據(jù)路透社報導(dǎo)，知情人士透漏，就在美國“芯片法案”正式完成立法的之后，韓國存儲芯片廠商SK海力士將在美國建設(shè)一座先進的芯片封裝工廠，并將于2023 年第一季左右破土動工。

報導(dǎo)引用一位不愿透露姓名的消息人士說法表示，SK海力士赴美新建工廠的計劃預(yù)計將耗資“數(shù)十億美元”，未來將在當(dāng)?shù)貏?chuàng)造1000個工作機會，并將于2025~2026 年進入量產(chǎn)階段。該消息人士還指出，目前預(yù)計的工廠位置，可能在擁有工程相關(guān)人才的大學(xué)附近。事實上，不久前SK 海力士才宣布將在美國投資220億美元的金額，用于發(fā)展半導(dǎo)體、綠色能源和生物科學(xué)等領(lǐng)域。

海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導(dǎo)體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導(dǎo)體,從現(xiàn)代集團分離出來。2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務(wù)出售給花旗集團，成為專業(yè)的存儲器制造商。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。

2019年9月5日，據(jù)韓國《中央日報》報道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導(dǎo)體材料后，SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士(Hynix)半導(dǎo)體作為無形的基礎(chǔ)設(shè)施，通過半導(dǎo)體，竭盡全力為客戶創(chuàng)造舒適的生活環(huán)境。海力士半導(dǎo)體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。海力士半導(dǎo)體以超卓的技術(shù)和持續(xù)不斷的研究投資為基礎(chǔ)，每年都在開辟已步入納米級超微細技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體技術(shù)的嶄新領(lǐng)域。另外，海力士半導(dǎo)體不僅標(biāo)榜行業(yè)最高水平的投資效率，2006年更創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現(xiàn)意義非凡的增長勢力。海力士半導(dǎo)體不僅作為給國家經(jīng)濟注入新鮮血液的發(fā)展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發(fā)展的相生經(jīng)營。海力士半導(dǎo)體為發(fā)展成為令顧客和股東滿意的先導(dǎo)企業(yè)，將盡心盡責(zé)，全力以赴。

受美國芯片法案限制條款及美國持續(xù)限制大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景之下，韓國三星電子和SK海力士開始重新評估中國大陸投資案。目前三星在中國西安擁有投資額超百億元的存儲芯片工廠，SK海力士則在收購英特爾閃存業(yè)務(wù)之后，接手了其在大連的閃存工廠。

報道稱，一位資深韓國官員表示，隨著時間過去，韓國在中國的數(shù)項芯片投資案可能會遭“放棄”，“要是中方不開心，得去跟美國談”，這顯示美國力促芯片大廠脫中轉(zhuǎn)美的努力，初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導(dǎo)體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當(dāng)中防堵中國大陸的“護欄”條款，促使韓國芯片廠未來布局從中國轉(zhuǎn)向美國。

TrendForce 最新發(fā)布的6月研究報告指出，俄烏沖突、通貨膨脹高漲對消費者電子產(chǎn)品需求造成負面沖擊，也導(dǎo)致整體DRAM庫存增加;這是第三季DRAM價格下滑3%~8%的主因，針對PC、智能手機設(shè)計的DRAM產(chǎn)品有跌價超過8%的可能。得益于對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成(成立了Solidigm公司運營)，使得SK海力士在二季度的銷售額環(huán)比增長12.1%，達到了36.15億美元，市場份額也由18%增至19.9%，超越鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商。

SK海力士計劃先為客戶端固態(tài)硬盤(SSD)供應(yīng)238層NAND，之后逐步將產(chǎn)品使用范圍擴大至智能手機和大容量服務(wù)器固態(tài)硬盤，并于明年推出該產(chǎn)品的1Tb擴容版。

值得注意的是，在今年7月底，美光已經(jīng)宣布量產(chǎn)了業(yè)界首款232層NAND芯片。雖然SK海力士宣布的238層NAND芯片堆疊層數(shù)要更高一些，但目前仍然還是紙面上的宣布，量產(chǎn)時間還要等到明年上半年。