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集邦：上半年DDR3封測產(chǎn)能 更吃緊
受惠微軟操作系統(tǒng)Windows 7滲透率持續(xù)提升，及計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠大幅拉高DDR3機(jī)種比重，DRAM廠DDR3新產(chǎn)能已陸續(xù)開出，但因后段封測產(chǎn)能提升速度較慢，集邦科技預(yù)估，今年上半年DDR3封測產(chǎn)能吃緊情況更加嚴(yán)重，且可能因此影
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福懋科去年Q4營收 優(yōu)于預(yù)期
DRAM封測廠福懋科（8131）昨（4）日公布去年12月營收約達(dá)9.4億元，第4季營收達(dá)27.24億元，季增率10.1％，略高于市場預(yù)期，而福懋科2009年全年?duì)I收達(dá)89.56億元，與2008年的101.93億元相較，年減率約12.1％。法人預(yù)估，
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華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)
2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴(kuò)大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計(jì)再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資
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2010年市場預(yù)測: PC旺、零組件缺、封測緊
根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)的調(diào)查，今年第四季歐美感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷售情況在經(jīng)濟(jì)景氣復(fù)蘇及Windows 7帶動下，銷售表現(xiàn)一路旺到年底。筆電出貨成長大幅上升，DRAMeXchange上調(diào)第四季筆電出貨成長率從原本的8.7%至11.
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DDR3注定要奪取DRAM王座
2009年即將結(jié)束，DDR2作為DRAM市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間之內(nèi)也不會過時(shí)，它
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提高服務(wù)器使用的DDR3模塊(Netlist)
HyperCloud的DDR3 RDIMM內(nèi)存模塊最大限度地允許384 GB內(nèi)存用在雙插槽服務(wù)器。該模塊采用專利的秩乘法ASIC技術(shù)，從而完全替代帶有16Gb vRank RDIMM的三個(gè)存儲器通道。四個(gè)物理組區(qū)隱藏在存儲器控制器中心，用作兩個(gè)
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DDR3將成主流，后段封測廠設(shè)備將跟著升級
全球最大美國消費(fèi)性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計(jì)算機(jī)為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由
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DDR3時(shí)代來臨 封測受惠最大
英特爾將在明年初美國消費(fèi)性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動DDR3在明年登上市場主流位置。國內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3，隨
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Tektronix強(qiáng)化DDR測試與驗(yàn)證產(chǎn)品組合
Tektronix宣布推出DDR測試與驗(yàn)證產(chǎn)品組合的各項(xiàng)強(qiáng)化和升級功能。針對Tektronix TLA7000系列邏輯分析儀推出全新內(nèi)插器，為工程師提供合乎最新DDR3-1867標(biāo)準(zhǔn)的總線擷取與分析功能。 全新的內(nèi)插器為TLA7000系列帶來具成
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Rambus下調(diào)內(nèi)存專利收費(fèi)與歐盟和解專利糾紛
按照協(xié)議，Rambus公司同意在五年中對SDR及DDR芯片標(biāo)準(zhǔn)專利費(fèi)用調(diào)整為零，并對最新一代JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)（即DDR2和DDR3）收取最高為1。5%的專利費(fèi)用。 據(jù)國外媒體報(bào)道，Rambus公司周三同歐盟委員會達(dá)成一項(xiàng)和解協(xié)議，這
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)
1 引言 DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn)，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設(shè)計(jì)中由于存儲
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力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn)季增率挑戰(zhàn)30~40%
臺系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn)，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增30~40%，力晶11月出貨量大幅成長，也將反映在11月營收上，出現(xiàn)大幅度成長；再者，除了
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臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進(jìn)度仍落后
經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價(jià)格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子(SamsungElectronic
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臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率 惟制程進(jìn)度仍落后
經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價(jià)格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electron
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DRAM合約價(jià)漲勢告終12月再現(xiàn)拉鋸戰(zhàn)
11月下旬DRAM合約價(jià)終止?jié)q勢，2GB容量DDR2模塊高價(jià)面臨下跌壓力，DDR3模塊價(jià)格則是持平開始，主要是反應(yīng)傳統(tǒng)淡季將至，近期現(xiàn)貨價(jià)格近期修正高達(dá)15%，合約價(jià)開始出現(xiàn)壓力，惟南亞科發(fā)言人白培霖表示，PCOEM業(yè)者的需求
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iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 據(jù)國外媒體報(bào)道，以單位出貨量計(jì)算，DDR3明年第2季的市占
