BiCMOS的典型電路結構了解嗎？BiCMOS有哪些應用領域？

為增進大家對BiCMOS的認識，本文將對BiCMOS的典型電路結構、BiCMOS工藝實現(xiàn)基礎和BiCMOS的核心應用領域予以介紹。

BiCMOS技術有哪些核心優(yōu)勢？BiCMOS技術有哪些主要的改進方向？

BiCMOS是一種將雙極型晶體管與CMOS技術融合的半導體工藝。BiCMOS通過結合BJT的高頻、高驅動特性與CMOS的低功耗優(yōu)勢，實現(xiàn)高速模擬電路與復雜數字邏輯的集成。

什么是BiCMOS？BiCMOS的工藝流程是什么樣的？

為增進大家對BiCMOS技術的認識，本文將對BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。

全差分BiCMOS采樣 保持電路仿真設計

一種BiCMOS工藝的AB類自適應偏置輸出級

(1．重慶郵電學院　重慶　400065；2．信息產業(yè)部電子二十四所　重慶　400060) 摘　要：介紹了一種采用BiCMOS工藝技術制造的具有較大的驅動能力、轉換速率和較低的功耗的AB類輸出級。他是利用跨導線性原理實現(xiàn)自適應偏

全差分BiCMOS采樣 保持電路仿真設計

意法半導體與Mikron二度聯(lián)手開發(fā)90nm生產線

【導讀】該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18微米生產線將主要專注于電源管理類、雙極類以及BiCMOS類芯片，而新Fab將主要用來生產RFD、智能卡以及工業(yè)級芯片。 摘要： 該Fab將耗資4億美元，預計

集成電路產業(yè)細分領域行業(yè)概況分析之IC制造

2012年，面臨國內外半導體市場增速大幅放緩的不利影響，中國IC制造業(yè)整體仍然保持了穩(wěn)定增長的勢頭，銷售規(guī)模已超過500億元，達到501.1億元，較2011年的431.6億元，增長了16.1%。2013年前三季度，IC制造業(yè)規(guī)模達到45

LM358和LMV358有什么區(qū)別?

LM358和LMV358有什么區(qū)別?LMV358為低電壓，但應該不能算mos器件。工藝上叫BICMOS工藝。具體區(qū)別可以查看對比一下兩者的datasheet。

采用TDA7388調頻立體聲解碼器

采用TDA7388調頻立體聲解碼器

ST28納米CMOS制程開發(fā)向客戶開發(fā)

意法半導體(STMicroelectronics，ST)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布，大專院校、研究實驗室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務使用意法半導體的28納米(nm)CMOS制程開發(fā)芯片設計。雙方在上一代CMOS合作項

ST通過CMP提供28納米CMOS制程

意法半導體（STMicroelectronics，ST）與CMP（Circuits Multi Projets?）攜手宣布，大專院校、研究實驗室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務使用意法半導體的28納米（nm）CMOS制程開發(fā)芯片設計。雙方在上一代CMOS合作

新型BiCMOS集成運算放大器設計

為了提高運算放大器的驅動能力，依據現(xiàn)有CMOS集成電路生產線，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討B(tài)iCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個器件參數進行調

基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放大器設計

摘要：為了提高運算放大器的驅動能力，依據現(xiàn)有CMOS集成電路生產線，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討B(tài)iCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個器件參數

俄羅斯Mikron與意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產線

據國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSCMikron宣布與意法半導體合資的90nm8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18微

俄羅斯Mikron與意法聯(lián)手開發(fā)90nm生產線

據國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18

Mikron與意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產線

據國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18

Mikron 意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產線

據國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。 該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.

新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

　　在模擬及數/?；旌霞呻娐吩O計中，電壓基準是非常重要的電路模塊之一，而通過巧妙設計的帶隙電壓基準更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的特點，廣泛應用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D

新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

　　在模擬及數/模混合集成電路設計中，電壓基準是非常重要的電路模塊之一，而通過巧妙設計的帶隙電壓基準更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的特點，廣泛應用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D