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Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”

美國阿爾特拉（Altera）于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產(chǎn)委托給美國英特爾（參閱本站報道）。3月1日，阿爾特拉產(chǎn)品和企業(yè)營銷及技術(shù)服務(wù)副總裁VinceHu在東京通過電話會議系統(tǒng)，向新聞媒體介紹了該制造

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2013-03-06

Altera FPGA 英特爾 FINFET
Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”

美國阿爾特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產(chǎn)委托給美國英特爾【詳情】。3月1日，阿爾特拉產(chǎn)品和企業(yè)營銷及技術(shù)服務(wù)副總裁Vince Hu在東京通過電話會議系統(tǒng)，向新聞媒體介紹了該制造委托協(xié)議。

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2013-03-06

Altera FPGA 英特爾 FINFET
美林：臺積明年上半恐臨「星」挑戰(zhàn)

認(rèn)臺積攻20奈米目前仍具逐步發(fā)展及選擇優(yōu)勢但三星若成功量產(chǎn)14奈米產(chǎn)品恐沖擊臺積在行動裝置的優(yōu)勢半導(dǎo)體三巨頭制程戰(zhàn)，美林證指三星若能在明年上半成功量產(chǎn)14奈米產(chǎn)品，恐沖擊臺積目前在行動裝置的優(yōu)勢。

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2013-03-02

三星臺積電英特爾 FINFET
FPGA進入3D時代 Altera采用英特爾14nm FinFET技術(shù)

近日，Altera宣布將采用英特爾14nm FinFET制程代工其最新款FPGA，但是沒有披露此次合作包括種類和時間的任何細(xì)節(jié)。與此同時Altera還聲明在開發(fā)下一代工藝技術(shù)產(chǎn)品上與TSMC進行了深入合作。借由14nm，Altera確立領(lǐng)先地

電子設(shè)計自動化
2013-02-27

Altera FPGA 英特爾 FINFET
Synopsys通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP來推進對FinFET技術(shù)的采用

為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：即日起提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計綜合解決方案。該解決方

消費電子
2013-02-22

器件 IP SYNOPSYS FINFET
Synopsys通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP來推進對FinFET技術(shù)的采用

為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：即日起提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計綜合解決方案。該解決方案包

電子設(shè)計自動化
2013-02-21

器件 IP SYNOPSYS FINFET
臺積電談基于FinFET的設(shè)計方法：鰭片高度偏差對SRAM影響輕微

在“ISSCC 2013”開幕當(dāng)天即2月17日（美國時間）舉行的“Circuit Design using FinFETs”上，臺積電（TSMC）項目總監(jiān)、首席技術(shù)官許炳堅（Bing J. Sheu）發(fā)表演講，介紹了使用FinFET的標(biāo)準(zhǔn)單元、SRAM及模擬電路的設(shè)計

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2013-02-20

臺積電電源電壓 SRAM FINFET
推進FinFET技術(shù) Synopsys提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP

新思科技公司(Synopsys, Inc.)日前宣布：即日起提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計綜合解決方案。該解決方案包含了一系列DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫IP，其Galaxy實現(xiàn)平臺中經(jīng)芯片驗證過的設(shè)計工具，以及晶圓代工

電子設(shè)計自動化
2013-02-19

器件 IP SYNOPSYS FINFET
TSMC披露工藝計劃和資本支出

2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。 TSMC計劃在2013年1月實現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。資本支出方面

消費電子
2013-02-19

晶體管 SoC TSMC FINFET
雷聲大雨點??？GlobalFoundries稱2015年實現(xiàn)真正的10nm

GlobalFoundries雖然也承認(rèn)自己遇到了一些問題，但并不妨礙對美好前景的展望，比如10nm工藝，就號稱會在2015年實現(xiàn)，而且是真正的10nm。GlobalFoundries執(zhí)行副總裁Mike Noonen在通用平臺論壇會議上很內(nèi)疚地說，該公司

電子設(shè)計自動化
2013-02-18

晶體管 MDASH GLOBALFOUNDRIES FINFET
TSMC披露工藝計劃和資本支出

2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。TSMC計劃在2013年1月實現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。資本支出方面，2012年

