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【記者博客】關(guān)注基板
一直想為2月26日上市的任天堂新款便攜式游戲機(jī)“任天堂3DS”寫點(diǎn)什么，但既然S記者已經(jīng)正式在博客中為3DS撰文，日后與3DS相關(guān)的報(bào)道和博客也會(huì)不斷更新。因此，這次筆者決定把目光轉(zhuǎn)向自己負(fù)責(zé)的《日經(jīng)電子》雜志2月
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Wolfgang Mayrhuber當(dāng)選英飛凌新一屆監(jiān)事會(huì)主席
英飛凌科技股份公司年度股東大會(huì)于德國(guó)紐必堡時(shí)間2011年2月17日任命Wolfgang Mayrhuber為監(jiān)事會(huì)股東代表（98.4%的得票率）。繼年度股東大會(huì)之后，監(jiān)事會(huì)一致推選Wolfgang Mayrhuber為其新一屆主席。Wolfgang Mayr
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法官下達(dá)初步禁令禁止摩托羅拉泄露華為機(jī)密
北京時(shí)間2月23日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，華為贏得了美國(guó)法院下達(dá)的一個(gè)初步禁止令，禁止摩托羅拉在與諾西網(wǎng)絡(luò)的交易中移交華為的商業(yè)機(jī)密。芝加哥聯(lián)邦法官本周二下達(dá)的禁制令禁止摩托羅拉移交與華為對(duì)這個(gè)有爭(zhēng)議的解決
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Wolfgang Mayrhuber當(dāng)選英飛凌新一屆監(jiān)事會(huì)主席
21ic訊 英飛凌科技股份公司年度股東大會(huì)于德國(guó)紐必堡時(shí)間2011年2月17日任命Wolfgang Mayrhuber為監(jiān)事會(huì)股東代表（98.4%的得票率）。繼年度股東大會(huì)之后，監(jiān)事會(huì)一致推選Wolfgang Mayrhuber為其新一屆主席。Wolfgang
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發(fā)展硅襯底LED技術(shù)形成自主創(chuàng)新品牌
科技部近日發(fā)文(國(guó)科發(fā)計(jì)(2011)5號(hào))，決定在全國(guó)范圍內(nèi)新組建29個(gè)國(guó)家工程技術(shù)研究中心，其中，國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心成為本次組建項(xiàng)目之一，依托單位為南昌大學(xué)。這是我國(guó)第一個(gè)國(guó)家級(jí)LED工程技術(shù)研究中心。組
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新材料拉動(dòng)RF功率器件市場(chǎng)
『據(jù)ABIResearch網(wǎng)站2011年1月26日?qǐng)?bào)道』雖然RF（射頻）功率半導(dǎo)體在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)仍處于停滯狀態(tài)，但在其他市場(chǎng)，尤其是軍品市場(chǎng)，形勢(shì)已開始好轉(zhuǎn)。據(jù)美國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ABIResearch最新報(bào)告指出，GaN（氮化鎵）作
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Veeco發(fā)表生產(chǎn)HB LED的MaxBright™ GaN MOCVD
日前，Veeco宣布，其引進(jìn)的TurboDisc®MaxBright™氮化鎵（GaN）有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）多反應(yīng)器系統(tǒng)，用于生產(chǎn)HBled。 Veeco介紹，MaxBright利用Veeco的FlowFlange®集群架構(gòu)自動(dòng)化技術(shù)和專
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分析稱谷歌慈善機(jī)構(gòu)Google.org未實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)
導(dǎo)語：《紐約時(shí)報(bào)》周六刊文指出，谷歌的慈善機(jī)構(gòu)Google.org曾讓非營(yíng)利機(jī)構(gòu)興奮不已，但近五年的時(shí)間過去了，Google.org并未實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)。以下為文章內(nèi)容摘要：在谷歌于2004年IPO(首次公開募股)前，公司聯(lián)合創(chuàng)始人拉
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Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項(xiàng)目
Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關(guān)于GaN半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項(xiàng)目。該項(xiàng)目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。
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德研究報(bào)告檢討德公司在印度太陽能項(xiàng)目招標(biāo)中零收獲
