10月20日，SK海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內存芯片。該產品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實現遠比傳統內存條高的存儲密度以及帶寬。

目前 HBM DRAM 已經發(fā)展到了第四代，HBM3 進一步提升了單片容量以及帶寬。SK海力士表示，2020 年 7 月便開始量產 HBM2E 內存，為全球首批量產這種芯片的企業(yè)。

SK海力士最新的 HBM3 芯片，單片最大容量可達 24GB，最高帶寬達到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。不僅如此，產品還支持片上 ECC 糾錯，顯著高了可靠性。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實現24GB，SK海力士技術團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m)，相當于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV(Through Silicon Via，硅通孔技術)技術垂直連接12個芯片。

HBM3將搭載高性能數據中心，有望適用于提高人工智能完成度的機器學習和分析氣候變化，新藥開發(fā)等的超級計算機。

負責SK海力士DRAM開發(fā)的車宣龍副社長表示，“該公司推出的全球首款HBM DRAM，引領了HBM2E市場，并在業(yè)界內首次成功開發(fā)了HBM3。公司將鞏固在高端存儲器市場的領導力，同時提供符合ESG經營的產品，盡最大努力提高客戶價值。