IR 推出200V DirectFET MOSFET

國(guó)際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

Fairchild 擴(kuò)充低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.

TI 推出4A高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

TI 推出4A高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

驅(qū)動(dòng)多個(gè)固態(tài)繼電器的單個(gè)振蕩器

驅(qū)動(dòng)多個(gè)固態(tài)繼電器的單個(gè)振蕩器

電源模塊設(shè)計(jì)分析

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器 (參看圖1)，其特點(diǎn)是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP)、微處理器、存儲(chǔ)器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。

電源模塊設(shè)計(jì)分析

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器 (參看圖1)，其特點(diǎn)是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP)、微處理器、存儲(chǔ)器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。

擴(kuò)展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級(jí)聯(lián) MOSFET

　IC 升壓穩(wěn)壓器面向需要將電池電壓升高的便攜系統(tǒng)應(yīng)用，它往往有一個(gè)能驅(qū)動(dòng)儲(chǔ)能電感的輸出晶體管。

能改進(jìn)動(dòng)圈表頭對(duì)小電流測(cè)量的MOSFET

以前曾經(jīng)有一個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了用動(dòng)圈模擬表頭測(cè)量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻(xiàn) 1）。

IR推出100V集成MOSFET方案

IR推出新型DirectFET MOSFET

IR推出新型DirectFET MOSFET

IR推出新型DirectFET MOSFET