MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

據(jù)報道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預(yù)計MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。

東芝和西部數(shù)據(jù)準備推出128層3D NAND，明年或量產(chǎn)上市！

根據(jù)外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。

世強代理兆易創(chuàng)新（GigaDevice），新增NOR Flash、NAND Flash產(chǎn)品

新增NOR Flash、NAND Flash等產(chǎn)品，世強與國內(nèi)存儲及物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新(GigaDevice)簽約。

NAND廠商2018年不開心：容量大幅增長，營收卻跌了17%

回顧2018年全年的銷售表現(xiàn)，盡管各項產(chǎn)品價格逐季走跌，但全年位元出貨量較2017年成長逾40%，整體營收仍持續(xù)成長，并來到歷年來新高點，約632億美元水平，較2017年成長10.9%。

繁榮已過，DRAM今年出貨恐大衰退

由于需求疲弱，繼三星、美光和南亞科后，韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。

SK海力士今年設(shè)備投資大減4成

受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響，今年存儲器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬，SK海力士預(yù)計將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面，隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價格一同下跌，SK海力士計劃靈活應(yīng)對市場行情。

OK6410裸機簡單的NAND FLASH驅(qū)動

OK6410裸機簡單的NANDFLASH驅(qū)動,只寫了個簡單的函數(shù),讀取一頁/**************************************************************************************************************文件名:NandFlash.c*功能:S3C6410N

供過于求難緩解 2019年閃存價格還要降

在過去的2019年，由于全球的NAND閃存全年一直處于供過于求的一個狀況，因此導(dǎo)致其價格一直在下跌，這也就導(dǎo)致了西數(shù)、東芝等閃存大廠毛利率大幅度的下滑。而如今已經(jīng)到了2019年，閃存價格將會怎么走呢。就在近日，調(diào)查機構(gòu)發(fā)布報告稱，2019年，閃存價格還將會保持下降的趨勢。

市場供過于求，今年NAND Flash供應(yīng)商資本支出將減少2%

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓國供應(yīng)商帶頭降低資本支出，NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但仍無法翻轉(zhuǎn)供需失衡情形，2019年轉(zhuǎn)為美國廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%，總支出規(guī)模約為220億美元。

NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，NAND Flash市場經(jīng)歷2018年全年供過于求，2019年在筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)難見起色下，預(yù)計產(chǎn)能過剩難解，因而使得供應(yīng)商進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免單位成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇。

STM32 USB NAND FLASH 模擬U盤

這次是做一個SD卡的USB讀卡器的功能，我們就在上次NAND Flash模擬出的U盤的工程上修改了，這樣的話只要修改一小部分了。工程的絕大部分不需要修改，只要將fsmc_nand.c文件移除工程，添加上官方的關(guān)于SDIO的SD卡的驅(qū)動

NAND or NOR，如何選用合適的閃存進行設(shè)計?

[ARM筆記]驅(qū)動對設(shè)備的識別過程及實例——NAND Flash

驅(qū)動程序識別設(shè)備時，有以下兩種方法：（1）驅(qū)動程序本身帶有設(shè)備信息，比如開始地址、中斷號等；加載驅(qū)動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設(shè)備。（2）驅(qū)動程序本身沒有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)（或以后）根據(jù)其他

s3c2410/s3c2440 nand flash工作原理

NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關(guān)。NAND Flash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的

明年首季或再度跌價10%，三大主因?qū)е翹AND閃存旺季不旺

TrendForce存儲器研究(DRAMeXchange)分析，中美貿(mào)易沖擊升溫、英特爾CPU缺貨、蘋果新機出貨量不如預(yù)期等3大因素沖擊，造成NAND Flash旺季不旺，展望明年上半年供過于求的情況恐更加顯著，價格跌勢難止，預(yù)估第1季NAND合約價將再進一步走跌，跌幅約10%。

基于ARM和NAND Flash的FPGA加載配置在TD-LTE中的實現(xiàn)

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

威剛推出固態(tài)硬盤XPG GAMMIX S11 Pro：3D NAND、支持NVMe 1.3、最高1TB

據(jù)介紹，XPG GAMMIX S11 Pro SSD采用先進的3D NAND閃存，具有256 GB至1 TB的存儲容量。這款SSD采用PCIe Gen3x4接口，支持NVMe 1.3，智能SLC緩存和DRAM緩存，順序讀/寫速度達到3500/3000 MB/s，并提供高達390K/380K IOPS的隨機性能。

基于NAND Flash的轉(zhuǎn)譯層的設(shè)計

SAM4E單片機之旅——16、NAND Flash讀寫

這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。一、 接線這個開發(fā)板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash（MT29F2G08ABAEA）。引腳接線如下：偷個懶，直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為