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一種高精度BiCMOS電流模帶隙基準源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工藝設計了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0．5 V的帶隙基準源電路。該設計中，電路采用新型電流模帶隙基準，解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準的第三簡并態(tài)的問題，且實現(xiàn)了較低的基準電壓；增加了修調(diào)電路，實現(xiàn)了基準電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對其進行仿真驗證，其結果顯示，當溫度在-40～+120℃范圍內(nèi)變化時，輸出基準電壓的溫度系數(shù)為15 ppm／℃；電源電壓在2～4 V范圍內(nèi)變化時，基準電壓擺動小于O．06 mV；低頻下具有-102．6 dB的PSRR，40
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一種高精度BiCMOS電流模帶隙基準源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工藝設計了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0．5 V的帶隙基準源電路。該設計中，電路采用新型電流模帶隙基準，解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準的第三簡并態(tài)的問題，且實現(xiàn)了較低的基準電壓；增加了修調(diào)電路，實現(xiàn)了基準電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對其進行仿真驗證，其結果顯示，當溫度在-40～+120℃范圍內(nèi)變化時，輸出基準電壓的溫度系數(shù)為15 ppm／℃；電源電壓在2～4 V范圍內(nèi)變化時，基準電壓擺動小于O．06 mV；低頻下具有-102．6 dB的PSRR，40
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基于BiCMOS寬動態(tài)可變增益放大器的設計
基于柵壓控制MOS管等效電阻實現(xiàn)放大器輸出電阻和射極電阻同時改變的原理，構造一種新型可變增益放大器，通過控制電路和穩(wěn)壓電路提高了增益動態(tài)范圍和電路穩(wěn)定性。采用UMC O．5μm BiCMOS工藝，使用HSpice軟件仿真，結果表明該放大器可在O～70μA的較小控制電流下實現(xiàn)增益在O～66 dB寬范圍內(nèi)連續(xù)變化，帶寬超過73 MHz，具有良好的線性度。
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全新低電流BiCMOS光電煙霧探測器IC（Allegro）
Allegro MicroSystems 推出一款全新的低電流 BiCMOS 光電煙霧探測器 IC，該 IC 具有超低待機電流，平均電池壽命長達 10 年。 Allegro 的 A5303 器件可與紅外光室配合使用，感測煙霧微粒散發(fā)的光線。聯(lián)網(wǎng)功能讓設備實
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全差分BiCMOS采樣/保持電路仿真設計
0 引言隨著數(shù)字技術、微機和模數(shù)轉換技術的研究與進展，作為模擬和數(shù)字信號接口電路的模數(shù)轉換器(ADC)得到了廣泛應用。由于ADc中的重要組成單元——采樣／保持(S／H)電路的精度和速度直接決定ADC的性能，所以設計高
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恩智浦將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新SiGe（硅鍺）工藝技術開發(fā)、針對高頻無線電應用的新產(chǎn)品，旨在滿足行業(yè)對更強大、高性價比和高集成度硅基技術日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推
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臺積電聯(lián)手IMEC公司開發(fā)22nm制程技術
最近芯片制造業(yè)各大巨頭連連作出合并動作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導體之后，最近臺積電與比利時IMEC公司也正式簽署了合作開發(fā) 協(xié)議，雙方將協(xié)力進行混合信號IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關技術產(chǎn)品的研
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光通信芯片將趨向于采用CMOS工藝
在3G之后，F(xiàn)TTx將是光通信建設的又一高潮，我們將進入一個全新的寬帶時代。從目前三大運營商對FTTx的部署來看，光節(jié)點會越來越多，可預見不久的將來出現(xiàn)光通信新一輪井噴式的發(fā)展。EPON、GPON是目前FTTx的主流網(wǎng)絡方
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新一代硅鍺碳BiCMOS QUBIC4技術（恩智浦）
恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦成立的獨立半導體公司），近日推出業(yè)界領先的QUBIC4 BiCMOS硅技術，鞏固了其在射頻領域的領導地位，實現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本優(yōu)勢
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英特爾將二期制造設備和技術售與方正微電子
英特爾將二期制造設備和技術售與方正微電子
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點
射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點
支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點
支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下
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Jazz有意并購8英寸廠 目標不在亞洲
由于第三季度產(chǎn)能利用率激增，Jazz半導體日前有意收購或合作運營一座8英寸工廠，Jazz市場營銷部副總裁ChuckFox表示。 Fox表示，8英寸廠很可能不會位于亞洲，而是坐落在生產(chǎn)成本更加低廉的地區(qū)。 他另外指出
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臺積電將建立12寸晶圓級封裝技術與產(chǎn)能
全球晶圓代工龍頭臺積電表示，該公司董事會已核準資本預算5,980萬美元，建立12寸晶圓級封裝(WaferLevelPackage)技術與產(chǎn)能。 臺積電董事會并核準資本預算2,280萬美元，將原本每月可生產(chǎn)12,600片八寸晶圓的0.18微米邏
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臺積電加碼5980萬美元投資晶圓級封裝技術
晶圓代工廠商臺積電(TSMC)宣布，核準資本預算5,980萬美元(約19.7億新臺幣)，建立300mm廠晶圓級封裝(WaferLevelPackage)技術及產(chǎn)能。臺積電指出，晶圓級封裝技術可有效縮小終端產(chǎn)品尺寸，順應了應未來市場需求，提高臺
