趁著DRAM價格直線飆漲之際,全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn),新制程與過去相較最大的不同,就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤式微影(immersion lithography)及銅制程導(dǎo)線(copper interconnect)等兩大新技術(shù)。 由于技
在金融海嘯、全球經(jīng)濟(jì)不景氣期間,由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計劃,最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達(dá)合作,引起美商美光公司不悅,狀告美國參議員,聲言這是不公平競爭,將要求美
美林證券最新出爐的報告,茂德股價慘跌,技術(shù)遲遲沒有更新,目前正致力于重整,管理高層表示,內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB,采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù),但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中,目前
TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注,然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓,引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認(rèn)為,此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達(dá)的計畫之間沒有關(guān)連性,不明
日本PC 存儲芯片企業(yè)爾必達(dá)存儲公司(TYO:6665) 表示,因動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格上揚(yáng),其下屬的生產(chǎn)公司臺灣瑞晶電子公司已在7-9月扭虧為盈。預(yù)計瑞晶本季度的凈利潤將達(dá)到近10億日元,這是瑞晶五個季度以來第一
動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗,設(shè)計一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性,利用電容充放電的結(jié)構(gòu),提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時鐘電路,使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化,其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下,有效地降低了其刷新過程中的功耗。
臺灣DRAM大廠南科(2408)宣布8億股現(xiàn)金增資計劃,預(yù)計籌措100億元以上資金,全數(shù)投入50納米制程,以及償還公司債,盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元,時間點(diǎn)來得比預(yù)期早,國內(nèi)DRAM廠暫時度過最艱困的時刻,但三星半
三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示,三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間,且可能超越上述區(qū)間。
分析師指出,資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應(yīng)收緊,價格可能隨之上漲,但可能會發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。IC Insights總裁Bill McClean稱,今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%,創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)
DRAM價格漲不停,1Gb容量DDR2價格直逼2美元,苦熬多時的臺系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài),包括華亞科、力晶和茂德營運(yùn)都終止失血,南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入,但采購自華亞科的部分,受到母子
主要電子指數(shù)8月走勢各異:09年6月份,費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲1.47%,道瓊斯指數(shù)上漲3.54%,臺灣的電子零組件指數(shù)上漲2.15%,臺灣加權(quán)指數(shù)下跌3.56%,大陸的Csrc電子行業(yè)指數(shù)則大跌17.55%,滬深300指數(shù)大跌24.22%。行業(yè)數(shù)