據(jù)德新社(DPA)報(bào)道，2010年德公司在印度太陽能項(xiàng)目招標(biāo)中零收獲，從而引發(fā)關(guān)于德太陽能企業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)注。去年1月，印度政府發(fā)布太陽能發(fā)展規(guī)劃，提出太陽能安裝容量從目前幾乎為0至2022年提升至20吉瓦(相當(dāng)于20
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印度太陽能項(xiàng)目德國(guó)零中標(biāo)原因
2010年德公司在印度太陽能項(xiàng)目招標(biāo)中零收獲，從而引發(fā)關(guān)于德太陽能企業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)注。去年1月，印度政府發(fā)布太陽能發(fā)展規(guī)劃，提出太陽能安裝容量從目前幾乎為0至2022年提升至20吉瓦(相當(dāng)于20座核電站)的目標(biāo)。
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歐司朗直接綠色放射雷射研究獲得貝庫茨基金會(huì)頒獎(jiǎng)
近日， 歐司朗光電半導(dǎo)體公司 因在直接綠色放射雷射(direct green-emitting laser)研究領(lǐng)域具有卓越貢獻(xiàn)而獲得貝庫茨基金會(huì)頒獎(jiǎng)。 歐司朗是 亞光(3019) 客戶 MicroVision 的合成綠色雷射供應(yīng)商。MicroVision在此前宣
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英飛凌提名監(jiān)事會(huì)主席和新的首席財(cái)務(wù)官
日前，英飛凌監(jiān)事會(huì)提名Wolfgang Mayrhuber（63歲）出任監(jiān)事會(huì)主席。于2011年2月17日召開的2011年年度股東大會(huì)（AGM）上，監(jiān)事會(huì)將提議選舉Wolfgang Mayrhuber加入監(jiān)事會(huì)。2011年年度股東大會(huì)結(jié)束后，目前擔(dān)任此職
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報(bào)告稱云計(jì)算未來5年可為歐洲節(jié)省6450億歐元
英國(guó)經(jīng)濟(jì)與商務(wù)研究中心(Centre for Economics and Business Research)的一份報(bào)告顯示，如果歐盟五個(gè)最大的經(jīng)濟(jì)體在部分服務(wù)中采用云計(jì)算，他們?cè)谖磥砦迥觊g一共可以節(jié)省6450億歐元。 以英國(guó)為例，如果能大力推廣
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英飛凌提名Wolfgang Mayrhuber出任監(jiān)事會(huì)主席
今天，英飛凌監(jiān)事會(huì)提名Wolfgang Mayrhuber（63歲）出任監(jiān)事會(huì)主席。在將于2011年2月17日召開的2011年年度股東大會(huì)（AGM）上，監(jiān)事會(huì)將提議選舉Wolfgang Mayrhuber加入監(jiān)事會(huì)。2011年年度股東大會(huì)結(jié)束后，目前擔(dān)任此
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新世紀(jì)周刊：印度電信腐敗難局
拉賈(Andimuthu Raja)原本只是印度南部一個(gè)名不見經(jīng)傳的小鎮(zhèn)律師，沒有電信或商業(yè)方面的任何資歷。2007年，他卻一躍成為印度經(jīng)濟(jì)命脈電信部掌門人，統(tǒng)領(lǐng)世界上發(fā)展最快的手機(jī)市場(chǎng)。原因很簡(jiǎn)單：他得到了所在黨派DMK領(lǐng)
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聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片出貨量重登高峰
IC設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科近期營(yíng)運(yùn)回溫，受惠產(chǎn)品售價(jià)調(diào)降及中國(guó)農(nóng)歷年拉貨效應(yīng)激勵(lì)下，市場(chǎng)直指聯(lián)發(fā)科第4季手機(jī)芯片出貨量將重回歷史高峰單月2,000萬套的水平。聯(lián)發(fā)科表示，單月出貨量還無法確定，不過12月因?yàn)橛修r(nóng)歷年前拉
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美國(guó)有線電視訂戶數(shù)下滑 觀眾流向網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)
據(jù)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，由于大量更為年輕、精通技術(shù)的觀眾選擇在諸如Hulu和Netflix這樣的視頻網(wǎng)站上觀看電視節(jié)目，美國(guó)有線電視訂戶數(shù)呈現(xiàn)三十年來最大幅度的下滑。 研究公司SNLKagan稱，有線電視、衛(wèi)星和電信公司提
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富士通展示GaN功率晶體管的試制晶圓
富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會(huì)展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線所在的會(huì)津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于20
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
張老板
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王林鑫
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