高通(Qualcomm)先進工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實現(xiàn)芯片堆疊的量產以前，這項技術還必須再降低成本才能走入市場。他同時指出，業(yè)界對該技術價格和商業(yè)模式的爭論，將成為這項技術未來發(fā)展的阻礙。

“如果我們無法解決價格問題，那么TSV的發(fā)展道路將更加漫長，”Nowak說。他同時指出，在價格與成本之間仍然存在的極大障礙，加上新技術的不確定性所隱含的風險，以及實際的量產需求，形成了三個TSV技術所面臨的難題。部份業(yè)界人士認為，到2014年，智能手機用的移動應用處理器可能會采用TSV技術，成為率先應用TSV量產的產品。JEDEC正在擬訂一個支持TSV的Wide I/O存儲器介面，其目標是成為下一代采用層疊封裝(PoP)的低功耗DDR3鏈接的繼任技術。

“可提供12.8GB/s的LPDDR3主要針對下一代層疊封裝元件應用，但Wide I/O也具有其市場潛力，”Nowak說，他同時負責高通的TSV技術部份?！凹夹g上來說，Wide I/O可自2014年起進入應用，然而，價格和商業(yè)模式仍將是該技術發(fā)展的阻礙?！?BR>
TSV技術承諾將提升性能，同時也將降低功耗及縮小元件尺寸，以因應包括移動處理器在內的各種應用需求。TSV的致命弱點仍然是它的成本，Nowak說?！癢ide I/O DRAM的價格較現(xiàn)有的PoP配置高出許多，而PoP也不斷改良，甚至未來有可能設法再開發(fā)出一個新世代的產品，”他表示。

Nowak指出，一個名為EMC-3D的業(yè)界組織最近表示，以目前用于量產的工具模型為基礎來推估，TSV將使每片晶圓增加約120美元的成本。目前該技術仍然缺乏明確的商業(yè)模式，而且定價問題也頗為復雜，Nowak說。例如，當晶圓廠制作完成，以及在完成封裝后，哪個環(huán)節(jié)該為良率負責？“一些公司可以扮演整合者的角色，但未來整個商業(yè)模式可能會有稍許改變，”他同時指出，目前業(yè)界已經(jīng)初步形成了一些TSV供應鏈的伙伴關系。