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AZZURRO實現(xiàn)150mm(6吋)晶圓GaN-on-Si制造可顯著降低LED成本

AZZURRO半導(dǎo)體成立于2003年，具有專利的大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)，該技術(shù)源自德國Magdeburg大學(xué)，在2010年10月獲得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家創(chuàng)投業(yè)者共1,500萬歐元的資金投入

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2011-06-16

GAN LED 晶圓基板
中興希望印度緩行電信設(shè)備本土制造政策

北京時間6月3日午間消息（張月紅）對于印度對通信和IT業(yè)都鼓勵電信設(shè)備本土化生產(chǎn)的政策，中興通訊表示，希望印度政府放寬時間，留給廠商足夠的時間啟動生產(chǎn)運營。中興印度公司首席執(zhí)行官崔良軍表示，印度是中興的戰(zhàn)

通信技術(shù)
2011-06-03

中興電信設(shè)備 GAN
IMEC成功在200mm硅晶圓襯底上制出高質(zhì)量GaN基MIS-HEMT器件

歐洲研究機構(gòu)IMEC與其合作伙伴最近成功在200mm規(guī)格硅襯底上制造出了高質(zhì)量的GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)層，雙方目前正合作研究基于氮化鎵材料的HEMT（High electron mobility transistor：高電子遷移率晶體管）異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體管

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2011-05-27

器件硅晶圓 MT GAN
思杰任命思科和Sun前高管為副總裁

新浪科技訊北京時間5月19日晚間消息，思杰系統(tǒng)(Citrix Systems)日前宣布，任命西蒙·海耶斯(Simon Hayes)為公司戰(zhàn)略聯(lián)盟副總裁，任命喬·凱勒(Joe Keller)為公司聯(lián)盟及社區(qū)營銷副總裁。海耶斯曾在思科任職14年

消費電子
2011-05-20

思科 SYSTEMS TECHNOLOGY GAN
LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激

顯示光電
2011-05-11

CMOS SIC GAN LED
LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激

數(shù)字電源
2011-05-09

電極 SIC GAN LED
日本開發(fā)出使用氧化鎵基板的GaN類led元件

　日本田村制作所與光波公司日前宣布，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，開發(fā)的LED元件與以前使用藍寶石基板的LED元件相比，每單位面積可流過10倍以上的電流。　　外媒報導(dǎo)，日本田村制作所與光波公司，開發(fā)

顯示光電
2011-04-19

元件 GAN LED 基板
華延芯光鄂爾多斯30臺MOCVD項目即將開工建設(shè)

蒙西LED光電產(chǎn)業(yè)集群區(qū)將計劃于4月18日在鄂爾多斯新能源產(chǎn)業(yè)示范區(qū)新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)舉行奠基慶典。按照此前的項目環(huán)評公示，其中LED外延、芯片項目建設(shè)年限為2011-2013年，項目建設(shè)規(guī)模為年產(chǎn)3英寸GaN-LED外延片720萬片。

消費電子
2011-04-18

LED封裝 SMD 白光LED GAN
日本開發(fā)出使用氧化鎵基板的GaN類led元件

　日本田村制作所與光波公司日前宣布，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，開發(fā)的LED元件與以前使用藍寶石基板的LED元件相比，每單位面積可流過10倍以上的電流。　　外媒報導(dǎo)，日本田村制作所與光波公司，開發(fā)

電源-LED驅(qū)動
2011-04-17

元件 GAN LED 基板
兩岸合資LED項目“開發(fā)晶”年底開工

從“2011中國(廈門)LED室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展論壇”上獲悉，兩岸合資LED項目“開發(fā)晶”，將于2011年底開工建設(shè)，比原計劃2012的6月提前半年動工。廈門開發(fā)晶照明公司由LED芯片商臺灣晶元光電、長

