摩爾定律是什么?為什么引眾多半導體廠商競相競技、追逐。摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

盡管這種趨勢已經持續(xù)了超過半個世紀，摩爾定律仍應該被認為是觀測或推測，而不是一個物理或自然法。預計定律將持續(xù)到至少2015年或2020年 。然而，2010年國際半導體技術發(fā)展路線圖的更新增長已經放緩在2013年年底，之后的時間里晶體管數(shù)量密度預計只會每三年翻一番。

Intel、三星、臺積電在10nm領域較勁的時候，藍色巨人攜測試版的7nm芯片強勢到來，據悉，相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時因為能容納更多的晶體管(200億+)，效能也會提升50%，從而制造出世界上最強大的芯片。盡管是仍在測試階段，若能夠量產，無疑是令人振奮的消息。聽到這個消息臺積電也坐不住了，剛在日前宣布在2017年量產10nm芯片，現(xiàn)在更進一步表示，7nm芯片的生產將在2018年開始，接下來 Intel該著急了。下面一起盤點一下摩爾定律引發(fā)的半導體廠商之間的爭奪戰(zhàn)。

1、Intel：更新節(jié)奏延緩

英特爾本周發(fā)布了其芯片產品制造計劃和更新，從未來的規(guī)劃來看，英特爾引入全新的制造工藝，推出體積更小、速度更快的晶體管所需要的時間周期已經開始變長。英特爾首席執(zhí)行官Brian Krzanich本周三表示，英特爾計劃在2017年下半年推出第一款10nm工藝的處理器。目前英特爾還沒有具體的生產計劃，而許多觀察家都認為要等到明年某個時候才會正式投產。

為了彌補這一延遲所帶來的影響，英特爾還公布了一份全新的芯片產品設計路線圖，而在明年下半年之前，將會繼續(xù)使用14nm工藝生產產品。雖然10nm 工藝產品要在2017年才問世，但是現(xiàn)在英特爾已經開始了測試。而目前包括PC硬件廠商們也不確定未來將會發(fā)生什么。“客戶的反饋讓人無法預測，這與掌握最先進的技術一樣重要。”Krzanich說道。

2、臺積電： 2017年初量產10nm芯片，2018年生產7nm芯片

臺積電最初計劃今年初量產16nm FinFET工藝，但因為不知道什么原因推遲了，據說甚至要到年底才能量產，而那邊的三星14nm FinFET早已經量產，不但產出了自家的強大八核Exynos 7420，還吸引了高通、索尼、AMD、NVIDIA等大客戶紛紛投奔。

臺積電坐不住了，發(fā)布聲明稱16nm工藝量產的推遲和良品率毫無關系，事實上良品率已經接近成熟水平，甚至能與20nm相媲美了。臺積電的新工藝分為 16nm FinFET、16nm FinFET+兩個版本，內部命名分別是CLN16FF、CLN16FF+。它們將沿用20nm工藝的后端互連架構，并加入FinFET立體晶體管技術，號稱性能可比20nm提升最多40%，同頻下功耗則能分別下降最多15%、30%。臺積電表示，16nm工藝將于第三季度量產。

近日，在英特爾宣布10nm工藝制程推遲到2017下半年量產之后，近日根據臺灣媒體《電子時報》的報道，臺積電表示10nm工藝制程仍在按照計劃進行中。臺積電稱將從明年年末開始生產少量10nm處理器，而大規(guī)模量產則要等到2017年初，現(xiàn)在更進一步：7nm芯片的生產將在2018年開始雖然這意味著在10nm工藝制程上臺積電將領先于英特爾，不過考慮到iPhone 7預計將于明年年下半年發(fā)布，因此iPhone 7將趕不上配備10nm處理器。

3、三星：從目前來看在10nm FinFET芯片制造上處于領先地位

從目前來看，三星在10nm FinFET芯片制造上出于領先地位，不過TSMC也在努力迎頭趕上。傳臺積電2017年初開始大規(guī)模生產10nm處理器，并且與三星采用同樣的技術。今年，三星將與臺積電共同為蘋果制造A9處理器。盡管兩家公司的其它客戶也可受益于此，但蘋果仍然是它們最重要的客戶，預計該公司將在未來數(shù)月到數(shù)年的時間里保持破紀錄的iPhone 銷量。業(yè)內觀察家表示，誰先能夠穩(wěn)定供應10nm芯片，就會拿到蘋果未來iPhone合約的大頭。據估計，與14nm FinFET工藝相比，新芯片將提速20%、并節(jié)能40%。“iPhone 6s”有望配備14nm FinFET芯片，而明年的“iPhone 7”和2016 iPads則會用上 10nm的A10系列處理器。

從目前來看，三星在10nm FinFET芯片制造上出于領先地位

4、IBM：7納米測試芯片

2015年7月，IBM爆出了一個大新聞——他們做出了7納米芯片，利用的材料是硅鍺而不是硅。從國外報道了解到，由IBM研究院牽頭的合作伙伴 GlobalFoundries， 三星電子及紐約州立大學(SUNY)理工學院的納米科學和工程學院(SUNY Poly CNSE)共同協(xié)作，日前宣布已經制造出半導體行業(yè)首款配置功能性晶體管的7納米節(jié)點測試芯片。據悉，該項突破性成果，具備了在指甲蓋大小的芯片上放置 200億只晶體管的能力。而芯片能夠為各種智能設備提供計算能力，小到智能手機，大到宇宙飛船。

為了實現(xiàn)7納米技術能夠達到的更高性能、更低能耗和更強的擴展能力，由IBM研究院聯(lián)盟引領的全新半導體工藝和技術需要眾多的業(yè)界一流的創(chuàng)新技術，其中包括聞名遐邇的鍺化硅(SiGe)通道晶體管和極紫外線(EUV)光刻技術。將這款芯片發(fā)展成熟可能要依賴GlobalFoundries，這家工廠剛剛完成對IBM幾家工廠的收購。

5、GlobalFoundries：14nm芯片產能比肩三星

據外媒KITGURU消息，7月15日，格羅方德(GlobalFoundries)半導體公司他們已經開始使用14nm FinFET(14LPE)工藝為它們的客戶量產芯片。格羅方德表示它們的14nm半導體產能可以比肩三星(Samsung Foundry)。格羅方德的發(fā)言人Jason Gorss表示，他們的14nm爬坡量產已經步入正軌，產能可以等同于盟友三星。格羅方德沒有透露他們每個月能使用14nm LPE工藝生產出多少塊晶圓，但該公司表示，用于14nm FinFET工藝商業(yè)生產的部分重要設備已經安裝好。格羅方德在2014年獲得三星的14LPE和14LPP制作工藝授權，如果格羅方德現(xiàn)在的14nm產能已經等同于三星，這意味著它們實際上已做得比三星更好。

總結：

目前14nm是實現(xiàn)量產的尺寸最小的一代。14nm之后是10nm，10nm之后是7nm。每一代，都被認為要具有更小的特征尺寸。一切順利、上帝垂青的話，那些更小的晶體管組成的電路可能會比上一代運行的更快、功耗更小。芯片制造商正在與物理定律斗爭，但是他們的時間軸也要取決于工藝的經濟效益—— 很多因素，例如良品率(即生產的芯片中能夠正常工作的)和利用晶圓生產芯片過程中的工藝步驟。