達供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM
（全球TMT2022年6月9日訊）SK海力士宣布公司開始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存，其數(shù)據(jù)處理速度大幅領(lǐng)先于傳統(tǒng) DR...
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擴大中國投資！SK海力士在大連建設(shè)新晶圓工廠
愛思開海力士·英特爾DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。
