據(jù)路透社報導，知情人士透漏，就在美國“芯片法案”正式完成立法的之后，韓國存儲芯片廠商SK海力士將在美國建設一座先進的芯片封裝工廠，并將于2023 年第一季左右破土動工。

報導引用一位不愿透露姓名的消息人士說法表示，SK海力士赴美新建工廠的計劃預計將耗資“數(shù)十億美元”，未來將在當?shù)貏?chuàng)造1000個工作機會，并將于2025~2026 年進入量產(chǎn)階段。該消息人士還指出，目前預計的工廠位置，可能在擁有工程相關人才的大學附近。事實上，不久前SK 海力士才宣布將在美國投資220億美元的金額，用于發(fā)展半導體、綠色能源和生物科學等領域。

海力士半導體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現(xiàn)代集團分離出來。2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務出售給花旗集團，成為專業(yè)的存儲器制造商。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。

2019年9月5日，據(jù)韓國《中央日報》報道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導體材料后，SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士(Hynix)半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創(chuàng)造舒適的生活環(huán)境。海力士半導體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導體產(chǎn)品。海力士半導體以超卓的技術和持續(xù)不斷的研究投資為基礎，每年都在開辟已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業(yè)最高水平的投資效率，2006年更創(chuàng)下半導體行業(yè)世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現(xiàn)意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經(jīng)濟注入新鮮血液的發(fā)展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發(fā)展的相生經(jīng)營。海力士半導體為發(fā)展成為令顧客和股東滿意的先導企業(yè)，將盡心盡責，全力以赴。

受美國芯片法案限制條款及美國持續(xù)限制大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景之下，韓國三星電子和SK海力士開始重新評估中國大陸投資案。目前三星在中國西安擁有投資額超百億元的存儲芯片工廠，SK海力士則在收購英特爾閃存業(yè)務之后，接手了其在大連的閃存工廠。

報道稱，一位資深韓國官員表示，隨著時間過去，韓國在中國的數(shù)項芯片投資案可能會遭“放棄”，“要是中方不開心，得去跟美國談”，這顯示美國力促芯片大廠脫中轉(zhuǎn)美的努力，初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當中防堵中國大陸的“護欄”條款，促使韓國芯片廠未來布局從中國轉(zhuǎn)向美國。

TrendForce 最新發(fā)布的6月研究報告指出，俄烏沖突、通貨膨脹高漲對消費者電子產(chǎn)品需求造成負面沖擊，也導致整體DRAM庫存增加;這是第三季DRAM價格下滑3%~8%的主因，針對PC、智能手機設計的DRAM產(chǎn)品有跌價超過8%的可能。得益于對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成(成立了Solidigm公司運營)，使得SK海力士在二季度的銷售額環(huán)比增長12.1%，達到了36.15億美元，市場份額也由18%增至19.9%，超越鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商。

SK海力士計劃先為客戶端固態(tài)硬盤(SSD)供應238層NAND，之后逐步將產(chǎn)品使用范圍擴大至智能手機和大容量服務器固態(tài)硬盤，并于明年推出該產(chǎn)品的1Tb擴容版。

值得注意的是，在今年7月底，美光已經(jīng)宣布量產(chǎn)了業(yè)界首款232層NAND芯片。雖然SK海力士宣布的238層NAND芯片堆疊層數(shù)要更高一些，但目前仍然還是紙面上的宣布，量產(chǎn)時間還要等到明年上半年。