晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

臺(tái)灣茂德出售12寸晶圓設(shè)備予GLOBALFOUNDRIES

路透臺(tái)北3月28日 - 臺(tái)灣動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠商--茂德周四發(fā)布重大訊息稱，將位在中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)的12寸晶圓廠制造設(shè)備，出售予新加坡晶圓代工廠商--格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)，藉以籌措執(zhí)行重整計(jì)劃所需資金

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2013-03-28

晶圓 GLOBALFOUNDRIES 格羅方德 DRAM
中芯國(guó)際去年轉(zhuǎn)賺2277萬(wàn)美元

中芯國(guó)際集成電路制造(00981)公布截至2012年12月底止全年業(yè)績(jī)，期內(nèi)股東應(yīng)占溢利2277.1萬(wàn)元(美元下同)，而2011年同期則錄得虧損2.46億元。至于期內(nèi)銷售額17.01億元，較2011年同期的13.19億元，按年增長(zhǎng)29%，主要受整

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-03-28

中芯國(guó)際集成電路制造晶圓
卡位10奈米世代　臺(tái)積、漢辰搶布新制程/設(shè)備

臺(tái)積電與漢辰正積極研發(fā)新制程與設(shè)備技術(shù)。由于半導(dǎo)體進(jìn)入10奈米制程世代后，電晶體的微縮將面臨物理極限，亟需新的材料、制程與設(shè)備加以克服；因此臺(tái)積電與漢辰皆已針對(duì)未來(lái)可望取代矽的鍺和三五族元素，分別投入發(fā)

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2013-03-28

臺(tái)積電電晶體 IC 晶圓
晶圓雙雄節(jié)水一年省2個(gè)水庫(kù)

晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電節(jié)水成效佳，估計(jì)兩公司1年節(jié)省的制程水水量約2個(gè)寶二水庫(kù)。全臺(tái)水情吃緊，包括新北市林口區(qū)、桃園縣及高雄地區(qū)已陸續(xù)實(shí)施第一階段離峰時(shí)段減壓限水措施；臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)新竹地區(qū)水情預(yù)警燈

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2013-03-27

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
晶圓雙雄節(jié)水一年省2個(gè)水庫(kù)

晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電節(jié)水成效佳，估計(jì)兩公司1年節(jié)省的制程水水量約2個(gè)寶二水庫(kù)。全臺(tái)水情吃緊，包括新北市林口區(qū)、桃園縣及高雄地區(qū)已陸續(xù)實(shí)施第一階段離峰時(shí)段減壓限水措施;臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)新竹地區(qū)水情預(yù)

消費(fèi)電子
2013-03-27

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
極特與Soitec簽訂多晶圓HVPE開(kāi)發(fā)及授權(quán)合約

據(jù)悉，極特先進(jìn)科技公司(GTAdvancedTechnologies)(NASDAQ:GTAT)與Soitec(NYSEEuronext:SOI)宣布一項(xiàng)開(kāi)發(fā)及授權(quán)合約，根據(jù)該協(xié)議，GT將開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和商品化大容量多晶圓HVPE系統(tǒng)。這套HVPE系統(tǒng)將用于生產(chǎn)LED或其他高成

顯示光電
2013-03-26

TE GTA GAN 晶圓
去年財(cái)報(bào)速讀／中芯毛利率增20%

中芯國(guó)際去年由虧轉(zhuǎn)盈，凈利潤(rùn)2,280萬(wàn)美元，2011年還虧損2.46億美元。受到整體晶圓付運(yùn)數(shù)量增長(zhǎng)帶動(dòng)，去年銷售額成長(zhǎng)將近三成，毛利率也因產(chǎn)能利用率與生產(chǎn)效率改善大幅提升12.8個(gè)百分點(diǎn)至20.5%。根據(jù)HIS iSuppl

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2013-03-26

中芯國(guó)際中芯中國(guó)半導(dǎo)體晶圓
晶圓雙雄節(jié)水一年省2個(gè)水庫(kù)

晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電節(jié)水成效佳，估計(jì)兩公司1年節(jié)省的制程水水量約2個(gè)寶二水庫(kù)。全臺(tái)水情吃緊，包括新北市林口區(qū)、桃園縣及高雄地區(qū)已陸續(xù)實(shí)施第一階段離峰時(shí)段減壓限水措施；臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)新竹地區(qū)水情預(yù)

