采用Xfab O.35μm BiCMOS工藝設(shè)計了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0.5 V的帶隙基準(zhǔn)源電路。該設(shè)計中,電路采用新型電流模帶隙基準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準(zhǔn)的第三簡并態(tài)的問題,且實現(xiàn)了較低的基準(zhǔn)電壓;增加了修調(diào)電路,實現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對其進(jìn)行仿真驗證,其結(jié)果顯示,當(dāng)溫度在-40~+120℃范圍內(nèi)變化時,輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為15 ppm/℃;電源電壓在2~4 V范圍內(nèi)變化時,基準(zhǔn)電壓擺動小于O.06 mV;低頻下具有-102.6 dB的PSRR,40
采用Xfab O.35μm BiCMOS工藝設(shè)計了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0.5 V的帶隙基準(zhǔn)源電路。該設(shè)計中,電路采用新型電流模帶隙基準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準(zhǔn)的第三簡并態(tài)的問題,且實現(xiàn)了較低的基準(zhǔn)電壓;增加了修調(diào)電路,實現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對其進(jìn)行仿真驗證,其結(jié)果顯示,當(dāng)溫度在-40~+120℃范圍內(nèi)變化時,輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為15 ppm/℃;電源電壓在2~4 V范圍內(nèi)變化時,基準(zhǔn)電壓擺動小于O.06 mV;低頻下具有-102.6 dB的PSRR,40
基于柵壓控制MOS管等效電阻實現(xiàn)放大器輸出電阻和射極電阻同時改變的原理,構(gòu)造一種新型可變增益放大器,通過控制電路和穩(wěn)壓電路提高了增益動態(tài)范圍和電路穩(wěn)定性。采用UMC O.5μm BiCMOS工藝,使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明該放大器可在O~70μA的較小控制電流下實現(xiàn)增益在O~66 dB寬范圍內(nèi)連續(xù)變化,帶寬超過73 MHz,具有良好的線性度。
Allegro MicroSystems 推出一款全新的低電流 BiCMOS 光電煙霧探測器 IC,該 IC 具有超低待機電流,平均電池壽命長達(dá) 10 年。 Allegro 的 A5303 器件可與紅外光室配合使用,感測煙霧微粒散發(fā)的光線。聯(lián)網(wǎng)功能讓設(shè)備實
0 引言隨著數(shù)字技術(shù)、微機和模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)的研究與進(jìn)展,作為模擬和數(shù)字信號接口電路的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)得到了廣泛應(yīng)用。由于ADc中的重要組成單元——采樣/保持(S/H)電路的精度和速度直接決定ADC的性能,所以設(shè)計高
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅鍺)工藝技術(shù)開發(fā)、針對高頻無線電應(yīng)用的新產(chǎn)品,旨在滿足行業(yè)對更強大、高性價比和高集成度硅基技術(shù)日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推
最近芯片制造業(yè)各大巨頭連連作出合并動作,繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導(dǎo)體之后,最近臺積電與比利時IMEC公司也正式簽署了合作開發(fā) 協(xié)議,雙方將協(xié)力進(jìn)行混合信號IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關(guān)技術(shù)產(chǎn)品的研
在3G之后,F(xiàn)TTx將是光通信建設(shè)的又一高潮,我們將進(jìn)入一個全新的寬帶時代。從目前三大運營商對FTTx的部署來看,光節(jié)點會越來越多,可預(yù)見不久的將來出現(xiàn)光通信新一輪井噴式的發(fā)展。EPON、GPON是目前FTTx的主流網(wǎng)絡(luò)方
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,由飛利浦成立的獨立半導(dǎo)體公司),近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù),鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,實現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時,為客戶帶來成本優(yōu)勢
英特爾將二期制造設(shè)備和技術(shù)售與方正微電子
射頻芯片:工藝成本功耗是永恒熱點
支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年,國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下
支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年,國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下
由于第三季度產(chǎn)能利用率激增,Jazz半導(dǎo)體日前有意收購或合作運營一座8英寸工廠,Jazz市場營銷部副總裁ChuckFox表示。 Fox表示,8英寸廠很可能不會位于亞洲,而是坐落在生產(chǎn)成本更加低廉的地區(qū)。 他另外指出
全球晶圓代工龍頭臺積電表示,該公司董事會已核準(zhǔn)資本預(yù)算5,980萬美元,建立12寸晶圓級封裝(WaferLevelPackage)技術(shù)與產(chǎn)能。 臺積電董事會并核準(zhǔn)資本預(yù)算2,280萬美元,將原本每月可生產(chǎn)12,600片八寸晶圓的0.18微米邏
晶圓代工廠商臺積電(TSMC)宣布,核準(zhǔn)資本預(yù)算5,980萬美元(約19.7億新臺幣),建立300mm廠晶圓級封裝(WaferLevelPackage)技術(shù)及產(chǎn)能。臺積電指出,晶圓級封裝技術(shù)可有效縮小終端產(chǎn)品尺寸,順應(yīng)了應(yīng)未來市場需求,提高臺