電子設(shè)計自動化
2013-02-18

晶體管 SoC TSMC FINFET
SIP、3D IC和FinFET將并存

三者未來會并行存在，各有千秋，不會出現(xiàn)誰排擠誰的現(xiàn)象?！? 明導(dǎo)(Mentor)電子科技有限公司亞太區(qū)技術(shù)總監(jiān)李潤華稱，從系統(tǒng)角度看，SIP(系統(tǒng)封裝)和3D IC通過堆疊，可以把更多的芯片堆疊在一起，在某種程度上，以前

消費電子
2013-02-17

IC IC設(shè)計 SIP FINFET
臺積28納米出貨今年翻3倍

臺積電今年將投入90億美元資本支出，明年還會更高，主要即看好28納米以下先進制程的強勁需求。臺積電董事長張忠謀昨（17）日指出，今年28納米晶圓出貨量將是去年3倍，且第1季28納米毛利率就會優(yōu)于平均水平，臺積電今

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2013-01-18

芯片臺積電應(yīng)用處理器 FINFET
傳臺積電為蘋果神秘產(chǎn)品供貨16納米FinFET芯片

【搜狐數(shù)碼消息】2013年1月17日消息，DigiTimes Research分析師Nobunaga Chai認(rèn)為，臺積電公司正在為蘋果制造一款20nm、集成AP/GPU的芯片。除此之外，分析人士還認(rèn)為，這家臺灣的公司正在為蘋果提供一款16nm FinFET芯

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2013-01-18

蘋果芯片臺積電 FINFET
張忠謀：今年資本支出近9成用于先進產(chǎn)能布建

臺積電(2330)今(17日)召開法說會，臺積電董事長張忠謀也進一步說明資本支出的運用情形。他重申，臺積電目前預(yù)估今年的資本支出為90億美元，當(dāng)中有88%都將用于28/20奈米、16奈米FinFET制程的產(chǎn)能布建，而5%則用于RD研

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2013-01-17

臺積電晶圓廠 ASML FINFET
三星與Synopsys實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明

電子設(shè)計自動化
2013-01-10

晶體管三星 SYNOPSYS FINFET
三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

　　亮點：該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC)該合作為3D器件建模和物理設(shè)計規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ)測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的

電子設(shè)計自動化
2013-01-10

晶體管三星 SYNOPSYS FINFET
三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

加利福尼亞州山景城，2013年1月— 亮點： ? 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC） ? 該合作為3D器件建模和物理設(shè)計規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) ? 測試芯片驗證了FinFET工藝和

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2013-01-09

晶體管三星 SYNOPSYS FINFET
三星領(lǐng)先臺積 14納米進化

三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領(lǐng)先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)

消費電子
2012-12-26

三星處理器臺積電 FINFET
三星領(lǐng)先臺積 14納米進化

三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D鰭式場效晶體管（FinFET）的14納米測試芯片，進度領(lǐng)先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星與安謀（ARM）、益華（Cadence）、

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2012-12-25

三星處理器臺積電 FINFET

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Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”

Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”

美林：臺積明年上半恐臨「星」挑戰(zhàn)

FPGA進入3D時代 Altera采用英特爾14nm FinFET技術(shù)

Synopsys通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP來推進對FinFET技術(shù)的采用

Synopsys通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP來推進對FinFET技術(shù)的采用

臺積電談基于FinFET的設(shè)計方法：鰭片高度偏差對SRAM影響輕微

推進FinFET技術(shù) Synopsys提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP

TSMC披露工藝計劃和資本支出

雷聲大雨點??？GlobalFoundries稱2015年實現(xiàn)真正的10nm

TSMC披露工藝計劃和資本支出

SIP、3D IC和FinFET將并存

臺積28納米出貨今年翻3倍

傳臺積電為蘋果神秘產(chǎn)品供貨16納米FinFET芯片

張忠謀：今年資本支出近9成用于先進產(chǎn)能布建

三星與Synopsys實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

三星領(lǐng)先臺積 14納米進化

三星領(lǐng)先臺積 14納米進化

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