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新華三服務(wù)器將采用國產(chǎn)閃存：長江存儲自研架構(gòu) 64層閃存
今年9月初，紫光集團旗下的長江存儲宣布量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。今天紫光集團又宣布旗下新華三公司將在自家服務(wù)器產(chǎn)品中使用長江存儲閃存，共同推動在中國
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19納米SLC NAND即將量產(chǎn)
存儲器廠旺宏將于周四(24日)召開法說，公布第3季財報，市場除關(guān)注第4季及明年營運展望，由于第3季大客戶拉貨動能強勁，旺宏庫存去化程度、毛利率表現(xiàn)將受矚，NAND與NOR Flash需求表現(xiàn)、及19納米SLC NAND出貨情況也將成為焦點。
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美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構(gòu)
美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計思路，不過美光與Inte
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128層4D NAND即將量產(chǎn)
據(jù)報道，SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品比以往96層4D Nand芯片的生產(chǎn)效率提高了40%。
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科技進步：中國首次量產(chǎn) 64層3D NAND閃存芯片
近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
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報告：DRAM價格將繼續(xù)走低 二季度內(nèi)存跌幅近10%
據(jù)DRAM Exchange最新報告稱，DRAM市場正在降價、且趨勢是會繼續(xù)走低。 這份報告中指出，今年第二季度，DRAM價格下跌了近10%。目前的狀況是供大于求，這是內(nèi)存市場將持續(xù)下跌的部分原因。對
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最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品
東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合最新的e.MMCTM標準，適用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB產(chǎn)品樣品出貨即日啟動，8GB、32GB、64GB和128GB產(chǎn)品將稍后出貨。
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日本“禍害”全球NAND閃存市場 傳SSD廠商限量供貨、漲價15%
從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場已經(jīng)連跌了6個季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。 關(guān)于NAN
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NAND漲價！模組廠開始囤貨限量供應(yīng)
7月8日，臺灣存儲器模組廠威剛否認了暫停出貨SSD的傳聞，并表示為應(yīng)對目前NAND Flash價格上揚，在前景有待觀察的情形下，將限量供貨，并優(yōu)先支持老客戶。隨著NAND Flash供應(yīng)商陸續(xù)緊縮供給
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改名鎧俠的東芝存儲將有大動作 一切只待閃存漲價
作為NAND閃存的發(fā)明人，雖然市場地位已經(jīng)被三星超越，不過東芝存儲（Toshiba Memory）的名字已經(jīng)為人熟知，可惜今年10月開始這個名字就改為“Kioxia”，公司中文名為“鎧俠株式會社”。
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SK海力士：Q4季度內(nèi)存價格將穩(wěn)定 明年推128層NAND閃存
韓國SK海力士日前發(fā)布財報，Q2季度中營收6.45萬億韓元，同比下滑38%，運營利潤只有6376億韓元，同比暴跌了89%，凈利潤僅為5370億韓元，約合4.6億美元，同比暴跌了88%，創(chuàng)下了三年來最低
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3D NAND 閃存高密度發(fā)展，未來將走向何方？
3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash，3D NAND 閃存)的高密度發(fā)展正如火如荼地進行著。通過增加存儲單元(Memory Cell)在垂直方向上的堆疊(3D堆疊)數(shù)量(Word Line的堆疊數(shù))，3D NAND閃存的高密度化、大容量化已經(jīng)基本得以實現(xiàn)。通過融合3D堆疊技術(shù)、多值存儲技術(shù)(在1個存儲單元上存儲多個bit的技術(shù))，獲得了具有較大存儲容量的Silicon Die(硅芯片)。
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庫存壓力未除 NAND Flash第二季價格跌勢難止
全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，今年首季NAND Flash合約價跌幅頗重，展望第二季，因供應(yīng)商庫存壓力未除，第二季價格跌勢恐將難止。今年第一季除了受到傳統(tǒng)淡季
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三星美光等公司加速96層堆棧閃存量產(chǎn) 2020年成為主流
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商東芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故，導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個月，再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國之間的貿(mào)易制裁，連跌了6個季度的閃存市場存在著多種不確定性。 影響閃存價
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光寶科：NAND Flash仍供過于求，下半年趨于緩跌
盡管日前日本NAND Flash大廠東芝爆出停電導(dǎo)致產(chǎn)能受阻的消息，不過，光寶科總執(zhí)行長陳廣中表示，整體來看，NAND Flash整體市況還是處于供過于求，因此預(yù)料下半年報價應(yīng)該還是會處于緩跌走勢。
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三星電子將提高NAND閃存價格 美光有意效法
7月11日消息，據(jù)BusinessKorea報道，三星電子計劃將NAND閃存價格提高10%，且美光科技有意效法。報道稱，NAND閃存的庫存已經(jīng)降至四周，約為DRAM的一半，但需求出現(xiàn)上揚。Busine
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凈利暴跌88%：閃存巨頭計劃年內(nèi)削減15%產(chǎn)量
2019年2季度，SK海力士的NAND閃存出貨量環(huán)比增長了40%，主要原因是該公司增加了72層3D NAND的產(chǎn)量。繼三星推遲254億美元的DRAM工廠項目之后，SK海力士也計劃在今年內(nèi)將3D NAND閃存減產(chǎn)15%，以放緩產(chǎn)能擴張速度。
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第2季旺宏營收季增24% NAND Flash占比63%
存儲器大廠旺宏25日召開線上法說會，并公布2019年第2季營收數(shù)字。營收為74.79億元新臺幣(新臺幣，下同)，較第1季增加24%，較2018年同期減少16%。毛利率27%，較第1季增加2個百分點，較2018年同期則是減少18個百分點。稅后純益2.64億元，每股EPS 0.14元。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)效應(yīng) 群聯(lián)：NAND價格有望再漲30%
NAND Flash近期市況熱門，日韓貿(mào)易戰(zhàn)更讓NAND Flash價格看漲。NAND Flash控制晶片暨模組廠群聯(lián)董事長潘健成表示，7月以來，現(xiàn)貨價格已經(jīng)漲約超過一成，理性來看，未來還有20%至3
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三星回應(yīng)：不會對NAND減產(chǎn)
對于三星來說，由于日本在三種關(guān)鍵材料上的管控，將導(dǎo)致他們有內(nèi)存、OLED屏斷供的風(fēng)險。今天早些時候，有消息稱，由于需求下滑以及日本的出口限制，三星電子和SK海力士計劃削減NAND閃存芯片產(chǎn)量。報道中還
