DDR3

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DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤(pán)潮

全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤(pán)潮的危機(jī)，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰，但下半年卻意外遇上個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價(jià)格再度面臨崩盤(pán)窘境，時(shí)至

智能硬件
2010-12-01

DRAM DDR3 BSP 時(shí)序
S2C現(xiàn)可提供DDR2和DDR3原型就緒IP

S2C公司宣布S2C的客戶(hù)現(xiàn)在可以購(gòu)買(mǎi)工作在S2C第四代S4 TAI Logic Module上的DDR2和DDR3原型就緒IP。該IP允許用戶(hù)在S2C基于Altera Stratix IV的FPGA原型硬件運(yùn)行即開(kāi)即用的2G DDR2到533Mbps，2G DDR3到800Mbps。FPGA上

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-18

SoC AI IP DDR3
如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線(xiàn)速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無(wú)疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問(wèn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-05

FPGA 存儲(chǔ)器 SDRAM DDR3
集邦科技：DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收僅增3.4%

集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營(yíng)收數(shù)字達(dá)108億美元，雖然DRAM總產(chǎn)出量季成長(zhǎng)15%，但在第3季合約價(jià)跌幅超乎預(yù)期拖累，相較于上季營(yíng)收104億美元，僅微幅成長(zhǎng)約3.4%。而在全球市占上，韓系D

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2010-11-03

三星 GB DRAM DDR3
臺(tái)DRAM廠4Q面臨全虧危機(jī)

南亞科和華亞科20日將打頭陣召開(kāi)法說(shuō)，然力晶卻搶先公布第3季財(cái)報(bào)，稅后獲利19.36億元，若加計(jì)瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因?yàn)?0奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預(yù)期，加上DDR3價(jià)格慢性崩盤(pán)，使得2

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2010-10-19

芯片 GB DRAM DDR3
力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

DRAM大廠力晶科技（5346）昨（18）日公布今年第3季不含轉(zhuǎn)投資瑞晶之自行結(jié)算財(cái)務(wù)報(bào)告，第3季營(yíng)收達(dá)250.24億元，毛利率達(dá)17.35％，每股凈利達(dá)0.34元，而總結(jié)今年前3季營(yíng)收達(dá)675.42億元，稅后凈利達(dá)122.39億元，每股凈

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2010-10-19

晶圓代工先進(jìn)制程 DRAM DDR3
內(nèi)存: 30nm工藝將成主流,1G DDR3芯片價(jià)格跌至1.99$

據(jù)相關(guān)消息保奧：近日，1Gb DDR3芯片平均現(xiàn)貨價(jià)格已跌至1.99美元，另外同規(guī)格eTT芯片價(jià)格也僅為1.74美元。依此趨勢(shì)，年底時(shí)1Gb DDR3芯片價(jià)格有可能跌至1美元左右，遠(yuǎn)低于一些廠商的成本價(jià)。據(jù)相關(guān)報(bào)道，使用

顯示光電
2010-10-16

芯片內(nèi)存 GB DDR3
內(nèi)存價(jià)格10月份將持續(xù)下調(diào)

據(jù)HKEPC網(wǎng)站報(bào)道，市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價(jià)持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價(jià)趺破2美元關(guān)口， DDR3 2GB模塊合約價(jià)亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-10-06

內(nèi)存 GB DRAM DDR3
三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息，根據(jù)計(jì)劃，三星將為筆記本和移動(dòng)工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%，比1.8V DDR2節(jié)電67%

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-24

三星內(nèi)存筆記本電腦 DDR3
DRAM價(jià)15天爆跌10%恐跌至2美元線(xiàn)

韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1GbDDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1GbDDR

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2010-09-20

半導(dǎo)體海力士 DRAM DDR3
DRAM價(jià)15天爆跌10%　恐跌至2美元線(xiàn)

韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb

智能硬件
2010-09-20

半導(dǎo)體海力士 DRAM DDR3
Agiga以當(dāng)前最高密度的非易失性DDR3解決方案擴(kuò)充產(chǎn)品線(xiàn)

賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存

消費(fèi)電子
2010-08-19

電池供電 SDRAM GB DDR3
高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案（Agiga）

賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8

智能硬件
2010-08-18

存儲(chǔ)密度 SDRAM GB DDR3
惠瑞捷全新的HSM3G高速內(nèi)存測(cè)試解決方案

惠瑞捷全新的 HSM3G 高速內(nèi)存測(cè)試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級(jí)的內(nèi)存提供了低廉的測(cè)試成本平價(jià)的升級(jí)提供了未來(lái)三代設(shè)備多代發(fā)展路徑惠瑞捷 (Verigy)（納斯達(dá)克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速內(nèi)存測(cè)試解

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2010-08-11

內(nèi)存測(cè)試解決方案 3G DDR3
DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，20

智能硬件
2010-08-06

PC ELECTRONICS DRAM DDR3
DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一；目前各界認(rèn)為，2

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2010-08-05

PC ELECTRONICS DRAM DDR3
JEDEC發(fā)布低電壓存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)DDR3L

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)。DDR3L 將促使應(yīng)用存儲(chǔ)器的涉

消費(fèi)電子
2010-08-05

存儲(chǔ)器低電壓 JEDEC DDR3
63奈米新制程撐腰力晶7月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)40個(gè)月新高

DRAM大廠力晶(5346-TW)今(3)日公布7月?tīng)I(yíng)收，在晶圓代工客戶(hù)需求強(qiáng)勁，以及63奈米新制程DRAM出貨比重逐漸上揚(yáng)下，帶動(dòng)7月?tīng)I(yíng)收持續(xù)升至86.17億元，月增0.7%，并創(chuàng)近40個(gè)月來(lái)新高。力晶副總經(jīng)理暨發(fā)言人譚仲民表示

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2010-08-04

電子晶圓代工 DRAM DDR3
先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉

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2010-07-30

先進(jìn)制程 BORDER DRAM DDR3
先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉

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2010-07-28

先進(jìn)制程 DIGI DRAM DDR3

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DDR3

DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤(pán)潮

S2C現(xiàn)可提供DDR2和DDR3原型就緒IP

如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

集邦科技：DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收僅增3.4%

臺(tái)DRAM廠4Q面臨全虧危機(jī)

力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

內(nèi)存: 30nm工藝將成主流,1G DDR3芯片價(jià)格跌至1.99$

內(nèi)存價(jià)格10月份將持續(xù)下調(diào)

三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

DRAM價(jià)15天爆跌10%恐跌至2美元線(xiàn)

DRAM價(jià)15天爆跌10%　恐跌至2美元線(xiàn)

Agiga以當(dāng)前最高密度的非易失性DDR3解決方案擴(kuò)充產(chǎn)品線(xiàn)

高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案（Agiga）

惠瑞捷全新的HSM3G高速內(nèi)存測(cè)試解決方案

DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

JEDEC發(fā)布低電壓存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)DDR3L

63奈米新制程撐腰力晶7月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)40個(gè)月新高

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

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