DDR3測試的挑戰(zhàn)及解決方法

前言作為DDR2的繼任者，根據(jù)JEDEC標準, 目前DDR3的數(shù)據(jù)速率跨度從800Mbps開始直至1.6Gbps。在帶給用戶更快性能體驗的同時, DDR3卻能保持較低的功耗，相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個DRAM市場低迷，DDR3的出貨量遠

DRAM廠不整并 2、3年后仍會出問題

臺灣內(nèi)存公司(TMC)成立過程峰回路轉(zhuǎn)，力成董事長蔡篤恭對TMC持中立態(tài)度，如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要，就該救，只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認為，臺面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來，一旦DRAM廠倒閉歸零，

DRAM廠不整并 2、3年后仍會出問題

臺灣內(nèi)存公司（TMC）成立過程峰回路轉(zhuǎn)，力成董事長蔡篤恭對TMC持中立態(tài)度，如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要，就該救，只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認為，臺面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來，一旦DRAM廠倒閉歸零

DDR2時代終結(jié)？三星啟動DDR3交替計劃

三星近日宣布，將全力推動DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價策略，鼓勵PC用戶積極采購DDR3平臺。 三星力推DDR3與DDR2無價差策略 DRAM

三星開始DDR3存儲器量產(chǎn)

為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。 DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Need

三星擬上調(diào)DDR3產(chǎn)能 堅信年底前成DRAM主流

韓國電子公司三星宣布，因英特爾推出5500系列Xeon服務(wù)器處理器，刺激需求增長，公司決定增加50奈米制程技術(shù)的DDR3 DRAM之產(chǎn)能。 DDR3是第三代的雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。三星和其它公司相信DDR3將在今年底

DRAM廠50nm制程的轉(zhuǎn)進與資本投資

DRAM價格持續(xù)低于現(xiàn)金成本；2009年資本支出大減56% 隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風暴襲卷造成消費需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價格回到

三星電子開始供貨采用50nm工藝制造的2Gbit DDR3方式DRAM模塊

韓國三星電子宣布，已經(jīng)開始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面

傳英特爾AMD將向DDR3內(nèi)存過渡推遲到2010年

1月16日消息，據(jù)臺灣地區(qū)的主板廠商稱，雖然英特爾和AMD原來預(yù)計其所有產(chǎn)品都要在2009年全面向DDR3內(nèi)存過渡，但是，這兩家廠商現(xiàn)在要推遲僅支持DDR3內(nèi)存的芯片組。DDR3這代內(nèi)存預(yù)計要在2010年之后才能廣泛應(yīng)用。 由

松下從美國Rambus引進DDR3接口技術(shù)

美國Rambus公司宣布，其已向日本松下提供Rambus的DDR3內(nèi)存接口技術(shù)授權(quán)（英文發(fā)布資料）。松下計劃將該技術(shù)應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品用SoC（系統(tǒng)芯片）。 通過該技術(shù)的宏單元（Macrocell），可使SoC端的控制邏輯和DDR3型

奇夢達DDR3 UDIMM通過英特爾X58 Express芯片組驗證

內(nèi)存供貨商奇夢達(Qimonda)宣布，其1GB及2GB的DDR3無緩沖雙信道內(nèi)存模塊(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules，UDIMMs)，已通過即將推出的英特爾Core 7處理器和英特爾X58 Express芯片組的驗證，使奇夢達的內(nèi)存產(chǎn)

奇夢達發(fā)表DDR3服務(wù)器內(nèi)存模塊節(jié)能成果

內(nèi)存供貨商奇夢達公司(Qimonda)在Datacenter Dynamics研討會中，發(fā)表DDR3服務(wù)器內(nèi)存模塊的節(jié)能成果。相對于奇夢達同類型的產(chǎn)品，其它主要供貨商的2GB和4GB服務(wù)器內(nèi)存模塊，在1.5伏特的電力下，需多耗費27-54%的電

Rambus起訴NVIDIA 稱其侵犯17項技術(shù)專利

TI推出首款鎖相環(huán)集成式DDR3寄存器量產(chǎn)版本

德州儀器 (TI) 宣布推出首款針對寄存式雙列直插式存儲器模塊(RDIMM)的鎖相環(huán) (PLL) 集成式DDR3寄存器的量產(chǎn)版本SN74SSQE32882。該器件在廣泛的電壓與溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)了恒定的時鐘與輸出延遲，從而實現(xiàn)了較高的系統(tǒng)

業(yè)界首款 DDR3 寄存器的量產(chǎn)版本（TI）

德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款針對寄存式雙列直插式存儲器模塊 (RDIMM)的鎖相環(huán) (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量產(chǎn)版本。