三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂,導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過(guò),近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案,有助突破
三維晶片(3D IC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂,導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過(guò),近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3D IC制程設(shè)備與材料解決方案,有助突
晶圓雙雄7月?tīng)I(yíng)收不同調(diào),臺(tái)積電(2330)7月合并營(yíng)收521.03億元,較6月減少3.6%;聯(lián)電(2303)7月合并營(yíng)收115.58億元,則比前月成長(zhǎng)7.4%。雖然7月消長(zhǎng)不一,但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大,由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺
高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段,而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn);受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素,有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Globa
晶圓雙雄7月?tīng)I(yíng)收不同調(diào),臺(tái)積電(2330)7月合并營(yíng)收521.03億元,較6月減少3.6%;聯(lián)電(2303)7月合并營(yíng)收115.58億元,則比前月成長(zhǎng)7.4%。雖然7月消長(zhǎng)不一,但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大,由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺季不明
三維晶片(3D IC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂,導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過(guò),近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3D IC制程設(shè)備與材料解決方案,有助突
晶圓雙雄昨公布7月業(yè)績(jī),因客戶庫(kù)存去化狀況不一,臺(tái)積電(2330)7月意外「滑跤」,合并營(yíng)收521.03億元,較6月小減3.6%,雖中止連4個(gè)月成長(zhǎng)走勢(shì),但仍為單月歷史次高;法人表示,半導(dǎo)體未來(lái)2季持續(xù)調(diào)整庫(kù)存,預(yù)料本季
晶圓雙雄7月?tīng)I(yíng)收不同調(diào),臺(tái)積電(2330)7月合并營(yíng)收521.03億元,較6月減少3.6%;聯(lián)電(2303)7月合并營(yíng)收115.58億元,則比前月成長(zhǎng)7.4%。雖然7月消長(zhǎng)不一,但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大,由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺
高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段,而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn);受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素,有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Global
設(shè)備商勤友6日宣布與IBM簽署共同開(kāi)發(fā)協(xié)議,藉由IBM擁有的復(fù)合雷射剝離制程和技術(shù),開(kāi)發(fā)全新生產(chǎn)線用半導(dǎo)體晶圓貼合(Bounder)和剝離設(shè)備(Debounder),進(jìn)軍半導(dǎo)體2.5D、3D封裝技術(shù)。聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智也到場(chǎng)祝賀,
聯(lián)電舉辦線上法說(shuō)并公布第2季財(cái)務(wù)報(bào)告,第2季歸屬母公司凈利為新臺(tái)幣18.1億元,每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.15元;當(dāng)中40奈米及以下制程的營(yíng)收比重從第1季的18%提升到2成。聯(lián)電第2季營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣319.1億元,與上季的
高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段,而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn);受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素,有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Globa
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善電晶體漏電流問(wèn)題,臺(tái)積電除攜手矽智財(cái)(IP)業(yè)者,推進(jìn)鰭式電晶體(FinFET)制程商用腳步外,亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(7)日舉辦線上法說(shuō)并公布第2季財(cái)務(wù)報(bào)告,第2季歸屬母公司凈利為新臺(tái)幣18.1億元,每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.15元;當(dāng)中40奈米及以下制程的營(yíng)收比重從第1季的18%提升到2成。 聯(lián)電第2季營(yíng)業(yè)收
業(yè)內(nèi)消息稱,從今年9月份起,高通將把其五分之一的28nm晶圓訂單,大約1萬(wàn)塊,從臺(tái)積電轉(zhuǎn)交給GlobalFoundries。GF長(zhǎng)期因?yàn)楣に囘M(jìn)展緩慢而備受批評(píng),一度導(dǎo)致臺(tái)積電壟斷28nm市場(chǎng)?,F(xiàn)如今,GF 28nm生產(chǎn)線看上去已經(jīng)完全
Intel近日確認(rèn),位于美國(guó)俄勒岡州的Fab 1DX二期工程已經(jīng)破土動(dòng)工,這也是全球第一座將會(huì)用來(lái)生產(chǎn)450毫米大尺寸晶圓的工廠(目前主流300毫米)。Intel發(fā)言人Chuck Mulloy對(duì)媒體透露說(shuō):“D1X二期工程的建設(shè)已經(jīng)開(kāi)始
首德集團(tuán)旗下先進(jìn)光學(xué)事業(yè)部(Advanced Optics)是全球提供一系列不同產(chǎn)品特性和客制化超薄玻璃晶圓的廠商。采用AF32R eco、D 263TR eco和MEMpaxR玻璃生產(chǎn)的三種不同的玻璃晶圓與各種不同的半導(dǎo)體晶圓互為補(bǔ)充,非常適
世界先進(jìn)(5347)今(5日)召開(kāi)法說(shuō)會(huì),關(guān)于Q3營(yíng)運(yùn)展望,總經(jīng)理方略(見(jiàn)附圖)指出,因客戶本季需求不墜,單季晶圓出貨估計(jì)與Q2持平,且相對(duì)于Q2稼動(dòng)率的100%,估計(jì)Q3稼動(dòng)率也可以維持在100%的高檔。而Q3毛利率預(yù)估可介于3
Intel今天確認(rèn),位于美國(guó)俄勒岡州的Fab 1DX二期工程已經(jīng)破土動(dòng)工,這也是全球第一座將會(huì)用來(lái)生產(chǎn)450毫米大尺寸晶圓的工廠(目前主流300毫米)。Intel發(fā)言人Chuck Mulloy對(duì)媒體透露說(shuō):“D1X二期工程的建設(shè)已經(jīng)開(kāi)始
首德集團(tuán)旗下先進(jìn)光學(xué)事業(yè)部(Advanced Optics)是全球提供一系列不同產(chǎn)品特性和客制化超薄玻璃晶圓的廠商。采用AF32R eco、D 263TR eco和MEMpaxR玻璃生產(chǎn)的三種不同的玻璃晶圓與各種不同的半導(dǎo)體晶圓互為補(bǔ)充,非常適