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2013-03-24

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
盛美獲兩臺(tái)背面清洗機(jī)訂單

盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司日前在 Semicon China上宣布了2013年第一季度一舉獲得兩臺(tái)單片背面清洗機(jī)訂單，分別來(lái)自上海華虹 NEC 電子有限公司以及中科院微電子所。這兩臺(tái)背面清洗機(jī)的訂單，反映了盛美在技術(shù)上不斷

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-03-19

控制聲波 PS 晶圓
大和預(yù)警 28奈米競(jìng)爭(zhēng)加劇臺(tái)積電Q2營(yíng)收成長(zhǎng)放緩

大和證券出具報(bào)告表示，臺(tái)積電(2330-TW)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)入新戰(zhàn)局，預(yù)估第2季營(yíng)季增5%成放緩，在格羅方德和聯(lián)電28奈米良率預(yù)估分別達(dá)70%、40%下，28奈米制程興起將使晶圓價(jià)格將更競(jìng)爭(zhēng)，預(yù)估今年?duì)I收為年增13%，較市場(chǎng)預(yù)期

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2013-03-13

三星聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
大和預(yù)警 28奈米競(jìng)爭(zhēng)加劇臺(tái)積電Q2營(yíng)收成長(zhǎng)放緩

大和證券出具報(bào)告表示，臺(tái)積電(2330-TW)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)入新戰(zhàn)局，預(yù)估第2季營(yíng)季增5%成放緩，在格羅方德和聯(lián)電28奈米良率預(yù)估分別達(dá)70%、40%下，28奈米制程興起將使晶圓價(jià)格將更競(jìng)爭(zhēng)，預(yù)估今年?duì)I收為年增13%，較市場(chǎng)預(yù)期

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2013-03-13

三星聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
矽晶圓大廠SUMCO上年度營(yíng)益暴增13倍

全球第2大矽晶圓廠商SUMCO Corp. 8日于日股收盤(pán)后公布上年度(2012年度；2012年2月-2013年1月)財(cái)報(bào)：在智慧型手機(jī)、平板電腦需求支撐下，帶動(dòng)半導(dǎo)體用12寸矽晶圓需求呈現(xiàn)增長(zhǎng)，加上退出太陽(yáng)能矽晶圓事業(yè)并徹底進(jìn)行

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2013-03-12

半導(dǎo)體太陽(yáng)能 TE 晶圓
臺(tái)積電、世界2月?tīng)I(yíng)收下滑逾13% 聯(lián)電月減7.6%

臺(tái)積電(2330-TW)(US-TSM)、聯(lián)電(2303-TW)(US-UMC)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(8)日同步公布2013年2月自結(jié)營(yíng)收?qǐng)?bào)告。因工作天數(shù)減少，臺(tái)積電、世界2月業(yè)績(jī)同步下滑逾13%，聯(lián)電則在初步納入和艦科技后月減約7.6%。臺(tái)積電

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2013-03-08

聯(lián)電電表臺(tái)積電晶圓
IIC-China 2013：美國(guó)中央半導(dǎo)體做最靈活的分立半導(dǎo)體廠商

Central Semiconductor（中文名：美國(guó)中央半導(dǎo)體），與時(shí)俱進(jìn)的分立半導(dǎo)體日前攜其創(chuàng)新的解決方案亮相于IIC China 2013。該廠商一貫承諾，無(wú)論需要增強(qiáng)性能，還是空間受限，或者需要定制元件，美國(guó)中央半導(dǎo)體公司均有

消費(fèi)電子
2013-03-08

半導(dǎo)體半導(dǎo)體廠商 IIC-CHINA 晶圓
日月光28nm封裝占比可逾5%

法人表示，封測(cè)大廠日月光(2311)第1季28nm高階封裝量占整體封裝出貨比重，可超過(guò)5%。觀察日月光第1季高階制程封測(cè)出貨表現(xiàn)，法人表示，28nm手機(jī)晶片臺(tái)系客戶第1季新產(chǎn)品出貨量不大，另外，美系手機(jī)晶片大廠第1季28nm

