DDR3

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DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤潮

全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報價達到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境，時至

智能硬件
2010-12-01

DRAM DDR3 BSP 時序
S2C現(xiàn)可提供DDR2和DDR3原型就緒IP

S2C公司宣布S2C的客戶現(xiàn)在可以購買工作在S2C第四代S4 TAI Logic Module上的DDR2和DDR3原型就緒IP。該IP允許用戶在S2C基于Altera Stratix IV的FPGA原型硬件運行即開即用的2G DDR2到533Mbps，2G DDR3到800Mbps。FPGA上

電子設計自動化
2010-11-18

SoC AI IP DDR3
如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問

電子設計自動化
2010-11-05

FPGA 存儲器 SDRAM DDR3
集邦科技：DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收僅增3.4%

集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營收數(shù)字達108億美元，雖然DRAM總產(chǎn)出量季成長15%，但在第3季合約價跌幅超乎預期拖累，相較于上季營收104億美元，僅微幅成長約3.4%。而在全球市占上，韓系D

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2010-11-03

三星 GB DRAM DDR3
臺DRAM廠4Q面臨全虧危機

南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2

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2010-10-19

芯片 GB DRAM DDR3
力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

DRAM大廠力晶科技（5346）昨（18）日公布今年第3季不含轉(zhuǎn)投資瑞晶之自行結算財務報告，第3季營收達250.24億元，毛利率達17.35％，每股凈利達0.34元，而總結今年前3季營收達675.42億元，稅后凈利達122.39億元，每股凈

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2010-10-19

晶圓代工先進制程 DRAM DDR3
內(nèi)存: 30nm工藝將成主流,1G DDR3芯片價格跌至1.99$

據(jù)相關消息保奧：近日，1Gb DDR3芯片平均現(xiàn)貨價格已跌至1.99美元，另外同規(guī)格eTT芯片價格也僅為1.74美元。依此趨勢，年底時1Gb DDR3芯片價格有可能跌至1美元左右，遠低于一些廠商的成本價。據(jù)相關報道，使用

顯示光電
2010-10-16

芯片內(nèi)存 GB DDR3
內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)

據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道，市調(diào)機構DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第

電子設計自動化
2010-10-06

內(nèi)存 GB DRAM DDR3
三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息，根據(jù)計劃，三星將為筆記本和移動工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%，比1.8V DDR2節(jié)電67%

電子設計自動化
2010-09-24

三星內(nèi)存筆記本電腦 DDR3
DRAM價15天爆跌10%恐跌至2美元線

韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1GbDDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。據(jù)市調(diào)機構DRAMeXange統(tǒng)計，1GbDDR

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2010-09-20

半導體海力士 DRAM DDR3
DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。據(jù)市調(diào)機構DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb

智能硬件
2010-09-20

半導體海力士 DRAM DDR3
Agiga以當前最高密度的非易失性DDR3解決方案擴充產(chǎn)品線

賽普拉斯半導體子公司AgigA技術公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存

消費電子
2010-08-19

電池供電 SDRAM GB DDR3
高存儲密度的DDR3解決方案（Agiga）

賽普拉斯半導體公司的子公司AgigA技術公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8

智能硬件
2010-08-18

存儲密度 SDRAM GB DDR3
惠瑞捷全新的HSM3G高速內(nèi)存測試解決方案

惠瑞捷全新的 HSM3G 高速內(nèi)存測試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級的內(nèi)存提供了低廉的測試成本平價的升級提供了未來三代設備多代發(fā)展路徑惠瑞捷 (Verigy)（納斯達克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速內(nèi)存測試解

模擬
2010-08-11

內(nèi)存測試解決方案 3G DDR3
DRAM漲價效應難再現(xiàn)　供給大增考驗價格承受力

近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經(jīng)濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認為，20

智能硬件
2010-08-06

PC ELECTRONICS DRAM DDR3
DRAM漲價效應難再現(xiàn)供給大增考驗價格承受力

近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經(jīng)濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一；目前各界認為，2

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2010-08-05

PC ELECTRONICS DRAM DDR3
JEDEC發(fā)布低電壓存儲器標準DDR3L

JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領導制定機構，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)。DDR3L 將促使應用存儲器的涉

消費電子
2010-08-05

存儲器低電壓 JEDEC DDR3
63奈米新制程撐腰力晶7月營收創(chuàng)40個月新高

DRAM大廠力晶(5346-TW)今(3)日公布7月營收，在晶圓代工客戶需求強勁，以及63奈米新制程DRAM出貨比重逐漸上揚下，帶動7月營收持續(xù)升至86.17億元，月增0.7%，并創(chuàng)近40個月來新高。力晶副總經(jīng)理暨發(fā)言人譚仲民表示

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2010-08-04

電子晶圓代工 DRAM DDR3
先進制程轉(zhuǎn)換Q4全球DRAM市場趨向供過于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關閉不具效益廠房等策略，此舉

模擬
2010-07-30

先進制程 BORDER DRAM DDR3
先進制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場趨向供過于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關閉不具效益廠房等策略，此舉

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2010-07-28

先進制程 DIGI DRAM DDR3

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DDR3

DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤潮

S2C現(xiàn)可提供DDR2和DDR3原型就緒IP

如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

集邦科技：DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收僅增3.4%

臺DRAM廠4Q面臨全虧危機

力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

內(nèi)存: 30nm工藝將成主流,1G DDR3芯片價格跌至1.99$

內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)

三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

DRAM價15天爆跌10%恐跌至2美元線

DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

Agiga以當前最高密度的非易失性DDR3解決方案擴充產(chǎn)品線

高存儲密度的DDR3解決方案（Agiga）

惠瑞捷全新的HSM3G高速內(nèi)存測試解決方案

DRAM漲價效應難再現(xiàn)　供給大增考驗價格承受力

DRAM漲價效應難再現(xiàn)供給大增考驗價格承受力

JEDEC發(fā)布低電壓存儲器標準DDR3L

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先進制程轉(zhuǎn)換Q4全球DRAM市場趨向供過于求

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