綜合報(bào)道:沿著“摩爾定律”,集成電路技術(shù)走過(guò)了50余年的歷程。如今的生產(chǎn)技術(shù)已接近達(dá)到22nm,如果繼續(xù)沿著按比例縮小之路走下去,根據(jù)2011年ITRS的預(yù)測(cè),DRAM的最小加工線(xiàn)寬在2024年有可能達(dá)到8n
2013年全球經(jīng)濟(jì)繼續(xù)處于緩慢的復(fù)蘇過(guò)程,但增長(zhǎng)趨勢(shì)依舊有限,對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言,由于得益于智能終端、消費(fèi)電、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域的帶動(dòng),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊實(shí)現(xiàn)了4.8%的增長(zhǎng),銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)到
2013年全球經(jīng)濟(jì)繼續(xù)處于緩慢的復(fù)蘇過(guò)程,但增長(zhǎng)趨勢(shì)依舊有限,對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言,由于得益于智能終端、消費(fèi)電、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域的帶動(dòng),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊實(shí)現(xiàn)了4.8%的增長(zhǎng),銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)到
2013年全球經(jīng)濟(jì)繼續(xù)處于緩慢的復(fù)蘇過(guò)程,但增長(zhǎng)趨勢(shì)依舊有限,對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言,由于得益于智能終端、消費(fèi)電、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域的帶動(dòng),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊實(shí)現(xiàn)了4.8%的增長(zhǎng),銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)到
一 據(jù)華強(qiáng)北電子市場(chǎng)價(jià)格指數(shù)本期集成電路指數(shù): 90.3 漲跌值:-0.52 漲跌幅:-0.57%,集成電路價(jià)格指數(shù)仍舊是跳躍版波浪式發(fā)展,集成電路分銷(xiāo)行業(yè)也仍舊延續(xù)著傳統(tǒng)的銷(xiāo)售模式向前推進(jìn),作為沒(méi)有定價(jià)權(quán)的供應(yīng)鏈中間環(huán)節(jié)
功放保護(hù)電路的分析功放保護(hù)電路隨著技術(shù)的發(fā)展,功放保護(hù)電路在社會(huì)里面的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越廣泛,今天我將會(huì)為大家講解一下功放保護(hù)電路的內(nèi)容。下面的內(nèi)容主要分析了功放保護(hù)電路與功放保護(hù)電路的檢測(cè)。在檢修功放的輸
鰭式場(chǎng)效晶體管的出現(xiàn)對(duì)集成電路物理設(shè)計(jì)及可測(cè)性設(shè)計(jì)流程具有重大影響。鰭式場(chǎng)效晶體管的引進(jìn)意味著在集成電路設(shè)計(jì)制程中互補(bǔ)金屬氧化物(CMOS)晶體管必須被建模成三維(3D)的器件,這就包含了各種復(fù)雜性和不確定性
摘要:今天東芝制造商推出了型號(hào)為“TC7763WBG”無(wú)線(xiàn)充電接收集成電路,能夠讓設(shè)備的充電效率媲美有線(xiàn)充電方式。目前無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)依然處于發(fā)展和不成熟階段,存在標(biāo)準(zhǔn)各自為戰(zhàn)、設(shè)備質(zhì)量參差不齊的情況,而
在摩爾定律的指引下,集成電路的線(xiàn)寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm,2009年達(dá)到32nm,2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差,英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推
上海貝嶺(10.31,-0.190,-1.81%)3月31日發(fā)布年報(bào)稱(chēng),2013年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入5.86億元,同比減少13.50%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)4039萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)20.94%;基本每股收益0.059元。公司向全體股東每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利
據(jù)科技部網(wǎng)站消息,近日,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專(zhuān)項(xiàng)2014年工作務(wù)虛會(huì)在京召開(kāi)。會(huì)上,總體組提出專(zhuān)項(xiàng)自實(shí)施以來(lái),我國(guó)已經(jīng)在集成電路高端裝備、成套工藝、關(guān)鍵材料、封裝測(cè)試等領(lǐng)域取得了部分突破
訊:高性能集成電路與系統(tǒng)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立暨“國(guó)科·靈芯”獎(jiǎng)學(xué)金設(shè)立簽約儀式于3月29日在長(zhǎng)沙舉行。中科院半導(dǎo)體研究所、靈芯微電子科技(蘇州)有限公司,湖南國(guó)科微電子有限公司三方代表共同簽
本公司及董事會(huì)全體成員保證信息披露內(nèi)容的真實(shí)、準(zhǔn)確和完整,沒(méi)有虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或重大遺漏。北京君正集成電路股份有限公司《2013年度報(bào)告》及《2013年度報(bào)告摘要》已于2014年3月29日在中國(guó)證監(jiān)會(huì)指定的創(chuàng)業(yè)板
本例介紹的直流穩(wěn)壓電源電路,最大輸出功率為15OW,最大輸出電流為lA,輸出電壓有5V、I2V 兩組固定直流電壓和3-36V、108-130V兩組可調(diào)直流電壓。該穩(wěn)壓電源既可作家電維修
綜合報(bào)道:據(jù)科技部網(wǎng)站消息,近日,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專(zhuān)項(xiàng)2014年工作務(wù)虛會(huì)在京召開(kāi)。會(huì)上,總體組提出專(zhuān)項(xiàng)自實(shí)施以來(lái),我國(guó)已經(jīng)在集成電路高端裝備、成套工藝、關(guān)鍵材料、封裝測(cè)試
據(jù)科技部網(wǎng)站消息,近日,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專(zhuān)項(xiàng)2014年工作務(wù)虛會(huì)在京召開(kāi)。會(huì)上,總體組提出專(zhuān)項(xiàng)自實(shí)施以來(lái),我國(guó)已經(jīng)在集成電路高端裝備、成套工藝、關(guān)鍵材料、封裝測(cè)試等領(lǐng)域取得了部分突破
據(jù)科技部網(wǎng)站消息,近日,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專(zhuān)項(xiàng)2014年工作務(wù)虛會(huì)在京召開(kāi)。會(huì)上,總體組提出專(zhuān)項(xiàng)自實(shí)施以來(lái),我國(guó)已經(jīng)在集成電路高端裝備、成套工藝、關(guān)鍵材料、封裝測(cè)試等領(lǐng)域取得了部分突破
21ic訊 2014年3月20日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱(chēng)先研院)與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)發(fā)科技)共同創(chuàng)辦的中國(guó)科大—聯(lián)發(fā)科技“高速電子集成電路與系統(tǒng)”聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室簽約及揭牌儀式
2014年3月20日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱(chēng)先研院)與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)發(fā)科技)共同創(chuàng)辦的中國(guó)科大—聯(lián)發(fā)科技“高速電子集成電路與系統(tǒng)”聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室簽約及揭牌儀式在先進(jìn)技術(shù)研究院隆
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱(chēng)先研院)與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)發(fā)科技)共同創(chuàng)辦的中國(guó)科大—聯(lián)發(fā)科技“高速電子集成電路與系統(tǒng)”聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室簽約及揭牌儀式在先進(jìn)技術(shù)研究院隆重舉