富士通半導體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線所在的會津若松市的工廠中進行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于2011年上半年開始樣品供貨。

此次開發(fā)的GaN功率晶體管以在GaN類材料的異質架構上形成的HEMT（高電子移動度晶體管）為原型。通過像MOS FET一樣導入柵極絕緣膜，實現(xiàn)了常閉化。元件的耐壓為700V級，電流容量為20～40A。能在最高200℃的高溫下工作。

富士通半導體計劃首先面向富士通制造的服務器中使用的開關電源量產(chǎn)此次的GaN功率晶體管。與此同時也將面向海外銷售。GaN功率晶體管的優(yōu)點是不僅可用于服務器，“還可用于個人電腦”（富士通半導體的解說員）。例如，個人電腦用的DC-DC轉換器上的耐壓30V的元件，其運行速度、耗電量和芯片面積等均優(yōu)于Si-MOSFET。

富士通半導體計劃在GaN功率晶體管的量產(chǎn)中最初使用直徑150mm的硅晶圓，之后再加大到200mm以上。將來“還要使用300mm的生產(chǎn)線”（解說員）。（記者：大下 淳一）

試制晶圓展示（點擊放大）

還展出了封裝后的產(chǎn)品（點擊放大）