凌力爾特用N溝道MOSFET取代肖特基二極管

凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的雙路理想二極管“或”控制器LTC4355允許在高可用性系統(tǒng)中用N溝道MOSFET取代肖特基二極管，并具有廣泛的故障監(jiān)視功能以診斷電源故障。以這種方式形成的輸入電源二

ROHM開(kāi)發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

ROHM株式會(huì)社最近開(kāi)發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的「MPT6Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電

Zetex 推出新型自保護(hù)MOSFET

Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過(guò)獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。

飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降時(shí)間，能夠迅速開(kāi)啟

Zetex 推出N溝道增強(qiáng)模式MOSFET

Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。

Holtek 推出高壓MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器

HOLTEK半導(dǎo)體針對(duì)三相直流無(wú)刷馬達(dá)控制領(lǐng)域，推出專用MCU-HT45RM03并搭配高壓MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)器 - HT45B0C (High Voltage MOSFET Driver)，提供客戶在三相直流無(wú)刷馬達(dá)的控制應(yīng)用領(lǐng)域上一個(gè)整體方案。

Holtek 推出高壓MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器

HOLTEK半導(dǎo)體針對(duì)三相直流無(wú)刷馬達(dá)控制領(lǐng)域，推出專用MCU-HT45RM03并搭配高壓MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)器 - HT45B0C (High Voltage MOSFET Driver)，提供客戶在三相直流無(wú)刷馬達(dá)的控制應(yīng)用領(lǐng)域上一個(gè)整體方案。

瑞薩 發(fā)布功率因數(shù)校正控制IC

瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出業(yè)界第一款可實(shí)現(xiàn)間插操作的臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正控制IC R2A20112，可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字家電等產(chǎn)品的電源單元PFC電路。

瑞薩 發(fā)布功率因數(shù)校正控制IC

瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出業(yè)界第一款可實(shí)現(xiàn)間插操作的臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正控制IC R2A20112，可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字家電等產(chǎn)品的電源單元PFC電路。

Vishay 提供免費(fèi)在線MOSFET熱模擬工具

Vishay Intertechnology, Inc.在其網(wǎng)站上推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計(jì)人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運(yùn)行時(shí)的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。

Vishay 提供免費(fèi)在線MOSFET熱模擬工具

Vishay Intertechnology, Inc.在其網(wǎng)站上推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計(jì)人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運(yùn)行時(shí)的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國(guó)際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國(guó)際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國(guó)際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。

Fairchild 擴(kuò)充低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.

TI 推出4A高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器