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世界最先進(jìn)EUV光刻機(jī)開(kāi)工！Intel已產(chǎn)3萬(wàn)塊晶圓
2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是當(dāng)今世界上最先進(jìn)的EUV極紫外光刻機(jī)，支持High-NA也就是高孔徑，Intel去年搶先拿下了第一臺(tái)，目前已經(jīng)在俄勒岡州Fab D1晶圓廠安裝部署了兩臺(tái)，正在緊張地研究測(cè)試中。
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俄羅斯宣布自研EUV光刻機(jī)：比ASML更便宜、更容易制造！
12月19日消息，據(jù)報(bào)道，俄羅斯已公布自主開(kāi)發(fā)EUV(極紫外光刻)光刻機(jī)的路線圖，目標(biāo)是比ASML的光刻機(jī)更便宜、更容易制造。
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可繞過(guò)EUV量產(chǎn)5nm！佳能CEO：納米壓印設(shè)備無(wú)法賣(mài)到中國(guó)
11月6日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，佳能公司正計(jì)劃將其新的基于“納米壓印”技術(shù)的芯片制造設(shè)備的價(jià)格定為ASML的EUV光刻機(jī)的1/10。
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繞過(guò)EUV光刻機(jī)技術(shù)！佳能開(kāi)始銷(xiāo)售5nm芯片生產(chǎn)設(shè)備
10月14日消息，光刻機(jī)大廠佳能(Canon)公司近日通過(guò)新聞稿宣布，其已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售基于“納米印刷”(Nanoprinted lithography)技術(shù)的芯片生產(chǎn)設(shè)備 FPA-1200NZ2C。佳能表示，該設(shè)備采用不同于復(fù)雜光刻技術(shù)的方案，可以制造5nm芯片。
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EUV光刻機(jī)也賣(mài)不動(dòng)了 臺(tái)積電40%訂單被砍
4月17日消息，隨著PC、手機(jī)等行業(yè)需求下滑，半導(dǎo)體行業(yè)自從2022年下半年開(kāi)始牛熊周期轉(zhuǎn)換，臺(tái)積電Q1季度業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)罕見(jiàn)低于預(yù)期，現(xiàn)在ASML的EUV光刻機(jī)也賣(mài)不動(dòng)了，臺(tái)積電被曝砍單40%訂單。
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一臺(tái)3億歐元！ASML CEO：High-NA EUV將于2024年出貨
綜合韓聯(lián)社、koreatimes報(bào)道顯示，全球光刻機(jī)龍頭大廠ASML首席執(zhí)行官溫寧克(Peter Wennink)于今日在韓國(guó)首爾召開(kāi)的一場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻機(jī)將于2024年開(kāi)始發(fā)貨，每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格將在3億至3.5億歐元之間。
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無(wú)需EUV光刻機(jī) 我國(guó)首條光子芯片產(chǎn)線明年建成：1000倍性能提升
除了硅基芯片之外，光子芯片也是未來(lái)的一大重點(diǎn)，其原理跟硅芯片不同，運(yùn)算速度可提升1000倍以上，而且不依賴(lài)先進(jìn)的光刻機(jī)，比如EUV光刻機(jī)，因此是各國(guó)爭(zhēng)相發(fā)展的新一代信息科技。來(lái)自《北京日?qǐng)?bào)》的消息，記者從中科鑫通獲悉，國(guó)內(nèi)首條“多材料、跨尺寸”的光子芯片生...
