9月20日消息，據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道稱，SK海力士子公司Solidigm計劃在美國加利福尼亞州投資超過1億美元(約合人民幣7.01億元)建立半導體研發(fā)中心。

SK海力士宣布，公司為了奠定未來成長基礎，將在韓國忠北清州市建設新半導體生產(chǎn)工廠M15X(eXtension)。據(jù)介紹，SK海力士綜合考慮市場情況等，決定在已確保的用地上提早開工M15的擴建工廠M15X。

根據(jù)計劃，SK海力士將于今年10月在韓國清州科技城產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)約6萬平方米的用地開建M15X，并目標于2025年初竣工。在此期間，SK海力士計劃共投資15萬億韓元(約合人民幣758.3億元)建設M15X工廠并引進生產(chǎn)設備。據(jù)了解，M15X是復式結(jié)構，其規(guī)模與現(xiàn)有的清州M11和M12兩座工廠的總和相近。另外，SK海力士對于附近的M17新工廠計劃，將考慮半導體市況等經(jīng)營環(huán)境決定開工時間。

排名第二的是SK海力士，得益于對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成(成立了Solidigm公司運營)，使得SK海力士在二季度的銷售額環(huán)比增長12.1%，達到了36.15億美元，市場份額也由18%增至19.9%，超越鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商。

鎧俠NAND閃存在二季度的銷售額為28.32億美元，環(huán)比下滑16.3%，所占的份額由18.9%降至15.6%。

排名第四的是西部數(shù)據(jù)，二季度銷售額為24億美元，環(huán)比增長7%，市場份額提升0.7個百分點，增至13.2%。

據(jù)路透社報導，知情人士透漏，就在美國“芯片法案”正式完成立法的之后，韓國存儲芯片廠商SK海力士將在美國建設一座先進的芯片封裝工廠，并將于2023 年第一季左右破土動工。

報導引用一位不愿透露姓名的消息人士說法表示，SK海力士赴美新建工廠的計劃預計將耗資“數(shù)十億美元”，未來將在當?shù)貏?chuàng)造1000個工作機會，并將于2025~2026 年進入量產(chǎn)階段。該消息人士還指出，目前預計的工廠位置，可能在擁有工程相關人才的大學附近。

受美國芯片法案限制條款及美國持續(xù)限制大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景之下，韓國三星電子和SK海力士開始重新評估中國大陸投資案。目前三星在中國西安擁有投資額超百億元的存儲芯片工廠，SK海力士則在收購英特爾閃存業(yè)務之后，接手了其在大連的閃存工廠。

報道稱，一位資深韓國官員表示，隨著時間過去，韓國在中國的數(shù)項芯片投資案可能會遭“放棄”，“要是中方不開心，得去跟美國談”，這顯示美國力促芯片大廠脫中轉(zhuǎn)美的努力，初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當中防堵中國大陸的“護欄”條款，促使韓國芯片廠未來布局從中國轉(zhuǎn)向美國。美中科技戰(zhàn)讓韓國廠商反思，如今的地緣政治風險，讓他們更偏向美國。

SK海力士計劃先為客戶端固態(tài)硬盤(SSD)供應238層NAND，之后逐步將產(chǎn)品使用范圍擴大至智能手機和大容量服務器固態(tài)硬盤，并于明年推出該產(chǎn)品的1Tb擴容版。

值得注意的是，在今年7月底，美光已經(jīng)宣布量產(chǎn)了業(yè)界首款232層NAND芯片。雖然SK海力士宣布的238層NAND芯片堆疊層數(shù)要更高一些，但目前仍然還是紙面上的宣布，量產(chǎn)時間還要等到明年上半年。

，韓國總統(tǒng)尹錫悅(Yoon Suk-yeol)也在積極推動韓國龍仁市的芯片供應聚落，SK海力士打算斥資120兆韓元(約924億美元)興建四座晶片廠。漢陽大學(Hanyang University)電子工程學教授Park Jae-gun說，若龍仁聚落完工、如期2027年4月運作，那么SK海力士在清州建立新廠的計劃就沒那么急迫。

TrendForce 最新發(fā)布的6月研究報告指出，俄烏沖突、通貨膨脹高漲對消費者電子產(chǎn)品需求造成負面沖擊，也導致整體DRAM庫存增加;這是第三季DRAM價格下滑3%~8%的主因，針對PC、智能手機設計的DRAM產(chǎn)品有跌價超過8%的可能。