普瑞光電(Bridgelux)正與全球半導(dǎo)體大廠洽談代工生產(chǎn)矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon,簡(jiǎn)稱GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)細(xì)節(jié),預(yù)定2013年初導(dǎo)入量產(chǎn)。普瑞光電行銷副總裁JasonPosselt表示,繼八吋晶圓廠后,普瑞光電下一步尋
硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率,制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
還有在用 Google+ 的朋友們(默)應(yīng)該會(huì)對(duì)此消息感到興奮 -- 他們打算把比較好用的相片管理接口放進(jìn)這個(gè)社群網(wǎng)站中了(畢竟... Google 不是有自己的相冊(cè)嗎?)。根據(jù)相冊(cè)開發(fā)工程師 Isaac Sparrow 盡責(zé)地在 Google+
近幾年來III族氮化物(III-Nitride)高亮度發(fā)光二極體(High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED)深獲廣大重視,目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上,GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方
北京時(shí)間3月13日早間消息(蔣均牧)阿曼Nawras日前進(jìn)行了第一次LTE網(wǎng)絡(luò)公開演示,以LTE和全光網(wǎng)部署了馬斯喀特大商場(chǎng)(Muscat Grand Mall)。Nawras首席技術(shù)官沃爾夫?qū)?amp;middot;維姆霍夫(Wolfgang Wemhoff)表示:&
半導(dǎo)體材料最近引來不少關(guān)注。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,硅對(duì)于設(shè)備生產(chǎn)商的運(yùn)行性能已經(jīng)逼近極限。功率半導(dǎo)體用戶需要更高效的、切換時(shí)損失電力不那么多的設(shè)備。 因此功率半導(dǎo)體廠商開始轉(zhuǎn)向替代材料,更具體地說是碳化硅
近幾年來III族氮化物(III-Nitride)高亮度發(fā)光二極體(High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED)深獲廣大重視,目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上,GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,器官移植拯救了很多人的生命,但這項(xiàng)技術(shù)也存在器官來源不足、排異反應(yīng)難以避免等弊端。不過,隨著未來“生物打印機(jī)”的問世,這些問題將迎刃而解。或許,醫(yī)生有朝一日可以“按需打印
薄膜材料已在半導(dǎo)體材料、超導(dǎo)材料、生物材料、微電子元件等方面得到廣泛應(yīng)用。為了得到高質(zhì)量的薄膜材料,脈沖激光沉積技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。本文介紹了脈沖激光沉積(PLD)薄膜技術(shù)的原理及特點(diǎn),分析了脈沖激光沉積
日本LED大廠豐田合成(ToyodaGosei)上周五向桃園地方法院針對(duì)璨圓提出侵權(quán)控告,主張璨圓所生制的氮化鎵(GaN)系列LED侵害兩件發(fā)明專利權(quán),璨圓昨(28)日公告,尚未收到任何法院文件,已委請(qǐng)專利律師因應(yīng)法律程序
白色LED是液晶電視及手機(jī)等配備的液晶顯示器不可缺少的背照燈光源。最近,LED作為照明器具光源受到的關(guān)注越來越高。由藍(lán)色LED與螢光體組合而成、并在今天獲得廣泛市場(chǎng)的白色LED問世于1996年。最初是作為實(shí)現(xiàn)手機(jī)液晶
據(jù)日經(jīng)新聞23日?qǐng)?bào)導(dǎo),三菱化學(xué)(Mitsubishi Chemical)計(jì)劃于今(2012)年10月開始量產(chǎn)使用于LED的氮化鎵(GaN)襯底,因其電光轉(zhuǎn)換率高(將電力轉(zhuǎn)換成光的效率),故搭載該GaN襯底的LED照明的耗電力可較現(xiàn)行產(chǎn)品刪減50-70%。
近日,科技部公布“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單,全國(guó)共有14項(xiàng)課題獲得立項(xiàng),其中南昌大學(xué)申報(bào)的“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長(zhǎng)、芯
俄媒近日指出,歐洲三分之二以上節(jié)能燈從中國(guó)進(jìn)口,目前中國(guó)制造的螢光和LED等節(jié)能燈產(chǎn)品在俄已占到60%的市場(chǎng)份額。俄OPTOGAN公司總裁列夫稱,中國(guó)制造的節(jié)能燈產(chǎn)品最大的問題是品質(zhì)低劣,不符合相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)保要
Soraa是世界領(lǐng)先的氮化鎵開發(fā)商,開發(fā)了世界上第一個(gè)商業(yè)氮化鎵LED產(chǎn)品。Soraa成立于2008年,創(chuàng)辦人之一的中村修二擁有“藍(lán)光LED之父”的美名。近日,Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品——被稱為L(zhǎng)ED2.0技術(shù)的LED照明產(chǎn)品
2月14日俄媒體報(bào)導(dǎo),中國(guó)節(jié)能燈產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進(jìn),2001年至2006年間,以年均48%的速度遞增。中國(guó)制造的各類節(jié)能燈在世界各地銷售市場(chǎng)隨處可見。其中歐洲三分之二以上的節(jié)能燈從中國(guó)進(jìn)口。 俄OPTOGAN公司總裁列夫稱
揚(yáng)州中科半導(dǎo)體照明有限公司是一家專業(yè)從事藍(lán)光GaN-LED高端外延片及芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè),根據(jù)專案規(guī)劃,該企業(yè)總產(chǎn)能為年產(chǎn)240萬(wàn)張外延及芯片。今年,新增50臺(tái)MOCVD將全部達(dá)產(chǎn),進(jìn)入大陸同行業(yè)前五,
近日,科技部公布“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單,全國(guó)共有14項(xiàng)課題獲
2月9日,江西省科技廳透露,江西省“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長(zhǎng)、芯片制備及封裝技術(shù)” 課題獲得“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃資助5000多萬(wàn)元人民幣,居全國(guó)14項(xiàng)課題之首,占該重大專項(xiàng)總金額的21.6%。 近日,
高靈活低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器帶來高效率與高電源密度日前,德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 LM5114 可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)