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消費(fèi)電子砍單潮，臺(tái)積電將關(guān)閉4臺(tái)EUV光刻機(jī)！臺(tái)積電：維護(hù)而已
自今年二季度以來(lái)，由于消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體需求持續(xù)下滑，再加上新增晶圓制造產(chǎn)能的陸續(xù)開(kāi)出，眾多晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率都出現(xiàn)了下滑。繼7月有大陸成熟制程晶圓代工廠率先降價(jià)10%之后，近日有消息稱(chēng)，臺(tái)灣晶圓代工廠的成熟制程報(bào)價(jià)也已累計(jì)下跌了20%。而計(jì)劃明年繼續(xù)漲價(jià)的臺(tái)積電，目前的先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率也出現(xiàn)了下滑，甚至開(kāi)始計(jì)劃關(guān)閉EUV光刻機(jī)來(lái)減少產(chǎn)能。
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曝臺(tái)積電計(jì)劃關(guān)閉部分EUV光刻機(jī)
EUV光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備，只有ASML公司才能生產(chǎn)，單臺(tái)售價(jià)約10億人民幣。價(jià)值不菲的光刻機(jī)，同時(shí)也是個(gè)十足的紙老虎，它的耗電量十分驚人，生產(chǎn)一天，大約需要消耗3萬(wàn)度電左右!工作一年就要消耗1000萬(wàn)度電。
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在當(dāng)下的半導(dǎo)體先進(jìn)制程領(lǐng)域中，三星、英特爾、臺(tái)積電三足鼎立，各有千秋
如果說(shuō)臺(tái)積電成功的首要原因是是開(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)代工的模式，那么，持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā)，則是維持臺(tái)積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)的3納米，臺(tái)積電平均2年開(kāi)發(fā)一代新制程，這是臺(tái)積電邏輯制程激蕩的35年。
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在當(dāng)下半導(dǎo)體先進(jìn)制程領(lǐng)域中，三星、英特爾、臺(tái)積電三足鼎立各有千秋
如果說(shuō)臺(tái)積電成功的首要原因是是開(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)代工的模式，那么，持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā)，則是維持臺(tái)積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)的3納米，臺(tái)積電平均2年開(kāi)發(fā)一代新制程，這是臺(tái)積電邏輯制程激蕩的35年。
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在韓國(guó)擴(kuò)銷(xiāo)！ASML 將 2025 年韓國(guó) EUV 光刻機(jī)銷(xiāo)售額目標(biāo)擴(kuò)至 147.5 億歐元
近日，據(jù)韓國(guó)科技媒體 ETnews 報(bào)道，ASML 將其 2025 年在韓國(guó)的極紫外 (EUV) 光刻機(jī)銷(xiāo)售目標(biāo)提高到 20 萬(wàn)億韓元(約合 147.5 億歐元)。這個(gè)數(shù)字是去年的兩倍多。這主要得益于三星電子和 SK 海力士的投資大幅增加。目前主要的光刻機(jī)買(mǎi)家就是三星電子和SK海力士了。
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1nm光刻機(jī)要來(lái)了，每臺(tái)售價(jià)約20億
眾所周知，在芯片制造過(guò)程中，最重要的半導(dǎo)體設(shè)備就是光刻機(jī)。為什么說(shuō)他最重要，一方面是因?yàn)樗妓兄圃煸O(shè)備成本的22%左右，同時(shí)也占工時(shí)的20%左右。
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新一代革命性EUV光刻機(jī)提前登場(chǎng)！價(jià)格翻番
新一代革命性EUV光刻機(jī)提前登場(chǎng)！價(jià)格翻番
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1nm時(shí)代的EUV光刻機(jī)長(zhǎng)啥樣？ASML已完成基本設(shè)計(jì)
本月中旬，在日本東京舉辦了ITF論壇上，與ASML(阿斯麥)合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
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臺(tái)積電被握住咽喉,越來(lái)越依賴(lài)ASML的EUV光刻機(jī)
臺(tái)積電是第一家將EUV(極紫外)光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
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三星今年訂購(gòu)了9臺(tái)EUV光刻機(jī)，李在镕跑ASML總部去催貨
作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的重要設(shè)備，光刻機(jī)不可或缺，尤其是7nm以下先進(jìn)工藝生產(chǎn)離不開(kāi)的EUV光刻機(jī)，目前全球只有荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)，而臺(tái)積電、三星、英特爾等晶圓生產(chǎn)大廠，都有迫切需求，因此這個(gè)市場(chǎng)出現(xiàn)了供不應(yīng)求的局面。據(jù)businesskorea報(bào)道，三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕正敦促ASML的高管盡早交付三星今年訂購(gòu)的9臺(tái)的EUV光刻機(jī)。
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無(wú)須EUV光刻機(jī)，中芯國(guó)際N+1代工藝年底試產(chǎn)
華為被禁之后，國(guó)產(chǎn)替代成了半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。作為中國(guó)最大，技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠家，中芯國(guó)際被寄予厚望。近日有媒體報(bào)道稱(chēng)，在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后，中芯國(guó)際的N+1代工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2021年進(jìn)入量產(chǎn)。對(duì)此，中芯國(guó)際回應(yīng)稱(chēng)，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。
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Intel/臺(tái)積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛(wèi)摩爾定律
日前，中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）在上海開(kāi)幕，為期19天，本次會(huì)議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。 其中，光刻機(jī)一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一
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SK海力士擬引入EUV光刻機(jī)，生產(chǎn)更新進(jìn)工藝內(nèi)存芯片
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，全球第二大DRAM內(nèi)存供應(yīng)商SK海力士已經(jīng)在研發(fā)1a nm工藝的內(nèi)存，內(nèi)部代號(hào)“南極星”，具體節(jié)點(diǎn)大概在15nm，預(yù)計(jì)會(huì)引入EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。
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