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-03-08

晶片封裝 PI 晶圓
日月光28奈米封裝占比可逾5%

法人表示，封測(cè)大廠日月光(2311)第1季28奈米高階封裝量占整體封裝出貨比重，可超過(guò)5%。觀察日月光第1季高階制程封測(cè)出貨表現(xiàn)，法人表示，28奈米手機(jī)晶片臺(tái)系客戶第1季新產(chǎn)品出貨量不大，另外，美系手機(jī)晶片大廠第

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2013-03-05

晶片封裝 PI 晶圓
瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng) 飛思卡爾發(fā)布超小型32位單片機(jī) KL02

飛思卡爾半導(dǎo)體正在籌劃下一個(gè)單片機(jī)市場(chǎng)爆發(fā)點(diǎn)，那就是物聯(lián)網(wǎng)。據(jù)最新消息，飛思卡爾發(fā)布了業(yè)界超小型32位MCU KL02，該產(chǎn)品僅為1.9mm*2.0mm封裝面積，采用Chip-Scale晶圓級(jí)封裝技術(shù)。該產(chǎn)品擁有48MHz ARM Cortex-M0

單片機(jī)
2013-02-28

飛思卡爾物聯(lián)網(wǎng) 32位單片機(jī) 晶圓
英飛凌家族芯片通過(guò)質(zhì)檢已向全球發(fā)貨

英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來(lái)的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項(xiàng)新技術(shù)的生

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2013-02-27

英飛凌功率半導(dǎo)體芯片晶圓
英飛凌家族芯片通過(guò)質(zhì)檢已向全球發(fā)貨

英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來(lái)的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項(xiàng)新技術(shù)的生

消費(fèi)電子
2013-02-27

英飛凌功率半導(dǎo)體芯片晶圓
觀察站／晶圓一哥難通吃訂單

半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為，阿爾特拉與臺(tái)積電獨(dú)家合作關(guān)系將從14納米劃上句點(diǎn)，意味IC設(shè)計(jì)業(yè)者尋求多重晶圓代工來(lái)源，借以分散出貨風(fēng)險(xiǎn)，臺(tái)積電不容易再有獨(dú)吃客戶訂單的局面，要維持晶圓代工一哥角色，挑戰(zhàn)加劇。近年來(lái)行

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2013-02-27

晶圓代工臺(tái)積電晶圓

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晶圓

臺(tái)灣茂德出售12寸晶圓設(shè)備予GLOBALFOUNDRIES

中芯國(guó)際去年轉(zhuǎn)賺2277萬(wàn)美元

卡位10奈米世代　臺(tái)積、漢辰搶布新制程/設(shè)備

晶圓雙雄節(jié)水一年省2個(gè)水庫(kù)

晶圓雙雄節(jié)水一年省2個(gè)水庫(kù)

極特與Soitec簽訂多晶圓HVPE開(kāi)發(fā)及授權(quán)合約

去年財(cái)報(bào)速讀／中芯毛利率增20%

晶圓雙雄節(jié)水一年省2個(gè)水庫(kù)

盛美獲兩臺(tái)背面清洗機(jī)訂單

大和預(yù)警 28奈米競(jìng)爭(zhēng)加劇臺(tái)積電Q2營(yíng)收成長(zhǎng)放緩

大和預(yù)警 28奈米競(jìng)爭(zhēng)加劇臺(tái)積電Q2營(yíng)收成長(zhǎng)放緩

矽晶圓大廠SUMCO上年度營(yíng)益暴增13倍

臺(tái)積電、世界2月?tīng)I(yíng)收下滑逾13% 聯(lián)電月減7.6%

IIC-China 2013：美國(guó)中央半導(dǎo)體做最靈活的分立半導(dǎo)體廠商

日月光28nm封裝占比可逾5%

日月光28奈米封裝占比可逾5%

瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng) 飛思卡爾發(fā)布超小型32位單片機(jī) KL02

英飛凌家族芯片通過(guò)質(zhì)檢已向全球發(fā)貨

英飛凌家族芯片通過(guò)質(zhì)檢已向全球發(fā)貨

觀察站／晶圓一哥難通吃訂單

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