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積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED

普瑞光電(Bridgelux)正與全球半導(dǎo)體大廠洽談代工生產(chǎn)矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon,簡(jiǎn)稱GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)細(xì)節(jié)，預(yù)定2013年初導(dǎo)入量產(chǎn)。普瑞光電行銷副總裁JasonPosselt表示，繼八吋晶圓廠后，普瑞光電下一步尋

顯示光電
2012-03-25

LED 氮化鎵基板 GAN
硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在

數(shù)字電源
2012-03-24

晶片溫度 LED GAN
Google+ 更新帶來相冊(cè)管理（Organizer）功能，讓你可以批次刪除、排序相簿照片

還有在用 Google+ 的朋友們（默）應(yīng)該會(huì)對(duì)此消息感到興奮 -- 他們打算把比較好用的相片管理接口放進(jìn)這個(gè)社群網(wǎng)站中了（畢竟... Google 不是有自己的相冊(cè)嗎？）。根據(jù)相冊(cè)開發(fā)工程師 Isaac Sparrow 盡責(zé)地在 Google+

充電吧
2012-03-16

開發(fā)工程師 GOOGLE ORGANIZER GAN
利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

顯示光電
2012-03-14

PS LED 基板 GAN
阿曼Nawras演示LTE網(wǎng)絡(luò) 領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

北京時(shí)間3月13日早間消息（蔣均牧）阿曼Nawras日前進(jìn)行了第一次LTE網(wǎng)絡(luò)公開演示，以LTE和全光網(wǎng)部署了馬斯喀特大商場(chǎng)（Muscat Grand Mall）。Nawras首席技術(shù)官沃爾夫?qū)?amp;middot;維姆霍夫（Wolfgang Wemhoff）表示：&

通信技術(shù)
2012-03-13

電信 LTE網(wǎng)絡(luò) WIMAX GAN
SiC/GaN功率半導(dǎo)體面臨測(cè)試新挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體材料最近引來不少關(guān)注。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅對(duì)于設(shè)備生產(chǎn)商的運(yùn)行性能已經(jīng)逼近極限。功率半導(dǎo)體用戶需要更高效的、切換時(shí)損失電力不那么多的設(shè)備。因此功率半導(dǎo)體廠商開始轉(zhuǎn)向替代材料，更具體地說是碳化硅

模擬
2012-03-13

功率半導(dǎo)體示波器 SIC GAN
利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

數(shù)字電源
2012-03-12

PS LED 基板 GAN
3D活體器官生物打印機(jī)在美成功發(fā)明

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，器官移植拯救了很多人的生命，但這項(xiàng)技術(shù)也存在器官來源不足、排異反應(yīng)難以避免等弊端。不過，隨著未來“生物打印機(jī)”的問世，這些問題將迎刃而解。或許，醫(yī)生有朝一日可以“按需打印

醫(yī)療電子
2012-03-09

打印機(jī) 3D模型 GAN
PLD技術(shù)在功能薄膜材料研究中的應(yīng)用

薄膜材料已在半導(dǎo)體材料、超導(dǎo)材料、生物材料、微電子元件等方面得到廣泛應(yīng)用。為了得到高質(zhì)量的薄膜材料，脈沖激光沉積技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。本文介紹了脈沖激光沉積(PLD)薄膜技術(shù)的原理及特點(diǎn)，分析了脈沖激光沉積

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-03-07

薄膜溫度 PLD GAN
日LED大廠告璨圓侵權(quán)

日本LED大廠豐田合成（ToyodaGosei）上周五向桃園地方法院針對(duì)璨圓提出侵權(quán)控告，主張璨圓所生制的氮化鎵（GaN）系列LED侵害兩件發(fā)明專利權(quán)，璨圓昨（28）日公告，尚未收到任何法院文件，已委請(qǐng)專利律師因應(yīng)法律程序

顯示光電
2012-03-01

豐田專利侵權(quán) LED GAN
白色LED發(fā)展史（一）：獨(dú)家壟斷崩潰，迎來競(jìng)爭(zhēng)時(shí)代

白色LED是液晶電視及手機(jī)等配備的液晶顯示器不可缺少的背照燈光源。最近，LED作為照明器具光源受到的關(guān)注越來越高。由藍(lán)色LED與螢光體組合而成、并在今天獲得廣泛市場(chǎng)的白色LED問世于1996年。最初是作為實(shí)現(xiàn)手機(jī)液晶

顯示光電
2012-02-24

電子 LED GAN
傳三菱化學(xué)10月量產(chǎn)LED用GaN襯底耗電可降70%

據(jù)日經(jīng)新聞23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三菱化學(xué)(Mitsubishi Chemical)計(jì)劃于今(2012)年10月開始量產(chǎn)使用于LED的氮化鎵(GaN)襯底，因其電光轉(zhuǎn)換率高(將電力轉(zhuǎn)換成光的效率)，故搭載該GaN襯底的LED照明的耗電力可較現(xiàn)行產(chǎn)品刪減50-70%。

