深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 隨著消費者對電子產品耐用性和性能的期望日益增長，市場上對元器件的選擇標準也在不斷提高。在眾多關鍵組件中，NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲和處理速度上的核心作用，成為了廠商們尤為重視的焦點。在這一背景下，NAND Flash不僅需要滿足基本的存儲需求，更要在性能、可靠性以及耐用性上達到更高的標準。客戶期望的不再僅僅是"夠用"，而是"超越期望"。

近日，在ELEXCON2024深圳國際電子展上，江波龍首次提出了PTM（存儲產品技術制造）商業(yè)模式。該模式的核心在于整合公司的自研存儲芯片、固件、硬件和先進封測制造技術，實現(xiàn)更靈活、更高效的全棧式定制化服務和一站式交付。

同時，江波龍還正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列產品，以創(chuàng)新技術滿足市場對高性能、高可靠性的閃存需求，為PTM商業(yè)模式下的自研存儲芯片注入了新動力。

全新制程工藝 業(yè)界領先性能

新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技術層面實現(xiàn)了重大突破。產品采用2xnm工藝，不僅實現(xiàn)了業(yè)界領先的166MHz工作頻率，而且在電路設計上進行了創(chuàng)新，有效降低了噪聲干擾，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的快速讀寫。在性能及容量不斷提升的同時，各應用場景對于可靠性和微型化的要求并未降低。工程師團隊針對不同SoC方案，通過高精度電路和改進的讀寫算法，集成了具有更強糾錯能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基礎上，F(xiàn)ORESEE SLC NAND Flash具備更卓越的數(shù)據(jù)保持能力和擦寫耐用性。

經過江波龍全面的測試流程驗證，該產品能夠滿足10萬次擦寫性能和10年數(shù)據(jù)保持時間的嚴苛要求。

自研Flash芯片 探索多元選擇

FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)兩種主流接口選項，并提供2Gb、4Gb和8Gb等多種容量選擇，支持-40~85℃至-40~105℃的寬溫工作環(huán)境，確保在極端環(huán)境下也能穩(wěn)定運行。此外，WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多樣化封裝形式，為不同應用場景提供了靈活的集成設計方案。該款產品廣泛應用于xPON、WiFi路由器、IPC、MIFI和CPE等市場，為智能設備提供了強大的數(shù)據(jù)存儲支持。

迎接WiFi7時代 定制客戶未來所需

以無線路由器設備為例，當前WiFi5&6使用的主流閃存容量為1Gbit甚至容量更小的128Mbit，但隨著WiFi7路由器、FTTR等高性能設備逐漸開始商用，需要使用2Gbit SLC NAND Flash才能夠滿足其系統(tǒng)要求。同時，當前主流的SPI NAND Flash主頻規(guī)格為120MHz，未來隨著AI及邊緣計算的規(guī)?；l(fā)展，133MHz和166MHz的更高主頻規(guī)格將有望成為市場"新寵"。

FORESEE團隊深刻理解客戶需求，為了滿足市場對讀取性能的需求，F(xiàn)ORESEE 2Gb SPI NAND Flash產品支持DTR模式，在不升頻的情況下，支持時鐘上升沿及下降沿接收地址信息并傳送數(shù)據(jù)，并在Quad SPI模式下實現(xiàn)了數(shù)據(jù)吞吐量的顯著提升。此外，團隊通過不斷優(yōu)化芯片設計，產品還加入了內部cache的頁數(shù)據(jù)搬移技術，極大提高了文件系統(tǒng)效率和關鍵數(shù)據(jù)的調用效率。

控制器與Flash設計+固件開發(fā)+封測制造

存儲芯片完整垂直整合能力

通過在NAND Flash、主控芯片和封測制造能力的一系列布局，江波龍在技術、制程工藝、產能效率以及供應鏈管理等方面實現(xiàn)了質的飛躍，進一步提升在存儲芯片領域的綜合競爭力。從芯片設計到產品測試，再到規(guī)?；慨a，江波龍已構建起存儲芯片完整的垂直整合能力，為客戶提供一站式存儲產品技術制造的全棧定制服務。

未來，江波龍研發(fā)團隊將不斷深化SLC NAND Flash芯片設計能力，持續(xù)優(yōu)化產品規(guī)格，增強SLC NAND Flash的易用性，為MLC NAND Flash的自主批量生產做好充分準備，以適應不斷變化的市場需求。同時，公司將繼續(xù)深入挖掘NAND Flash、DRAM、主控芯片的應用潛力，并融合前瞻性技術，尋求更先進的工藝節(jié)點來設計產品，從而加強產品線的協(xié)同效應，實現(xiàn)存儲性能與成本效益的最優(yōu)平衡，更好地服務全球客戶。