電子設(shè)計自動化
2011-04-13

室內(nèi)照明 LED芯片 GAN LED
穆迪下調(diào)諾基亞信用等級因市場地位下降

4月8日消息，據(jù)國外媒體報道，穆迪公司下調(diào)了諾基亞的信用等級，主要原因是諾基亞的市場地位下降和向微軟Windows Phone軟件過渡的不確定性。穆迪周四稱，它將諾基亞的信用等級從以前的A2下調(diào)到A3。穆迪還把諾基亞的短

通信技術(shù)
2011-04-08

諾基亞 PHONE PRIME GAN
GLOBALFOUNDRIES參加IMEC研發(fā)項目，將開發(fā)22nm CMOS及GaN on Si技術(shù)

比利時IMEC宣布，美國GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)（1）22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長期合作協(xié)議上

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2011-04-07

元件 CMOS GLOBALFOUNDRIES GAN
GlobalFoundries和imec共同研發(fā)22nm節(jié)點以下CMOS技術(shù)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項長期的戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)22nm節(jié)點以下CMOS技術(shù)以及GaN-on-Si技術(shù)。

電子設(shè)計自動化
2011-04-06

節(jié)點 CMOS GLOBALFOUNDRIES GAN
烏干達政府接管由利比亞控股的烏干達電信

北京時間3月30日上午消息（張月紅）烏干達信息與通信技術(shù)部長周二表示，烏干達政府已經(jīng)接管了近日陷入困境的，由利比亞執(zhí)股的烏干達電信。信息與通信技術(shù)部長Aggry Awori在電話采訪中表示，烏干達政府作為監(jiān)管機構(gòu)，

通信技術(shù)
2011-03-30

電信通信技術(shù) MT GAN
硅基GaN擔(dān)當(dāng)下一階段LED成本下降的重任

近日，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc K465i MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設(shè)備。對此，Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研

電子設(shè)計自動化
2011-03-29

硅基 BRIDGE GAN LED
硅襯底GaN有望成為降成本重要途徑之一

近日，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc ?K465i?MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設(shè)備。對此，Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J.Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT

單片機
2011-03-29

三星 BRIDGE GAN 基板
EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

模擬
2011-03-16

器件 FET EPC GAN
普瑞光電推出新型氮化鎵硅襯底LED制造技術(shù)

普瑞光電（Bridgelux）是一家美國LED照明的開發(fā)商與制造商，該公司近日宣布，他們已經(jīng)成功實現(xiàn)了最新的基于硅襯底的LED制造技術(shù)研發(fā)成果。該技術(shù)主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關(guān)負

顯示光電
2011-03-15

光電氮化鎵 GAN LED
EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

功率器件
2011-03-14

器件 FET EPC GAN
EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

電源-LED驅(qū)動
2011-03-14

器件 FET EPC GAN

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GAN

AZZURRO實現(xiàn)150mm(6吋)晶圓GaN-on-Si制造可顯著降低LED成本

中興希望印度緩行電信設(shè)備本土制造政策

IMEC成功在200mm硅晶圓襯底上制出高質(zhì)量GaN基MIS-HEMT器件

思杰任命思科和Sun前高管為副總裁

LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

日本開發(fā)出使用氧化鎵基板的GaN類led元件

華延芯光鄂爾多斯30臺MOCVD項目即將開工建設(shè)

日本開發(fā)出使用氧化鎵基板的GaN類led元件

兩岸合資LED項目“開發(fā)晶”年底開工

穆迪下調(diào)諾基亞信用等級因市場地位下降

GLOBALFOUNDRIES參加IMEC研發(fā)項目，將開發(fā)22nm CMOS及GaN on Si技術(shù)

GlobalFoundries和imec共同研發(fā)22nm節(jié)點以下CMOS技術(shù)

烏干達政府接管由利比亞控股的烏干達電信

硅基GaN擔(dān)當(dāng)下一階段LED成本下降的重任

硅襯底GaN有望成為降成本重要途徑之一

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

普瑞光電推出新型氮化鎵硅襯底LED制造技術(shù)

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

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