據(jù)報道,三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預(yù)計MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局,因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。
根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5。
新增NOR Flash、NAND Flash等產(chǎn)品,世強與國內(nèi)存儲及物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新(GigaDevice)簽約。
回顧2018年全年的銷售表現(xiàn),盡管各項產(chǎn)品價格逐季走跌,但全年位元出貨量較2017年成長逾40%,整體營收仍持續(xù)成長,并來到歷年來新高點,約632億美元水平,較2017年成長10.9%。
由于需求疲弱,繼三星、美光和南亞科后,韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。
受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響,今年存儲器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬,SK海力士預(yù)計將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面,隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價格一同下跌,SK海力士計劃靈活應(yīng)對市場行情。
OK6410裸機簡單的NANDFLASH驅(qū)動,只寫了個簡單的函數(shù),讀取一頁/**************************************************************************************************************文件名:NandFlash.c*功能:S3C6410N
在過去的2019年,由于全球的NAND閃存全年一直處于供過于求的一個狀況,因此導(dǎo)致其價格一直在下跌,這也就導(dǎo)致了西數(shù)、東芝等閃存大廠毛利率大幅度的下滑。而如今已經(jīng)到了2019年,閃存價格將會怎么走呢。就在近日,調(diào)查機構(gòu)發(fā)布報告稱,2019年,閃存價格還將會保持下降的趨勢。
根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓國供應(yīng)商帶頭降低資本支出,NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%,但仍無法翻轉(zhuǎn)供需失衡情形,2019年轉(zhuǎn)為美國廠商減少資本支出,使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%,總支出規(guī)模約為220億美元。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,NAND Flash市場經(jīng)歷2018年全年供過于求,2019年在筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)難見起色下,預(yù)計產(chǎn)能過剩難解,因而使得供應(yīng)商進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程,避免單位成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇。
這次是做一個SD卡的USB讀卡器的功能,我們就在上次NAND Flash模擬出的U盤的工程上修改了,這樣的話只要修改一小部分了。工程的絕大部分不需要修改,只要將fsmc_nand.c文件移除工程,添加上官方的關(guān)于SDIO的SD卡的驅(qū)動
驅(qū)動程序識別設(shè)備時,有以下兩種方法:(1)驅(qū)動程序本身帶有設(shè)備信息,比如開始地址、中斷號等;加載驅(qū)動程序時,就可以根據(jù)這些信息來識別設(shè)備。(2)驅(qū)動程序本身沒有設(shè)備信息,但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他
NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關(guān)。NAND Flash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell,一般來說,一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位,連成bit line,形成所謂的
TrendForce存儲器研究(DRAMeXchange)分析,中美貿(mào)易沖擊升溫、英特爾CPU缺貨、蘋果新機出貨量不如預(yù)期等3大因素沖擊,造成NAND Flash旺季不旺,展望明年上半年供過于求的情況恐更加顯著,價格跌勢難止,預(yù)估第1季NAND合約價將再進一步走跌,跌幅約10%。
據(jù)介紹,XPG GAMMIX S11 Pro SSD采用先進的3D NAND閃存,具有256 GB至1 TB的存儲容量。這款SSD采用PCIe Gen3x4接口,支持NVMe 1.3,智能SLC緩存和DRAM緩存,順序讀/寫速度達到3500/3000 MB/s,并提供高達390K/380K IOPS的隨機性能。
這次大概介紹了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法。一、 接線這個開發(fā)板搭載了一個256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下:偷個懶,直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為