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凈利暴跌88%：閃存巨頭計劃年內(nèi)削減15%產(chǎn)量
2019年2季度，SK海力士的NAND閃存出貨量環(huán)比增長了40%，主要原因是該公司增加了72層3D NAND的產(chǎn)量。繼三星推遲254億美元的DRAM工廠項目之后，SK海力士也計劃在今年內(nèi)將3D NAND閃存減產(chǎn)15%，以放緩產(chǎn)能擴張速度。
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SK海力士第2季凈利年衰退88% 將下修產(chǎn)能和投資
韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
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NAND閃存要漲價了？三星、SK海力士將減少NAND閃存產(chǎn)量
近日，受日本材料出口限制的影響，韓國半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)多少產(chǎn)生了一些波動，其中，三星電子和SK海力士是遭受日本出口限制最嚴(yán)重的公司。 據(jù)路透社報道，韓國存儲芯片制造商三星電子和SK海力士股價周三上漲。分析
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SK海力士全球首個量產(chǎn)128層堆疊4D閃存：沖擊176層
SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過36
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SK海力士4D閃存再突破：全球首個做到量產(chǎn)128層
近日，SK海力士宣布，已經(jīng)成功研發(fā)并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，雖然包括SK海力士在內(nèi)多家廠商都研發(fā)出了1Tb QLC閃存，但這是TLC閃存第一次達(dá)到單顆1Tb。距離去年量產(chǎn)96層4
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三星SK海力士試用中國進口氟化氫，減少對日本依賴
韓國三星公司日前否認(rèn)了李在镕從日本供應(yīng)商那里獲得了緊急供應(yīng)的半導(dǎo)體材料，這也意味著在突破日本封鎖的問題上，三星等韓國公司又回到了原點，迫切需要尋找日本之外的供應(yīng)來源。此前有分析稱日韓這次圍繞半導(dǎo)體、面
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SK海力士推新企業(yè)級SSD：72層閃存/8TB 16TB即將到來
SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級SSD硬盤，不過官方并沒有公布SSD硬盤的名稱，只知道是NVMe標(biāo)準(zhǔn)的，基于72層堆棧的3D TLC閃存，M.2版容量最大4TB，U.2容量可達(dá)8TB。性能方面，SK
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內(nèi)存跌價+華為事件沖擊 SK海力士放慢全球最大內(nèi)存廠投產(chǎn)
韓國媒體報道，由于DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌，近期又有華為事件的影響，SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計劃。中國市場是SK海力士最大的海外市場，去年中國區(qū)營收占了40
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官宣!SK海力士量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片
SK海力士26日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
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SK海力士增加在華投資，無錫二工廠竣工
4月18日，SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司(下簡稱“SK海力士”)舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來”的竣工儀式，宣布SK海力士二工廠項目竣工。為確保在全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位，全球排名第二的DRAM半
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最新的存儲器路線圖分享
去年IEDM（國際電子器件會議）期間的一個周日的夜晚，TechInsights舉辦了一場招待會，Arabinda Das和Jeongdong Choe在會上做了演講，吸引了一屋子的與會者。Arabin
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增強產(chǎn)能！SK海力士擬拿下MagnaChip在韓國清州市的晶圓代工廠
據(jù)路透社引述知情人士指出，SK海力士正在考慮收購部分邏輯芯片制造商MagnaChip(美格納)，用于擴大其8英寸晶圓生產(chǎn)線。
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三星10納米DRAM有瑕疵，亞馬遜轉(zhuǎn)而訂購SK海力士產(chǎn)品
日前爆出三星供貨給亞馬遜的服務(wù)器DRAM出現(xiàn)瑕疵，據(jù)韓媒《etnews》報導(dǎo)，亞馬遜為尋找替代產(chǎn)品，開始轉(zhuǎn)向SK海力士訂購DRAM，外界也開始關(guān)注三星DRAM瑕疵事件是否會為SK海力士帶來間接利益。
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1-2月無錫集成電路出口增長62.1%，SK海力士是重要推手！
1-2月，無錫外貿(mào)進出口達(dá)970億元，較上年同期增長5.2%，高于全省增速6.4個百分點，占全省外貿(mào)進出口總值的15.1%，總量位居全省第二。
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驗證李在镕諾言，三星用技術(shù)差距挽救DRAM事業(yè)
半導(dǎo)體業(yè)界分析，三星電子以技術(shù)領(lǐng)先的策略，阻止了主力商品DRAM市場惡化。隨著全球客戶減少數(shù)據(jù)中心的投資，DRAM價格暴跌、需求開始鈍化，從今年起到2月底為止，DRAM價格已下跌將近30%。
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下月投產(chǎn)！SK海力士無錫二工廠項目獲35億美元貸款
近日，SK海力士二工廠項目35億美元銀團貸款簽約儀式在無錫舉行，此次貸款的銀團由國開行牽頭，農(nóng)行、建行、中行、工行、進出口等銀行參與。
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SK海力士將建火電廠，為半導(dǎo)體設(shè)施提供長期穩(wěn)定的電力供應(yīng)
SK海力士于3月4日宣布，將于2022年在其位于京畿道利川市和忠清北道清州市的半導(dǎo)體工廠附近建設(shè)自己的發(fā)電設(shè)施“智能能源中心”。明年將破土動工，未來三年投資總額為1.68萬億韓元(14.9億美元)。
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2018年全球DRAM市場同比增長39％，預(yù)測今年將同比驟降17.5％
其中，全年來看三星電子占市場份額的43.9%，達(dá)到437.47億美元。其次是SK海力士，達(dá)到294.09億美元，占29.5%
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海辰半導(dǎo)體無錫8英寸晶圓廠正式封頂，年底可搬入工藝設(shè)備
據(jù)悉，該項目即將進入機電安裝和潔凈廠房施工階段，預(yù)計今年年底工藝設(shè)備可搬入。
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SK海力士擬投超1千億美元建設(shè)四座半導(dǎo)體廠，用于生產(chǎn)下一代存儲器
據(jù)路透社報道，SK海力士周四表示，計劃投資120萬億韓元(約1066.6億美元)用于在韓國新的產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)四座半導(dǎo)體工廠。