消費(fèi)電子
2012-02-24

電力 CHEMICAL LED GAN
南昌大學(xué)LED照明項(xiàng)目獲國(guó)家“863計(jì)劃”重點(diǎn)支持

近日，科技部公布“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單，全國(guó)共有14項(xiàng)課題獲得立項(xiàng)，其中南昌大學(xué)申報(bào)的“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長(zhǎng)、芯

消費(fèi)電子
2012-02-20

新材料 LED芯片 LED照明 GAN
俄指其市場(chǎng)的中國(guó)LED等節(jié)能燈產(chǎn)品“魚目混珠”

俄媒近日指出，歐洲三分之二以上節(jié)能燈從中國(guó)進(jìn)口，目前中國(guó)制造的螢光和LED等節(jié)能燈產(chǎn)品在俄已占到60%的市場(chǎng)份額。俄OPTOGAN公司總裁列夫稱，中國(guó)制造的節(jié)能燈產(chǎn)品最大的問題是品質(zhì)低劣，不符合相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)保要

顯示光電
2012-02-20

中國(guó)制造 LED GAN
Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈

Soraa是世界領(lǐng)先的氮化鎵開發(fā)商，開發(fā)了世界上第一個(gè)商業(yè)氮化鎵LED產(chǎn)品。Soraa成立于2008年，創(chuàng)辦人之一的中村修二擁有“藍(lán)光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品——被稱為L(zhǎng)ED2.0技術(shù)的LED照明產(chǎn)品

顯示光電
2012-02-16

LEDS MR16 氮化鎵 GAN
俄媒指出中國(guó)大量偽劣節(jié)能燈充斥其市場(chǎng)

2月14日俄媒體報(bào)導(dǎo)，中國(guó)節(jié)能燈產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進(jìn)，2001年至2006年間，以年均48%的速度遞增。中國(guó)制造的各類節(jié)能燈在世界各地銷售市場(chǎng)隨處可見。其中歐洲三分之二以上的節(jié)能燈從中國(guó)進(jìn)口。俄OPTOGAN公司總裁列夫稱

顯示光電
2012-02-15

中國(guó)制造 LED GAN
中科半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)LED芯片年銷售額沖刺10億元人民幣

揚(yáng)州中科半導(dǎo)體照明有限公司是一家專業(yè)從事藍(lán)光GaN-LED高端外延片及芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，根據(jù)專案規(guī)劃，該企業(yè)總產(chǎn)能為年產(chǎn)240萬(wàn)張外延及芯片。今年，新增50臺(tái)MOCVD將全部達(dá)產(chǎn)，進(jìn)入大陸同行業(yè)前五，

顯示光電
2012-02-14

半導(dǎo)體芯片 LED芯片 GAN
南昌大學(xué)LED照明項(xiàng)目獲國(guó)家“863計(jì)劃”重點(diǎn)支持

近日，科技部公布“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單，全國(guó)共有14項(xiàng)課題獲

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-02-13

LED芯片 LED照明 GAN
江西LED照明專案獲政府資助超5000萬(wàn)元人民幣

2月9日，江西省科技廳透露，江西省“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長(zhǎng)、芯片制備及封裝技術(shù)” 課題獲得“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃資助5000多萬(wàn)元人民幣，居全國(guó)14項(xiàng)課題之首，占該重大專項(xiàng)總金額的21.6%。近日，

顯示光電
2012-02-10

封裝技術(shù) LED芯片 LED照明 GAN
德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步壯大GaN FET 驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品陣營(yíng)

高靈活低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器帶來高效率與高電源密度日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 LM5114 可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)

功率器件
2012-02-07

柵極驅(qū)動(dòng)器 FET GAN

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GAN

積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED

硅上GaN LED分析

Google+ 更新帶來相冊(cè)管理（Organizer）功能，讓你可以批次刪除、排序相簿照片

利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

阿曼Nawras演示LTE網(wǎng)絡(luò) 領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

SiC/GaN功率半導(dǎo)體面臨測(cè)試新挑戰(zhàn)

利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

3D活體器官生物打印機(jī)在美成功發(fā)明

PLD技術(shù)在功能薄膜材料研究中的應(yīng)用

日LED大廠告璨圓侵權(quán)

白色LED發(fā)展史（一）：獨(dú)家壟斷崩潰，迎來競(jìng)爭(zhēng)時(shí)代

傳三菱化學(xué)10月量產(chǎn)LED用GaN襯底耗電可降70%

南昌大學(xué)LED照明項(xiàng)目獲國(guó)家“863計(jì)劃”重點(diǎn)支持

俄指其市場(chǎng)的中國(guó)LED等節(jié)能燈產(chǎn)品“魚目混珠”

Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈

俄媒指出中國(guó)大量偽劣節(jié)能燈充斥其市場(chǎng)

中科半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)LED芯片年銷售額沖刺10億元人民幣

南昌大學(xué)LED照明項(xiàng)目獲國(guó)家“863計(jì)劃”重點(diǎn)支持

江西LED照明專案獲政府資助超5000萬(wàn)元人民幣

德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步壯大GaN FET 驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品陣營(yíng)

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