DDR3

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三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM

消費(fèi)電子
2010-04-05

三星 DDR3 內(nèi)存芯片 GB
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)

智能硬件
2010-04-05

三星 DDR3 內(nèi)存芯片 GB
DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)

消費(fèi)電子
2010-04-05

DRAM BSP 三星 DDR3
DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水

智能硬件
2010-04-05

DRAM BSP 三星 DDR3
營運(yùn)好轉(zhuǎn) 力晶3月營收近3年新高

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)廠力晶半導(dǎo)體自結(jié) 3月營收達(dá)新臺(tái)幣68.46億元，較2月增加24%，較去年同期大增5.72倍，并創(chuàng)下近3年來營收最高紀(jì)錄，同時(shí)是連續(xù)第5個(gè)月獲利。受惠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨價(jià)走揚(yáng)，加上產(chǎn)能及良率有效拉升，

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2010-04-01

半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存 DDR3
華東斥資4億元接收瀚宇彩晶LCM廠　　擴(kuò)充DDR3產(chǎn)能

內(nèi)存封測廠華東科技DDR3接單熱絡(luò)，既有廠房已達(dá)滿載，計(jì)劃斥資新臺(tái)幣4.15億元購買瀚宇彩晶LCM一廠，用以擴(kuò)充DDR3產(chǎn)能，初步估計(jì)最快第4季應(yīng)能進(jìn)行量產(chǎn)。由于添購新廠，華東也計(jì)劃上修資本支出，由原訂的30億元提高到

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2010-03-31

內(nèi)存封裝主軸 DDR3
DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)?！　? DDR2 還不算過時(shí)，而且未來一

消費(fèi)電子
2010-03-24

DRAM 制造工藝 BSP DDR3
DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間之內(nèi)

智能硬件
2010-03-24

DRAM 制造工藝 BSP DDR3
壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢

1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位，顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實(shí)施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-22

芯片 DDR3 內(nèi)存芯片 GB
DDR3需求熱絡(luò)　華東訂單能見度到9月

華東科技總經(jīng)理于鴻祺16日表示，DDR3客戶需求熱絡(luò)，目前訂單能見度看到9月，產(chǎn)能依舊滿載局面，封測利用率達(dá)到90%以上，產(chǎn)能已幾近不敷使用，該公司有意尋求新廠房，同時(shí)也不排除上修全年度資本支出。提及DDR3市

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2010-03-17

DRAM 內(nèi)存測試機(jī) DDR3
DDR3測試產(chǎn)能不足　DRAM封測廠加緊進(jìn)設(shè)備

隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機(jī)臺(tái)戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺(tái)進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲(chǔ)器封測廠3月

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2010-03-04

DRAM 存儲(chǔ)器測試機(jī) DDR3
臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%

據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號(hào)角響起，DDR2現(xiàn)貨價(jià)打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個(gè)多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-03-02

DRAM 內(nèi)存 DDR DDR3
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gb

消費(fèi)電子
2010-03-01

三星 DDR3 內(nèi)存芯片 GB
《半導(dǎo)體》力成Q1淡季不淡，訂單看到6月

力成（6239）今年首季呈現(xiàn)淡季不淡走勢，1月營收與去年12月相較僅微幅衰退約1億元，仍舊維持高檔水平，由于力成首季的營運(yùn)可望創(chuàng)下歷史最高的第1季，加上整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣不差，外資呈現(xiàn)連續(xù)性買盤，農(nóng)歷年過后持續(xù)買

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2010-02-28

半導(dǎo)體內(nèi)存 DDR3
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功

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2010-02-25

三星 DDR3 內(nèi)存芯片 GB
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps

智能硬件
2010-02-25

三星 DDR3 內(nèi)存芯片 GB
DRAM走出黑暗 2010年內(nèi)存廠商或興旺發(fā)達(dá)

在DRAM 市場的歷史上，2009 年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后， DRAM 供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三

消費(fèi)電子
2010-02-04

DRAM 內(nèi)存三星 DDR3
威剛陳立白：產(chǎn)能不足內(nèi)存看漲

今年各大DRAM廠相繼擴(kuò)大資本支出，以進(jìn)入DDR3領(lǐng)域，但是在各家廠商搶訂機(jī)臺(tái)之下，恐影響后續(xù)產(chǎn)出。威剛（3260）董事長陳立白指出，內(nèi)存廠所需的浸潤式曝光機(jī)臺(tái)交期長達(dá)10個(gè)月以上，目前只能靠微縮制程增加產(chǎn)出，然在

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2010-02-04

DRAM 內(nèi)存 Flash DDR3
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電量減少了30%，生產(chǎn)

智能硬件
2010-02-03

DRAM 三星 DDR3 內(nèi)存芯片
華東訂單涌入首季旺

受惠于爾必達(dá)、華邦電（2344）、南亞科（2408）等大客戶DDR3及GDDR5訂單逐季增加，內(nèi)存封測廠華東科技（8110）今年?duì)I運(yùn)大躍進(jìn)。法人預(yù)估年?duì)I收可望上看75億元以上，較去年大增3成至4成。華東科技總經(jīng)理于鴻祺表

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2010-02-03

內(nèi)存爾必達(dá) DDR3

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三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

DRAM走出黑暗年底陽光燦爛

營運(yùn)好轉(zhuǎn) 力晶3月營收近3年新高

華東斥資4億元接收瀚宇彩晶LCM廠　　擴(kuò)充DDR3產(chǎn)能

DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢

DDR3需求熱絡(luò)　華東訂單能見度到9月

DDR3測試產(chǎn)能不足　DRAM封測廠加緊進(jìn)設(shè)備

臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

《半導(dǎo)體》力成Q1淡季不淡，訂單看到6月

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

DRAM走出黑暗 2010年內(nèi)存廠商或興旺發(fā)達(dá)

威剛陳立白：產(chǎn)能不足內(nèi)存看漲

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

華東訂單涌入首季旺

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